GeneSiC 半导体, 公司 - 通过创新提高能源效率

GeneSiC的新一代SiC二极管具有出色的正向和开关特性以及一流的浪涌电流稳健性和导热性.

特征:

  • 高级雪崩 (统计研究所) 能力
  • 增强的浪涌电流能力
  • 优异奖QC/一世F
  • 低热阻,更快散热
  • 175 °C最高工作温度
  • 温度无关开关行为
  • V的正温度系数F
  • 极快的开关速度

优点:

  • 低待机功耗
  • 提高电路效率 (降低总体成本)
  • 低开关损耗
  • 易于并联的器件,不会产生热失控
  • 较小的散热器要求
  • 低反向恢复电流
  • 低设备电容
  • 低反向漏电流

应用领域:

  • 功率因数校正中的升压二极管 (全氟化合物)
  • 开关电源 (开关电源)
  • AC-DC转换器 & DC-DC转换器
  • 随心所欲 / 逆变器中的反并联二极管
  • 不间断电源 (UPS)
  • 太阳能逆变器 & 风能转换器
  • 电动汽车 (电动车) & 直流快速充电器
  • 马达驱动
  • LED和HID照明
  • 医学影像系统
  • 高压感应
  • 感应加热 & 焊接
  • 脉冲功率

650V SiC肖特基MPS™

正向电流, 一世FDO-214TO-252-2TO-263-7TO-220-2TO-247-2TO-247-3SOT-227
1 一个GB01SLT06-214
4 一个GE04MPS06E GE04MPS06A
6 一个GE06MPS06E GE06MPS06A
8 一个GE08MPS06E GE08MPS06A
10 一个GE10MPS06E GE10MPS06A
12 一个GE12MPS06A
16 一个GE2X8MPS06D
20 一个GE2X10MPS06D
30 一个GD30MPS06J GD30MPS06A GD30MPS06H
60 一个GD60MPS06H GD2X30MPS06N
120 一个GD2X60MPS06N
200 一个GD2X100MPS06N
300 一个GD2X150MPS06N

1200V SiC肖特基MPS™

1700V SiC肖特基MPS™

正向电流, 一世F裸芯片TO-263-7TO-247-2SOT-227
5 一个GB05MPS17-263GD05MPS17H
10 一个GD10MPS17H
15 一个GD15MPS17H
25 一个GD25MPS17H
50 一个GD2X25MPS17N
60 一个GD60MPS17H
75 一个GD75MPS17-CAL
150 一个GD2X75MPS17N

3300V SiC肖特基MPS™

正向电流, 一世F裸芯片DO-214TO-220-FPTO-263-7TO-247-2
0.3 一个GAP3SHT33-CAUGAP3SLT33-214GAP3SLT33-220FP
5一个GB05MPS33-263
50 一个GC50MPS33-CAL GC50MPS33H
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