基因碳化硅 是碳化硅技术的先驱和世界领先者, 同时还投资于高功率硅技术. 全球领先的工业和国防系统制造商依赖 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率.
基因碳化硅 技术在各种高功率系统中在节能方面发挥着关键作用. 我们的技术能够有效地收集可再生能源.
基因碳化硅 电子元件运行冷却器, 快点, 并且更经济. 我们拥有宽带隙功率器件技术的领先专利; 预计将达到的市场 $1 亿 2022.
我们的核心竞争力是为我们的客户增加更多价值’ 成品. 我们的性能和成本指标正在为碳化硅行业设定标准.
如果您有兴趣就投资者关系与GeneSiC联系, 请发送电子邮件至 investors@genesicsemi.com
总统
 | 博士. 兰比尔·辛格（Ranbir Singh）创立了GeneSiC Semiconductor Inc. 在 2004. 在此之前，他首先在Cree Inc.进行了SiC功率器件的研究。, 然后在NIST, 盖瑟斯堡, 医学博士. 他积累了批判性的理解，并发表了包括PiN在内的各种SiC功率器件, JBS和肖特基二极管, 场效应管, IGBT, 晶闸管和现场控制晶闸管. 他获得了博士学位. 电气和计算机工程硕士和硕士学位, 来自北卡罗来纳州立大学, 罗利, 数控, 和B. 印度理工学院的技术, 新德里. 在 2012, EE Times任命Dr. 辛格 "四十位创新者为下一代电子行业奠定了基础。" 在 2011, 他赢得了R&因其在6.5kV SiC晶闸管商业化方面的努力而获得D100奖. 他已经发表了 200 期刊和会议论文, 是的作者 30 已发布的美国专利, 并写了一本书. |
技术副总裁
 | 博士. Siddarth Sundaresan是GeneSiC技术副总裁. 他获得了硕士学位. 和博士学位. 乔治·梅森大学（George Mason University）电机工程学士学位 2004 和 2007, 分别. 博士. Sundaresan已发表了超过 65 设备上的技术文章和会议记录, 在SiC和GaN上制造的功率器件的材料和工艺方面. 他曾任国际碳化硅及相关材料会议的技术计划委员会委员 (委员会) 并是国际功率半导体器件和集成电路研讨会的技术委员会委员 (PSD). |
