GeneSiC 반도체, Inc - 혁신을 통한 에너지 효율성

GeneSiC의 차세대 SiC 다이오드는 우수한 순방향 및 스위칭 특성과 동급 최고의 서지 전류 견고성 및 열 전도율의 조합을 특징으로합니다..

풍모:

  • 우수한 눈사태 (UIS) 능력
  • 향상된 서지 전류 기능
  • 우수한 성능 지수 Q/나에프
  • 더 빠른 열 방출을위한 낮은 열 저항
  • 175 ° C 최대 작동 온도
  • 온도 독립적 스위칭 동작
  • V의 양의 온도 계수에프
  • 매우 빠른 스위칭 속도

장점:

  • 낮은 대기 전력 손실
  • 회로 효율 향상 (전체 비용 절감)
  • 낮은 스위칭 손실
  • 열 폭주없는 병렬 장치의 용이성
  • 더 작은 방열판 요구 사항
  • 낮은 역 회복 전류
  • 낮은 디바이스 커패시턴스
  • 낮은 역 누설 전류

응용:

  • 역률 보정에서 다이오드 부스트 (일병)
  • 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
  • AC-DC 컨버터 & DC-DC 컨버터
  • 자유 분방 / 인버터의 역 병렬 다이오드
  • 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
  • 태양 광 인버터 & 풍력 에너지 변환기
  • 전기 자동차 (EV) & DC 고속 충전기
  • 모터 드라이브
  • LED 및 HID 조명
  • 의료 영상 시스템
  • 고전압 감지
  • 유도 가열 & 용접
  • 펄스 파워

650V SiC 쇼트 키 MPS ™

순방향 전류, 나에프DO-214TO-252-2TO-263-7TO-220-2TO-247-2TO-247-3SOT-227
1 ㅏGB01SLT06-214
4 ㅏGE04MPS06E GE04MPS06A
6 ㅏGE06MPS06E GE06MPS06A
8 ㅏGE08MPS06E GE08MPS06A
10 ㅏGE10MPS06E GE10MPS06A
12 ㅏGE12MPS06A
16 ㅏGE2X8MPS06D
20 ㅏGE2X10MPS06D
30 ㅏGD30MPS06J GD30MPS06A GD30MPS06H
60 ㅏGD60MPS06H GD2X30MPS06N
120 ㅏGD2X60MPS06N
200 ㅏGD2X100MPS06N
300 ㅏGD2X150MPS06N

1200V SiC 쇼트 키 MPS ™

1700V SiC 쇼트 키 MPS ™

순방향 전류, 나에프베어 칩TO-263-7TO-247-2SOT-227
5 ㅏGB05MPS17-263GD05MPS17H
10 ㅏGD10MPS17H
15 ㅏGD15MPS17H
25 ㅏGD25MPS17H
50 ㅏGD2X25MPS17N
60 ㅏGD60MPS17H
75 ㅏGD75MPS17-CAL
150 ㅏGD2X75MPS17N

3300V SiC 쇼트 키 MPS ™

순방향 전류, 나에프베어 칩DO-214TO-220-FPTO-263-7TO-247-2
0.3 ㅏGAP3SHT33-CAUGAP3SLT33-214GAP3SLT33-220FP
5ㅏGB05MPS33-263
50 ㅏGC50MPS33-CAL GC50MPS33H
GeneSiC 반도체, Inc