GeneSiC는 우수한 비용 성능 지수를 가진 SiC 전력 장치를 제공함으로써 가능한 최고의 고객 중심 설계를 제공하기 위해 번창합니다., 높은 견고 함과 고품질.
응용 프로그램은 다음과 같습니다.:
- 역률 보정에서 다이오드 부스트 (일병)
- 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
- 전기 자동차 – 동력 전달 장치, DC-DC 컨버터 및 온보드 충전
- 초고속 충전 인프라
- 태양 광 인버터 및 에너지 저장
- 견인
- 데이터 센터 전원 공급 장치
- 유도 가열 및 용접
- 고전압 DC-DC 컨버터
- 자유 회전 / 역 병렬 다이오드
- LED 및 HID 조명
- 의료 영상 시스템
- 다운 홀 석유 시추 전력 변환기
- 고전압 감지
- 펄스 파워
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DE-SAT 보호 및 하이 사이드 스위치 게이트 드라이브 부트 스트랩 회로와 같은 고전압 감지 애플리케이션 용, DO-214 및 TO-252-2 패키지는 이상적인 솔루션입니다..
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
TO-247-3 패키지는 역률 보정과 같은 애플리케이션에서 더 높은 전력 밀도와 BOM 감소를위한 뛰어난 유연성을 제공합니다. (일병) 두 다이오드 사이에 공통 음극을 공유하는 inter.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
애플리케이션 노트:
AN-1 1200 온도가 변하지 않는 장벽 높이와 이상 계수가있는 V 쇼트 키 다이오드
10 월 2010 AN-1 1200 온도가 변하지 않는 장벽 높이와 이상 계수가있는 V 쇼트 키 다이오드
AN-2 1200 빠른 스위칭 애플리케이션을위한 초저 정전 용량 역 회복 전하를 지원하는 V SiC JBS 다이오드
10 월 2010 AN-2 1200 빠른 스위칭 애플리케이션을위한 초저 정전 용량 역 회복 전하를 지원하는 V SiC JBS 다이오드
AN1001 SiC 전력 다이오드 신뢰성
전 세계의 연구 기관 및 대학, 2018AN1001 SiC 전력 다이오드 신뢰성
AN1002 SiC 전력 쇼트 키 다이오드 데이터 시트 이해
전 세계의 연구 기관 및 대학, 2018AN1002 SiC 전력 쇼트 키 다이오드 데이터 시트 이해
AN1003 SPICE 모델 사용 지침
12 월, 2018AN1003 SPICE 모델 사용 지침
기술 문서:
고전력 SiC PiN 정류기
12 월, 2005 고전력 SiC PiN 정류기
고전력 SiC PiN 정류기
6 월, 2007 고전력 SiC PiN 정류기
실리콘 카바이드 반 절연 검출기로 빠른 중성자 검출
6 월, 2008 실리콘 카바이드 반 절연 검출기로 빠른 중성자 검출
반 절연 실리콘 카바이드 기반 방사선 검출기 개발
10 월, 2008 반 절연 실리콘 카바이드 기반 방사선 검출기 개발
4H-SiC PiN 다이오드에서 반송파 재결합 수명과 순방향 전압 강하 간의 상관 관계
씨족, 2010 4H-SiC PiN 다이오드에서 반송파 재결합 수명과 순방향 전압 강하 간의 상관 관계
