GeneSiC 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다..
GeneSiC 기술은 다양한 고전력 시스템에서 에너지를 절약하는 데 핵심적인 역할을합니다.. 우리의 기술은 재생 가능 에너지 원의 효율적인 수확을 가능하게합니다.
GeneSiC 전자 부품은 더 차가워집니다, 더 빨리, 더 경제적으로. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022.
우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..
투자자 관계와 관련하여 GeneSiC에 연락하는 데 관심이있는 경우, 이메일을 보내주세요 투자자 @ genesicsemi.com
대통령
 | 박사. Ranbir Singh은 GeneSiC Semiconductor Inc를 설립했습니다.. 에 2004. 그 전에는 Cree Inc에서 SiC 전력 장치에 대한 연구를 처음 수행했습니다., 그리고 NIST에서, 게이 더스 버그, MD. 그는 PiN을 포함한 광범위한 SiC 전력 장치에 대한 비판적 이해를 발전시키고 출판했습니다., JBS 및 쇼트 키 다이오드, MOSFET, IGBT, 사이리스터 및 필드 제어 사이리스터. 그는 박사 학위를 받았습니다.. 전기 및 컴퓨터 공학 석사 학위, 노스 캐롤라이나 주립대 학교, 롤리, 체크 안함, 그리고 B. 인도 공과 대학의 기술, 델리. 에 2012, EE Times 박사. 싱 중 "차세대 전자 산업의 기반을 구축하는 40 명의 혁신가." 에 2011, 그는 R을 이겼다&6.5kV SiC 사이리스터 상용화 노력에 대한 D100 상. 그는 출판했다 200 저널 및 컨퍼런스 논문, 이상 작가입니다 30 미국 특허 발행, 그리고 책을 저술했습니다. |
기술 부사장
 | 박사. Siddarth Sundaresan은 GeneSiC의 기술 부사장입니다.. 그는 M.S를 받았습니다.. 및 Ph.D. George Mason University에서 전기 공학 학위를 취득했습니다. 2004 과 2007, 각기. 박사. 순 다레 산은 65 장치에 대한 기술 기사 및 회의 절차, SiC 및 GaN으로 제작 된 전력 장치의 재료 및 처리 측면. 그는 SiC 및 관련 자료에 관한 국제 회의의 기술 프로그램위원회에서 활동했습니다. (ICSCRM) 현재 전력 반도체 장치 및 IC에 관한 국제 심포지엄의 기술위원회 회원입니다. (ISPSD). |
