GeneSiC Полупроводник, Inc - Энергоэффективность за счет инноваций

Новое поколение SiC-диодов GeneSiC сочетает в себе превосходные характеристики прямого действия и переключения с лучшими в своем классе устойчивостью к импульсным токам и теплопроводностью..

Характеристики:

  • Superior Avalanche (СИЮ) Возможность
  • Расширенные возможности импульсного тока
  • Высшая фигура заслуг QCF
  • Низкое тепловое сопротивление для более быстрого рассеивания тепла
  • 175 ° C Максимальная рабочая температура
  • Температурно-независимое переключение
  • Положительный температурный коэффициент VF
  • Чрезвычайно быстрая скорость переключения

Преимущества:

  • Низкие потери мощности в режиме ожидания
  • Повышенная эффективность схемы (Более низкая общая стоимость)
  • Низкие коммутационные потери
  • Простота параллельного подключения устройств без теплового разгона
  • Меньшие требования к радиатору
  • Низкий обратный ток восстановления
  • Низкая емкость устройства
  • Низкий обратный ток утечки

Приложения:

  • Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Преобразователи переменного тока в постоянный & DC-DC преобразователи
  • Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Солнечные инверторы & Преобразователи энергии ветра
  • Электрические транспортные средства (Электромобили) & Зарядные устройства постоянного тока
  • Моторные приводы
  • Светодиодное и скрытое освещение
  • Системы медицинской визуализации
  • Измерение высокого напряжения
  • Индукционный нагрев & Сварка
  • Импульсная мощность

650V SiC Schottky MPS ™

Прямой ток, яFDO-214ТО-252-2К-263-7ТО-220-2К-247-2К-247-3СОТ-227
1 АGB01SLT06-214
4 АGE04MPS06E GE04MPS06A
6 АGE06MPS06E GE06MPS06A
8 АGE08MPS06E GE08MPS06A
10 АGE10MPS06E GE10MPS06A
12 АGE12MPS06A
16 АGE2X8MPS06D
20 АGE2X10MPS06D
30 АGD30MPS06J GD30MPS06A GD30MPS06H
60 АGD60MPS06H GD2X30MPS06N
120 АGD2X60MPS06N
200 АGD2X100MPS06N
300 АGD2X150MPS06N

1200V SiC Schottky MPS ™

1700V SiC Schottky MPS ™

Прямой ток, яFГолый чипК-263-7К-247-2СОТ-227
5 АGB05MPS17-263GD05MPS17H
10 АGD10MPS17H
15 АGD15MPS17H
25 АGD25MPS17H
50 АGD2X25MPS17N
60 АGD60MPS17H
75 АGD75MPS17-CAL
150 АGD2X75MPS17N

3300V SiC Schottky MPS ™

Прямой ток, яFГолый чипDO-214ТО-220-ФПК-263-7К-247-2
0.3 АGAP3SHT33-CAUGAP3SLT33-214GAP3SLT33-220FP
GB05MPS33-263
50 АGC50MPS33-CAL GC50MPS33H
GeneSiC Полупроводник, Inc