Новое поколение SiC-диодов GeneSiC сочетает в себе превосходные характеристики прямого действия и переключения с лучшими в своем классе устойчивостью к импульсным токам и теплопроводностью..
Характеристики:
- Superior Avalanche (СИЮ) Возможность
- Расширенные возможности импульсного тока
- Высшая фигура заслуг QC/яF
- Низкое тепловое сопротивление для более быстрого рассеивания тепла
- 175 ° C Максимальная рабочая температура
- Температурно-независимое переключение
- Положительный температурный коэффициент VF
- Чрезвычайно быстрая скорость переключения
Преимущества:
- Низкие потери мощности в режиме ожидания
- Повышенная эффективность схемы (Более низкая общая стоимость)
- Низкие коммутационные потери
- Простота параллельного подключения устройств без теплового разгона
- Меньшие требования к радиатору
- Низкий обратный ток восстановления
- Низкая емкость устройства
- Низкий обратный ток утечки
Приложения:
- Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Преобразователи переменного тока в постоянный & DC-DC преобразователи
- Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Солнечные инверторы & Преобразователи энергии ветра
- Электрические транспортные средства (Электромобили) & Зарядные устройства постоянного тока
- Моторные приводы
- Светодиодное и скрытое освещение
- Системы медицинской визуализации
- Измерение высокого напряжения
- Индукционный нагрев & Сварка
- Импульсная мощность
650V SiC Schottky MPS ™
Прямой ток, яF | DO-214 | ТО-252-2 | К-263-7 | ТО-220-2 | К-247-2 | К-247-3 | СОТ-227 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1 А | GB01SLT06-214 | ||||||
4 А | GE04MPS06E | GE04MPS06A | |||||
6 А | GE06MPS06E | GE06MPS06A | |||||
8 А | GE08MPS06E | GE08MPS06A | |||||
10 А | GE10MPS06E | GE10MPS06A | |||||
12 А | GE12MPS06A | ||||||
16 А | GE2X8MPS06D | ||||||
20 А | GE2X10MPS06D | ||||||
30 А | GD30MPS06J | GD30MPS06A | GD30MPS06H | ||||
60 А | GD60MPS06H | GD2X30MPS06N | |||||
120 А | GD2X60MPS06N | ||||||
200 А | GD2X100MPS06N | ||||||
300 А | GD2X150MPS06N |
1200V SiC Schottky MPS ™
Прямой ток, яF | Голый чип | DO-214 | ТО-252-2 | К-263-7 | ТО-220-2 | К-247-2 | К-247-3 | СОТ-227 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 А | GB01SLT12-214 | GB01SLT12-252 | ||||||
2 А | GB02SLT12-214 | GD02MPS12E | GC02MPS12-220 | |||||
5 А | GC05MPS12-252 | |||||||
7.5 А | GC08MPS12-252 | GC08MPS12-220 | ||||||
10 А | GD10MPS12E | GD10MPS12A | GC2X5MPS12-247 | |||||
15 А | GC15MPS12-220 | GC15MPS12-247 | GC2X8MPS12-247 | |||||
20 А | GD20MPS12A | GD20MPS12H | GC2X10MPS12-247 | |||||
30 А | GD30MPS12-CAL | GD30MPS12J | GD30MPS12A | GD30MPS12H | GC2X15MPS12-247 | |||
40 А | GD2X20MPS12D | |||||||
50 А | GD50MPS12-CAL | GD50MPS12H | ||||||
60 А | GD2X30MPS12D | GD2X30MPS12N | ||||||
100 А | GD100MPS12-CAL | GD2X50MPS12N | ||||||
200 А | GD2X100MPS12N |
1700V SiC Schottky MPS ™
Прямой ток, яF | Голый чип | К-263-7 | К-247-2 | СОТ-227 |
---|---|---|---|---|
5 А | GB05MPS17-263 | GD05MPS17H | ||
10 А | GD10MPS17H | |||
15 А | GD15MPS17H | |||
25 А | GD25MPS17H | |||
50 А | GD2X25MPS17N | |||
60 А | GD60MPS17H | |||
75 А | GD75MPS17-CAL | |||
150 А | GD2X75MPS17N |
3300V SiC Schottky MPS ™
Прямой ток, яF | Голый чип | DO-214 | ТО-220-ФП | К-263-7 | К-247-2 |
---|---|---|---|---|---|
0.3 А | GAP3SHT33-CAU | GAP3SLT33-214 | GAP3SLT33-220FP | ||
5А | GB05MPS33-263 | ||||
50 А | GC50MPS33-CAL | GC50MPS33H |