Полупроводниковая энергетика, Лидер отрасли в области силовых ИС на основе нитрида галлия, объявляет о приобретении GeneSiC Semiconductor, Пионер карбида кремния
Секунда, Калифорния., 15 августа, 2022 - Энергетический полупроводник (Насдак: НВТС), лидер отрасли в области нитрида галлия (GaN) силовые ИС, сегодня объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor, карбид кремния (SiC) пионер…
SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ 750 В обеспечивают непревзойденную производительность и надежность
DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. К преимуществам системы относятся низкие потери в открытом состоянии.…
5SiC-диоды Шоттки MPS ™ поколения 650 В для лучшей в своем классе эффективности
DULLES, VA, май 28, 2021 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик карбида кремния (SiC) силовые полупроводниковые приборы, объявляет о доступности 5-го поколения (GE *** серия) SiC Schottky…
Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3-го поколения с лучшими в отрасли показателями качества
DULLES, VA, февраль 12, 2020 — Новое поколение SiC MOSFET 1200V G3R ™ от GeneSiC Semiconductor с RDS(НА) уровни от 20 мОм к 350 мОм обеспечивает беспрецедентный уровень производительности, надежность и качество…
SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3300 В и 1700 В 1000 мОм революционизируют миниатюризацию вспомогательных источников питания
DULLES, VA, Декабрь 4, 2020 — GeneSiC объявляет о доступности ведущих в отрасли дискретных SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В, оптимизированных для достижения беспрецедентной миниатюризации., надежность и экономия энергии в промышленных…
