DULLES, VA, май 28, 2021 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик карбида кремния (SiC) силовые полупроводниковые приборы, объявляет о доступности 5-го поколения (GE *** серия) Выпрямители SiC Schottky MPS ™, которые устанавливают новый стандарт благодаря своему превосходному показателю цены и качества., лучшая в отрасли устойчивость к импульсным токам и лавинам, и качественное изготовление.
«GeneSiC был одним из первых производителей SiC, который начал коммерческую поставку SiC-выпрямителей Шоттки в 2011. После более чем десятилетия поставок высокопроизводительных и качественных SiC выпрямителей в промышленность, мы рады выпустить наше 5-е поколение SiC Schottky MPS ™ (Объединенный-ПиН-Шоттки) диоды, обеспечивающие лучшую в отрасли производительность во всех аспектах для достижения целей высокой эффективности и удельной мощности в таких приложениях, как серверные / телекоммуникационные источники питания и зарядные устройства. Революционная особенность, которая делает наше 5-е поколение (GE *** серия) SiC диоды Шоттки MPS ™ выделяются среди аналогов низким встроенным напряжением. (также известный как напряжение колена);он обеспечивает самые низкие потери проводимости диодов при любых условиях нагрузки, что имеет решающее значение для приложений, требующих высокоэффективного использования энергии.. В отличие от диодов других конкурентов, SiC-диоды также обладают характеристиками с низким уровнем перегиба., дополнительная особенность наших диодов Gen5 заключается в том, что они по-прежнему выдерживают высокий уровень лавинной (UIL) надежность, которую наши клиенты ожидают от GeneSiC Gen3 (GC *** серия) и Gen4 (GD *** серия) SiC Schottky MPS ™” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям GeneSiC Semiconductor.
Характеристики –
- Низкое встроенное напряжение – Самые низкие потери проводимости для всех условий нагрузки
- Высшая фигура заслуг – QC x VF
- Оптимальная цена
- Расширенные возможности импульсного тока
- 100% Лавина (UIL) Проверено
- Низкое тепловое сопротивление для работы в режиме охлаждения
- Нулевое прямое и обратное восстановление
- Температурно-независимое быстрое переключение
- Положительный температурный коэффициент VF
Приложения –
- Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
- Источники питания для серверов и телекоммуникаций
- Солнечные инверторы
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах
GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™
GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™
GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™
GE10MPS06E - 650 В 10 А TO-252-2 SiC Schottky MPS ™
GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™
GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™
GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™
GE10MPS06A - 650 В 10 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™
GE12MPS06A - 650 В 12 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™
GE2X8MPS06D - 650 В 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™
GE2X10MPS06D - 650 В 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™
Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support
Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com
О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..
