Мульти-кГц, Образцы карбидокремниевых тиристоров сверхвысокого напряжения переданы американским исследователям
DULLES, VA, Ноябрь 1, 2010 –В первом в своем роде предложении, GeneSiC Semiconductor объявляет о выпуске семейства тиристоров из карбида кремния с режимом SCR 6,5 кВ для использования в энергетике…
GeneSiC выиграла 2,53 миллиона долларов от ARPA-E на разработку устройств на основе тиристоров из карбида кремния
DULLES, VA, сентябрь 28, 2010 – Агентство перспективных исследовательских проектов – Энергетика (АРПА-Э) заключила соглашение о сотрудничестве с командой под руководством GeneSiC Semiconductor для разработки романа…
Компания GeneSiC Semiconductor продвигает возобновляемые источники энергии на 1,5 миллиона долларов от Министерства энергетики США
DULLES, VA, Ноябрь 12, 2008 – Министерство энергетики США предоставило компании GeneSiC Semiconductor два отдельных гранта на общую сумму 1,5 миллиона долларов на разработку высоковольтного карбида кремния. (SiC) устройства, которые…
GeneSiC Semiconductor получил несколько грантов Министерства энергетики США SBIR и STTR
DULLES, VA, Октябрь 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., быстро развивающийся новатор в области высоких температур, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, объявила, что награждена тремя отдельными…
