DULLES, VA, Октябрь 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., быстро развивающийся новатор в области высоких температур, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, объявила о присуждении трех отдельных грантов для малого бизнеса от Министерства энергетики США в 2007 финансовом году.. Гранты SBIR и STTR будут использоваться GeneSiC для демонстрации новых высоковольтных устройств SiC для различных накопителей энергии., Энергосистема, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложениям для хранения энергии и электросетей уделяется все больше внимания, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и рентабельных решениях для управления энергопотреблением..
“Мы довольны уровнем доверия, выраженным различными офисами Министерства энергетики США в отношении наших решений для устройств большой мощности.. Вливание этого финансирования в наши передовые технологические программы SiC приведет к созданию лидирующих в отрасли устройств SiC.,” прокомментировал президент GeneSiC, доктор. Ранбир Сингх. “Устройства, разрабатываемые в этих проектах, обещают предоставить критически важные технологии для поддержки более эффективной энергосистемы., и откроет дверь для новой коммерческой и военной техники, которая осталась нереализованной из-за ограничений современных кремниевых технологий.”
Три проекта включают:
- Новая награда SBIR Фазы I сосредоточена на сильноточных, Устройства на базе тиристоров на несколько кВ, предназначенные для хранения энергии.
- Последующая награда SBIR за разработку силовых устройств на основе SiC на несколько киловольт для высоковольтных источников питания для мощных высокочастотных систем, присужденная Управлением науки Министерства энергетики США..
- Награда Phase I STTR, посвященная высоковольтным устройствам с оптическим затвором., высокочастотные силовые устройства SiC для сред, богатых электромагнитными помехами, в том числе мощные высокочастотные энергетические системы, и систем оружия направленной энергии.
Наряду с наградами, Компания GeneSiC недавно переехала в расширенную лабораторию и офисное здание в Даллесе., Вирджиния, значительно модернизируя свое оборудование, инфраструктуры и находится в процессе добавления дополнительного ключевого персонала.
“GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов., поддерживая это с доступом к обширному набору изготовления, оборудование для характеризации и тестирования,” заключил д-р. Сингх. “Мы считаем, что эти возможности были эффективно подтверждены Министерством энергетики США этими новыми и последующими наградами.”
Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетив www.genesicsemi.com.
