опубликовано

Компания GeneSiC Semiconductor продвигает возобновляемые источники энергии на 1,5 миллиона долларов от Министерства энергетики США

DULLES, VA, Ноябрь 12, 2008 – Министерство энергетики США предоставило компании GeneSiC Semiconductor два отдельных гранта на общую сумму 1,5 миллиона долларов на разработку высоковольтного карбида кремния. (SiC) устройства, которые будут служить ключевыми инструментами для ветра- и интеграция солнечной энергии с электросетью страны.

«Эти награды демонстрируют уверенность Министерства энергетики в возможностях GeneSiC., а также приверженность альтернативным энергетическим решениям,»Отмечает доктор. Ранбир Сингх, президент GeneSiC. «Интегрированная, эффективная электросеть имеет решающее значение для энергетического будущего страны, а разрабатываемые нами SiC-устройства имеют решающее значение для преодоления неэффективности традиционных кремниевых технологий ».

Первая награда - это грант Phase II SBIR в размере 750 тыс. Долларов на разработку быстрых, SiC биполярные устройства сверхвысокого напряжения. Второй - грант Phase II STTR в размере 750 тыс. Долларов на разработку мощных SiC-переключателей с оптическим стробированием..

Карбид кремния - это полупроводниковый материал нового поколения, способный выдерживать 10-кратное напряжение и 100-кратный ток кремния., что делает его идеально подходящим для мощных приложений, таких как возобновляемые источники энергии. (ветер и солнце) установки и системы управления электросетью.

Конкретно, две награды предназначены для:

  • Развитие высокочастотного, отключение затвора из SiC на несколько киловольт (GTO) силовые устройства. Государственные и коммерческие приложения включают системы управления питанием и кондиционирования для судов., коммунальная промышленность, и медицинская визуализация.
  • Проектирование и изготовление оптически закрытых высоковольтных, коммутационные устройства на основе SiC высокой мощности. Использование оптоволокна для переключения питания - идеальное решение для сред, подверженных электромагнитным помехам. (ЭМИ), и приложения, требующие сверхвысокого напряжения.

Устройства SiC, разрабатываемые GeneSiC, служат для хранения разнообразной энергии., Энергосистема, и военное применение, которые привлекают все большее внимание, поскольку мир фокусируется на более эффективных и рентабельных решениях по управлению энергопотреблением..

Находится за пределами Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., полевые транзисторы (Полевые транзисторы) и биполярные устройства, а также частица & фотонные детекторы. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США., в том числе министерство энергетики, Флот, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC Semiconductor получил несколько грантов Министерства энергетики США SBIR и STTR

DULLES, VA, Октябрь 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., быстро развивающийся новатор в области высоких температур, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, объявила о присуждении трех отдельных грантов для малого бизнеса от Министерства энергетики США в 2007 финансовом году.. Гранты SBIR и STTR будут использоваться GeneSiC для демонстрации новых высоковольтных устройств SiC для различных накопителей энергии., Энергосистема, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложениям для хранения энергии и электросетей уделяется все больше внимания, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и рентабельных решениях для управления энергопотреблением..

“Мы довольны уровнем доверия, выраженным различными офисами Министерства энергетики США в отношении наших решений для устройств большой мощности.. Вливание этого финансирования в наши передовые технологические программы SiC приведет к созданию лидирующих в отрасли устройств SiC.,” прокомментировал президент GeneSiC, доктор. Ранбир Сингх. “Устройства, разрабатываемые в этих проектах, обещают предоставить критически важные технологии для поддержки более эффективной энергосистемы., и откроет дверь для новой коммерческой и военной техники, которая осталась нереализованной из-за ограничений современных кремниевых технологий.”

Три проекта включают:

  • Новая награда SBIR Фазы I сосредоточена на сильноточных, Устройства на базе тиристоров на несколько кВ, предназначенные для хранения энергии.
  • Последующая награда SBIR за разработку силовых устройств на основе SiC на несколько киловольт для высоковольтных источников питания для мощных высокочастотных систем, присужденная Управлением науки Министерства энергетики США..
  • Награда Phase I STTR, посвященная высоковольтным устройствам с оптическим затвором., высокочастотные силовые устройства SiC для сред, богатых электромагнитными помехами, в том числе мощные высокочастотные энергетические системы, и систем оружия направленной энергии.

Наряду с наградами, Компания GeneSiC недавно переехала в расширенную лабораторию и офисное здание в Даллесе., Вирджиния, значительно модернизируя свое оборудование, инфраструктуры и находится в процессе добавления дополнительного ключевого персонала.

“GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов., поддерживая это с доступом к обширному набору изготовления, оборудование для характеризации и тестирования,” заключил д-р. Сингх. “Мы считаем, что эти возможности были эффективно подтверждены Министерством энергетики США этими новыми и последующими наградами.”

Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетив www.genesicsemi.com.