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La nuova generazione di diodi SiC di GeneSiC presenta la combinazione di eccellenti caratteristiche dirette e di commutazione con la migliore robustezza della corrente di picco e conducibilità termica.
Caratteristiche:
- Valanga superiore (UIS) Capacità
- Capacità di sovracorrente migliorata
- Figura di merito superiore QC/ioF
- Bassa resistenza termica per una più rapida dissipazione del calore
- 175 ° C Massima temperatura di esercizio
- Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
- Coefficiente di temperatura positivo di VF
- Velocità di commutazione estremamente elevate
Vantaggi:
- Perdite di potenza in standby ridotte
- Efficienza del circuito migliorata (Costo complessivo inferiore)
- Perdite di commutazione basse
- Facilità di collegamento in parallelo dei dispositivi senza fuga termica
- Requisiti del dissipatore di calore più piccoli
- Corrente di recupero inversa bassa
- Bassa capacità del dispositivo
- Corrente di dispersione inversa bassa
Applicazioni:
- Diodo boost nella correzione del fattore di potenza (PFC)
- Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
- Convertitori AC-DC & Convertitori DC-DC
- A ruota libera / Diodo antiparallelo negli inverter
- Gruppi di continuità (UPS)
- Inverter solari & Convertitori di energia eolica
- Veicoli elettrici (EV) & Caricabatterie rapidi DC
- Azionamenti del motore
- Illuminazione a LED e HID
- Sistemi di imaging medico
- Rilevamento ad alta tensione
- Riscaldamento a induzione & Saldatura
- Potenza pulsata
650V SiC Schottky MPS ™
| Corrente diretta, ioF | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |  |  |
|
| 1 UN | GB01SLT06-214 | ||||||
| 4 UN | GE04MPS06E  | GE04MPS06A | |||||
| 6 UN | GE06MPS06E | GE06MPS06A | |||||
| 8 UN | GE08MPS06E | GE08MPS06A | |||||
| 10 UN | GE10MPS06E | GE10MPS06A | |||||
| 12 UN | GE12MPS06A | ||||||
| 16 UN | GE2X8MPS06D | ||||||
| 20 UN | GE2X10MPS06D | ||||||
| 30 UN | GD30MPS06J | GD30MPS06A | GD30MPS06H | ||||
| 60 UN | GD60MPS06H | GD2X30MPS06N |
|||||
| 120 UN | GD2X60MPS06N |
||||||
| 200 UN | GD2X100MPS06N |
||||||
| 300 UN | GD2X150MPS06N |
1200V SiC Schottky MPS ™
| Corrente diretta, ioF | Chip nudo | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | | | | | | |
||
| 1 UN | GB01SLT12-214 | GB01SLT12-252 | ||||||
| 2 UN | GB02SLT12-214 | GD02MPS12E | GC02MPS12-220 | |||||
| 5 UN | GC05MPS12-252 | |||||||
| 7.5 UN | GC08MPS12-252 | GC08MPS12-220 | ||||||
| 10 UN | GD10MPS12E | GD10MPS12A | GC2X5MPS12-247 | |||||
| 15 UN | GC15MPS12-220 | GC15MPS12-247 | GC2X8MPS12-247 | |||||
| 20 UN | GD20MPS12A | GD20MPS12H | GC2X10MPS12-247 | |||||
| 30 UN | GD30MPS12-CAL | GD30MPS12J | GD30MPS12A | GD30MPS12H | GC2X15MPS12-247 | |||
| 40 UN | GD2X20MPS12D | |||||||
| 50 UN | GD50MPS12-CAL | GD50MPS12H | ||||||
| 60 UN | GD2X30MPS12D | GD2X30MPS12N |
||||||
| 100 UN | GD100MPS12-CAL | GD2X50MPS12N |
||||||
| 200 UN | GD2X100MPS12N |
1700V SiC Schottky MPS ™
| Corrente diretta, ioF | Chip nudo | TO-263-7 | TO-247-2 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|
| | | |
|
| 5 UN | GB05MPS17-263 | GD05MPS17H | ||
| 10 UN | GD10MPS17H | |||
| 15 UN | GD15MPS17H | |||
| 25 UN | GD25MPS17H | |||
| 50 UN | GD2X25MPS17N |
|||
| 60 UN | GD60MPS17H | |||
| 75 UN | GD75MPS17-CAL | |||
| 150 UN | GD2X75MPS17N |
3300V SiC Schottky MPS ™
| Corrente diretta, ioF | Chip nudo | DO-214 | TO-220-FP | TO-263-7 | TO-247-2 |
|---|---|---|---|---|---|
| |  | | |
|
| 0.3 UN | GAP3SHT33-CAU | GAP3SLT33-214 | GAP3SLT33-220FP | ||
| 5UN | GB05MPS33-263 | ||||
| 50 UN | GC50MPS33-CAL | GC50MPS33H |
