GeneSiC è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti.
GeneSiC la tecnologia svolge un ruolo chiave nel risparmio energetico in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. La nostra tecnologia consente una raccolta efficiente di fonti di energia rinnovabile.
GeneSiC i componenti elettronici funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede di raggiungere $1 miliardi di 2022.
La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.
Se sei interessato a contattare GeneSiC in merito alle relazioni con gli investitori, si prega di inviare una mail a investitori@genesicsemi.com
Presidente
 | Dott. Ranbir Singh ha fondato GeneSiC Semiconductor Inc. nel 2004. In precedenza ha condotto ricerche sui dispositivi di alimentazione SiC presso Cree Inc, e poi al NIST, Gaithersburg, MD. Ha sviluppato conoscenze critiche e pubblicato su un'ampia gamma di dispositivi di alimentazione SiC, incluso PiN, Diodi JBS e Schottky, MOSFET, IGBT, Tiristori e tiristori a controllo di campo. Ha conseguito il dottorato di ricerca. e MS in Ingegneria Elettrica e Informatica, dalla North Carolina State University, Raleigh, NC, e B. Tecnologia dell'Indian Institute of Technology, Delhi. In 2012, EE Times ha nominato il dott. Singh come tra "Quaranta innovatori che costruiscono le basi dell'industria elettronica di prossima generazione." In 2011, ha vinto la R&Premio D100 per i suoi sforzi nella commercializzazione di tiristori SiC da 6,5 kV. Ha pubblicato oltre 200 articoli di riviste e conferenze, è un autore in over 30 ha rilasciato brevetti statunitensi, e ha scritto un libro. |
Vicepresidente della tecnologia
 | Dott. Siddarth Sundaresan è il vicepresidente della tecnologia di GeneSiC. Ha ricevuto il suo M.S. e Ph.D. lauree in Ingegneria Elettrica presso la George Mason University di 2004 e 2007, rispettivamente. Dott. Sundaresan ha pubblicato più di 65 articoli tecnici e atti di convegni sul dispositivo, materiali e aspetti di lavorazione dei dispositivi di potenza fabbricati su SiC e GaN. Ha fatto parte del comitato del programma tecnico della Conferenza internazionale su SiC e materiali correlati (ICSCRM) ed è attualmente membro del comitato tecnico per il Simposio internazionale sui dispositivi e circuiti integrati di potenza (ISPSD). |
