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Die neue Generation von SiC-Dioden von GeneSiC bietet die Kombination von hervorragenden Vorwärts- und Schalteigenschaften mit erstklassiger Stoßstrom-Robustheit und Wärmeleitfähigkeit.
Eigenschaften:
- Überlegene Lawine (UIS) Fähigkeit
- Verbesserte Stoßstromfähigkeit
- Überlegene Verdienstzahl Q.C/ichF.
- Geringer Wärmewiderstand für schnellere Wärmeableitung
- 175 ° C Maximale Betriebstemperatur
- Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
- Positiver Temperaturkoeffizient von V.F.
- Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Vorteile:
- Niedrige Standby-Stromausfälle
- Verbesserte Schaltungseffizienz (Niedrigere Gesamtkosten)
- Geringe Schaltverluste
- Einfache Parallelisierung von Geräten ohne thermisches Durchgehen
- Kleinere Kühlkörperanforderungen
- Niedriger Rückgewinnungsstrom
- Geringe Gerätekapazität
- Niedriger Rückstrom
Anwendungen:
- Boost-Diode bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Netzteile im Schaltmodus (SMPS)
- AC-DC-Wandler & DC-DC-Wandler
- Freilauf / Antiparallele Diode in Wechselrichtern
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Solar Wechselrichter & Windenergiekonverter
- Elektrische Fahrzeuge (EVs) & DC-Schnellladegeräte
- Motorantriebe
- LED- und HID-Beleuchtung
- Medizinische Bildgebungssysteme
- Hochspannungsmessung
- Induktionsheizung & Schweißen
- Gepulste Kraft
650V SiC Schottky MPS ™
| Vorwärtsstrom, ichF. | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |  |  |
|
| 1 EIN | GB01SLT06-214 | ||||||
| 4 EIN | GE04MPS06E  | GE04MPS06A | |||||
| 6 EIN | GE06MPS06E | GE06MPS06A | |||||
| 8 EIN | GE08MPS06E | GE08MPS06A | |||||
| 10 EIN | GE10MPS06E | GE10MPS06A | |||||
| 12 EIN | GE12MPS06A | ||||||
| 16 EIN | GE2X8MPS06D | ||||||
| 20 EIN | GE2X10MPS06D | ||||||
| 30 EIN | GD30MPS06J | GD30MPS06A | GD30MPS06H | ||||
| 60 EIN | GD60MPS06H | GD2X30MPS06N |
|||||
| 120 EIN | GD2X60MPS06N |
||||||
| 200 EIN | GD2X100MPS06N |
||||||
| 300 EIN | GD2X150MPS06N |
1200V SiC Schottky MPS ™
| Vorwärtsstrom, ichF. | Nackter Chip | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | | | | | | |
||
| 1 EIN | GB01SLT12-214 | GB01SLT12-252 | ||||||
| 2 EIN | GB02SLT12-214 | GD02MPS12E | GC02MPS12-220 | |||||
| 5 EIN | GC05MPS12-252 | |||||||
| 7.5 EIN | GC08MPS12-252 | GC08MPS12-220 | ||||||
| 10 EIN | GD10MPS12E | GD10MPS12A | GC2X5MPS12-247 | |||||
| 15 EIN | GC15MPS12-220 | GC15MPS12-247 | GC2X8MPS12-247 | |||||
| 20 EIN | GD20MPS12A | GD20MPS12H | GC2X10MPS12-247 | |||||
| 30 EIN | GD30MPS12-CAL | GD30MPS12J | GD30MPS12A | GD30MPS12H | GC2X15MPS12-247 | |||
| 40 EIN | GD2X20MPS12D | |||||||
| 50 EIN | GD50MPS12-CAL | GD50MPS12H | ||||||
| 60 EIN | GD2X30MPS12D | GD2X30MPS12N |
||||||
| 100 EIN | GD100MPS12-CAL | GD2X50MPS12N |
||||||
| 200 EIN | GD2X100MPS12N |
1700V SiC Schottky MPS ™
| Vorwärtsstrom, ichF. | Nackter Chip | TO-263-7 | TO-247-2 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|
| | | |
|
| 5 EIN | GB05MPS17-263 | GD05MPS17H | ||
| 10 EIN | GD10MPS17H | |||
| 15 EIN | GD15MPS17H | |||
| 25 EIN | GD25MPS17H | |||
| 50 EIN | GD2X25MPS17N |
|||
| 60 EIN | GD60MPS17H | |||
| 75 EIN | GD75MPS17-CAL | |||
| 150 EIN | GD2X75MPS17N |
3300V SiC Schottky MPS ™
| Vorwärtsstrom, ichF. | Nackter Chip | DO-214 | TO-220-FP | TO-263-7 | TO-247-2 |
|---|---|---|---|---|---|
| |  | | |
|
| 0.3 EIN | GAP3SHT33-CAU | GAP3SLT33-214 | GAP3SLT33-220FP | ||
| 5EIN | GB05MPS33-263 | ||||
| 50 EIN | GC50MPS33-CAL | GC50MPS33H |
