GeneSiC ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbidtechnologie, Gleichzeitig wurde in leistungsstarke Siliziumtechnologien investiert. Die weltweit führenden Hersteller von Industrie- und Verteidigungssystemen sind auf die Technologie von GeneSiC angewiesen, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern.
GeneSiC Technologie spielt eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. Unsere Technologie ermöglicht eine effiziente Ernte erneuerbarer Energiequellen.
GeneSiC elektronische Komponenten laufen kühler, schneller, und wirtschaftlicher. Wir halten führende Patente für Breitbandlücken-Stromversorgungsgerätetechnologien; ein Markt, der voraussichtlich erreichen wird $1 Milliarden von 2022.
Unsere Kernkompetenz ist es, unseren Kunden mehr Wert zu bieten’ Endprodukt. Unsere Leistungs- und Kostenmetriken setzen Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie.
Wenn Sie sich bezüglich Investor Relations an GeneSiC wenden möchten, Bitte senden Sie eine E-Mail an investoren@genesicsemi.com
Präsident
 | DR. Ranbir Singh gründete GeneSiC Semiconductor Inc.. im 2004. Zuvor forschte er zunächst bei Cree Inc. An SiC-Leistungsgeräten, und dann beim NIST, Gaithersburg, MD. Er hat ein kritisches Verständnis entwickelt und auf einer Vielzahl von SiC-Leistungsgeräten einschließlich PiN veröffentlicht, JBS- und Schottky-Dioden, MOSFETs, IGBTs, Thyristoren und feldgesteuerte Thyristoren. Er promovierte. und MS-Abschlüsse in Elektrotechnik und Informationstechnik, von der North Carolina State University, Raleigh, NC, und B. Tech vom Indian Institute of Technology, Delhi. Im 2012, EE Times mit dem Namen Dr.. Singh als unter "Vierzig Innovatoren bilden die Grundlage für die Elektronikindustrie der nächsten Generation." Im 2011, er gewann die R.&D100-Auszeichnung für seine Bemühungen zur Vermarktung von 6,5-kV-SiC-Thyristoren. Er hat über veröffentlicht 200 Zeitschriften- und Konferenzbeiträge, ist ein Autor über 30 erteilte US-Patente, und hat ein Buch verfasst. |
Vizepräsident für Technologie
 | DR. Siddarth Sundaresan ist Vice President of Technology bei GeneSiC. Er erhielt seinen M.S.. und Ph.D.. Abschluss in Elektrotechnik an der George Mason University in 2004 und 2007, beziehungsweise. DR. Sundaresan hat mehr als veröffentlicht 65 Fachartikel und Konferenzberichte zum Gerät, Material- und Verarbeitungsaspekte von auf SiC und GaN hergestellten Leistungsvorrichtungen. Er war Mitglied des technischen Programmkomitees der Internationalen Konferenz für SiC und verwandte Materialien (ICSCRM) und ist derzeit Mitglied des Technischen Komitees für das Internationale Symposium für Leistungshalbleiterbauelemente und ICs (ISPSD). |
