Die neue Generation von SiC-Dioden von GeneSiC bietet die Kombination von hervorragenden Vorwärts- und Schalteigenschaften mit erstklassiger Stoßstrom-Robustheit und Wärmeleitfähigkeit.
Eigenschaften:
- Überlegene Lawine (UIS) Fähigkeit
- Verbesserte Stoßstromfähigkeit
- Überlegene Verdienstzahl Q.C/ichF.
- Geringer Wärmewiderstand für schnellere Wärmeableitung
- 175 ° C Maximale Betriebstemperatur
- Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
- Positiver Temperaturkoeffizient von V.F.
- Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Vorteile:
- Niedrige Standby-Stromausfälle
- Verbesserte Schaltungseffizienz (Niedrigere Gesamtkosten)
- Geringe Schaltverluste
- Einfache Parallelisierung von Geräten ohne thermisches Durchgehen
- Kleinere Kühlkörperanforderungen
- Niedriger Rückgewinnungsstrom
- Geringe Gerätekapazität
- Niedriger Rückstrom
Anwendungen:
- Boost-Diode bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
- Netzteile im Schaltmodus (SMPS)
- AC-DC-Wandler & DC-DC-Wandler
- Freilauf / Antiparallele Diode in Wechselrichtern
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Solar Wechselrichter & Windenergiekonverter
- Elektrische Fahrzeuge (EVs) & DC-Schnellladegeräte
- Motorantriebe
- LED- und HID-Beleuchtung
- Medizinische Bildgebungssysteme
- Hochspannungsmessung
- Induktionsheizung & Schweißen
- Gepulste Kraft
650V SiC Schottky MPS ™
Vorwärtsstrom, ichF. | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
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1 EIN | GB01SLT06-214 | ||||||
4 EIN | GE04MPS06E ![]() | GE04MPS06A ![]() | |||||
6 EIN | GE06MPS06E ![]() | GE06MPS06A ![]() | |||||
8 EIN | GE08MPS06E ![]() | GE08MPS06A ![]() | |||||
10 EIN | GE10MPS06E ![]() | GE10MPS06A ![]() | |||||
12 EIN | GE12MPS06A ![]() | ||||||
16 EIN | GE2X8MPS06D ![]() | ||||||
20 EIN | GE2X10MPS06D ![]() | ||||||
30 EIN | GD30MPS06J ![]() | GD30MPS06A ![]() | GD30MPS06H ![]() | ||||
60 EIN | GD60MPS06H ![]() | GD2X30MPS06N ![]() |
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120 EIN | GD2X60MPS06N ![]() |
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200 EIN | GD2X100MPS06N ![]() |
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300 EIN | GD2X150MPS06N ![]() |
1200V SiC Schottky MPS ™
Vorwärtsstrom, ichF. | Nackter Chip | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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||
1 EIN | GB01SLT12-214 | GB01SLT12-252 | ||||||
2 EIN | GB02SLT12-214 | GD02MPS12E ![]() | GC02MPS12-220 | |||||
5 EIN | GC05MPS12-252 | |||||||
7.5 EIN | GC08MPS12-252 | GC08MPS12-220 | ||||||
10 EIN | GD10MPS12E ![]() | GD10MPS12A ![]() | GC2X5MPS12-247 | |||||
15 EIN | GC15MPS12-220 | GC15MPS12-247 | GC2X8MPS12-247 | |||||
20 EIN | GD20MPS12A ![]() | GD20MPS12H ![]() | GC2X10MPS12-247 | |||||
30 EIN | GD30MPS12-CAL ![]() | GD30MPS12J ![]() | GD30MPS12A ![]() | GD30MPS12H ![]() | GC2X15MPS12-247 | |||
40 EIN | GD2X20MPS12D ![]() | |||||||
50 EIN | GD50MPS12-CAL ![]() | GD50MPS12H ![]() | ||||||
60 EIN | GD2X30MPS12D ![]() | GD2X30MPS12N ![]() |
||||||
100 EIN | GD100MPS12-CAL ![]() | GD2X50MPS12N ![]() |
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200 EIN | GD2X100MPS12N ![]() |
1700V SiC Schottky MPS ™
Vorwärtsstrom, ichF. | Nackter Chip | TO-263-7 | TO-247-2 | SOT-227 |
---|---|---|---|---|
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|
5 EIN | GB05MPS17-263 | GD05MPS17H ![]() | ||
10 EIN | GD10MPS17H ![]() | |||
15 EIN | GD15MPS17H ![]() | |||
25 EIN | GD25MPS17H ![]() | |||
50 EIN | GD2X25MPS17N ![]() |
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60 EIN | GD60MPS17H ![]() | |||
75 EIN | GD75MPS17-CAL ![]() | |||
150 EIN | GD2X75MPS17N ![]() |
3300V SiC Schottky MPS ™
Vorwärtsstrom, ichF. | Nackter Chip | DO-214 | TO-220-FP | TO-263-7 | TO-247-2 |
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|
0.3 EIN | GAP3SHT33-CAU | GAP3SLT33-214 | GAP3SLT33-220FP | ||
5EIN | GB05MPS33-263 | ||||
50 EIN | GC50MPS33-CAL ![]() | GC50MPS33H ![]() |