杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 –新物理让晶闸管达到更高的水平
电网借助确保平稳运行的电子设备提供可靠的电力, 可靠的潮流. 到现在, 基于硅的组件已被依赖, 但他们一直无法处理智能电网的要求. 碳化硅等宽带隙材料 (碳化硅) 提供更好的选择，因为它们能够实现更高的开关速度, 更高的击穿电压, 更低的开关损耗, 和比传统硅基开关更高的结温. 第一个上市的基于 SiC 的器件是超高压碳化硅晶闸管 (碳化硅晶闸管), 由 GeneSiC Semiconductor Inc. 开发。, 杜勒斯, 弗吉尼亚州。, 在桑迪亚国家实验室的支持下, 阿尔伯克基, N.M., 美国. 能源/电力输送部, 和美国. 陆军/军备研究, 开发与工程中心, 皮卡汀尼阿森纳, 新泽西州.
开发人员为此设备采用了不同的操作物理, 它在少数载流子传输和集成的第三终端整流器上运行, 这比其他商用 SiC 器件多一个. 开发人员采用了支持上述评级的新制造技术 6,500 V, 以及用于大电流器件的新栅极阳极设计. 能够在高达的温度下工作 300 C和电流在 80 一个, SiC晶闸管提供高达 10 电压高几倍, 四倍高的阻断电压, 和 100 开关频率比硅晶闸管快几倍.
