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新物理让晶闸管达到更高的水平

杜勒斯, VA, 八月 30, 2011 –新物理让晶闸管达到更高的水平

电网借助确保平稳运行的电子设备提供可靠的电力, 可靠的潮流. 到现在, 基于硅的组件已被依赖, 但他们一直无法处理智能电网的要求. 碳化硅等宽带隙材料 (碳化硅) 提供更好的选择，因为它们能够实现更高的开关速度, 更高的击穿电压, 更低的开关损耗, 和比传统硅基开关更高的结温. 第一个上市的基于 SiC 的器件是超高压碳化硅晶闸管 (碳化硅晶闸管), 由 GeneSiC Semiconductor Inc. 开发。, 杜勒斯, 弗吉尼亚州。, 在桑迪亚国家实验室的支持下, 阿尔伯克基, N.M., 美国. 能源/电力输送部, 和美国. 陆军/军备研究, 开发与工程中心, 皮卡汀尼阿森纳, 新泽西州.

开发人员为此设备采用了不同的操作物理, 它在少数载流子传输和集成的第三终端整流器上运行, 这比其他商用 SiC 器件多一个. 开发人员采用了支持上述评级的新制造技术 6,500 V, 以及用于大电流器件的新栅极阳极设计. 能够在高达的温度下工作 300 C和电流在 80 一个, SiC晶闸管提供高达 10 电压高几倍, 四倍高的阻断电压, 和 100 开关频率比硅晶闸管快几倍.

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GeneSiC赢得久负盛名的R&皮卡汀尼阿森纳

杜勒斯, VA, 七月 14, 2011 — 电阻&D Magazine选择了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作为享有盛誉的接受者 2011 电阻&d 100 皮卡汀尼阿森纳.

GeneSiC半导体公司, 上周，基于碳化硅的功率器件的关键创新者宣布荣获著名的 2011 电阻&d 100 奖. 该奖项表彰GeneSiC引入了最重要的技术之一, 在此期间，多个学科之间最新引入的研发进展 2010. 电阻&D Magazine 认可 GeneSiC 的超高压 SiC 晶闸管能够实现以前从未用于电力电子演示的阻断电压和频率. 的电压额定值 >6.5千伏, 通态电流额定值 80 A 和工作频率 >5 kHz 远高于市场上之前推出的那些. GeneSiC 的晶闸管实现的这些功能使电力电子研究人员能够开发并网逆变器, 灵活的

交流输电系统 (事实) 和高压直流系统 (高压直流). 这将允许可再生能源领域的新发明和产品开发, 太阳能逆变器, 风电逆变器, 和储能行业. 博士. 类别, GeneSiC Semiconductor 总裁评论说：“预计在电力转换领域的研究人员充分认识到 SiC 晶闸管的好处后，固态变电站和风力发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对门控关断能力和脉冲功率能力优化的下一代 SiC 晶闸管，以及 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在 150oC 的结温。”由于该产品于 10 月推出 2010, GeneSiC 已预订多个客户的订单，用于演示使用这些碳化硅晶闸管的先进电力电子硬件. GeneSiC 继续开发其碳化硅晶闸管产品系列. R&D 早期版本的电源转换应用是通过美国部门的 SBIR 资金支持开发的. 能量的. 更先进, 根据与 ARDEC 签订的另一份 SBIR 合同，正在开发脉冲功率优化的 SiC 晶闸管, 美国军队. 利用这些技术发展, 来自 GeneSiC 的内部投资和来自多个客户的商业订单, GeneSiC 能够将这些 UHV 晶闸管作为商业产品提供.

由R主办的第49届年度科技竞赛&《 D杂志》评估了多家公司和行业参与者的作品, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究领域的重要性.

根据R&D杂志, 赢得R&d 100 奖项提供了业界知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是本年度最具创新性的想法之一. 该奖项肯定了GeneSiC在创造基于技术的产品方面的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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多kHz, 向美国研究人员取样的超高压碳化硅晶闸管

杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –在同类产品中的第一个, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化硅晶闸管，用于智能电网应用的电力电子. 这些功率设备的革命性性能优势有望刺激公用事业规模的功率电子硬件的关键创新，以增加分布式能源的可及性和开发 (的). “到现在, 多kV碳化硅 (碳化硅) 美国研究人员尚未公开使用这些功率器件来充分利用SiC功率器件的众所周知的优势，即在5-15kV额定值下具有2-10kHz的工作频率。”评论了博士. 类别, GeneSiC总裁. “ GeneSiC最近完成了许多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶闸管，面向进行可再生能源研究的多个客户, 陆军和海军系统的应用. 具有这些额定值的SiC器件现在正在被更广泛地提供。”

基于碳化硅的晶闸管可提供10倍的更高电压, 100与传统的硅基晶闸管相比，X的开关频率更快，工作温度更高. 这些设备的目标应用研究机会包括通用中压功率转换 (直流输电), 并网太阳能逆变器, 风电逆变器, 脉冲功率, 武器系统, 点火控制, 和触发控制. 现在已经公认超高压 (>10千伏) 碳化硅 (碳化硅) 设备技术将在下一代公用电网中发挥革命性作用. 基于晶闸管的SiC器件可为以下器件提供最高的通态性能 >5 kV设备, 并广泛适用于中压功率转换电路，例如故障电流限制器, AC-DC转换器, 静态无功补偿器和串联补偿器. 基于碳化硅的晶闸管与常规电网元件相似，因此也提供了尽早采用的最佳机会. 部署这些先进的功率半导体技术可以提供 25-30 通过提高电力输送效率来减少用电量的百分比.

博士. Singh继续说道：“在电力转换领域的研究人员将充分意识到SiC晶闸管的优势之后，预计固态变电站和风力涡轮发电机的大规模市场将打开。. 这些第一代 SiC 晶闸管利用了 SiC 晶闸管所实现的最低通态压降和差分导通电阻. 我们打算发布针对栅极控制的关断能力和 >10千伏额定值. 随着我们不断开发高温超高压封装解决方案, 目前的 6.5kV 晶闸管采用完全焊接触点的模块封装, 限制在150oC的结温。” GeneSiC是SiC功率器件领域中快速崛起的创新者，对碳化硅的发展有着坚定的承诺 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件.

位于华盛顿附近, 杜勒斯特区, 维吉尼亚州, GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率和超高压碳化硅 (碳化硅) 设备. 当前的开发项目包括高温整流器, 超级结晶体管 (SJT) 以及各种基于晶闸管的器件. GeneSiC已经或已经与美国主要政府机构签订了主要/分包合同, 包括能源部, 海军, 军队, DARPA, 和国土安全部. 该公司目前正在经历大幅增长, 并聘请合格的人员从事电力设备和探测器的设计, 制造, 和测试. 了解更多, 请拜访 www.genesicsemi.com.