杜勒斯, VA, 二月 25, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列 1700V 和 1200 V 碳化硅结晶体管. 结合高压, 具有高频和高温能力的 SiC 结型晶体管将提高转换效率并减小电力电子设备的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于各种应用，包括服务器, 电信和网络电源, 不间断电源, 太阳能逆变器, 工业电机控制系统, 和井下应用.
GeneSiC 提供的结型晶体管具有超快的开关能力, 方形反向偏压安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损失和开关时间. 这些开关不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 同时提供与 SiC JFET 驱动器的兼容性, 结型晶体管可以很容易地并联，因为它们具有匹配的瞬态特性.
“随着电源系统设计人员不断突破工作频率的极限, 同时仍然要求高电路效率, 需要能够提供性能和生产一致性标准的 SiC 开关. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的晶体管产品可帮助设计人员在更强大的解决方案中实现所有这些,” 博士说. 类别 , GeneSiC半导体总裁.
1700 V 结晶体管技术亮点
- 三种供品—— 110 毫欧 (GA16JT17-247); 250 毫欧 (GA08JT17-247); 和 500 毫欧 (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- 打开/关闭上升/下降时间 <50 典型的纳秒.
1200 V 结晶体管技术亮点
- 两种供品—— 220 毫欧 (GA06JT12-247); 和 460 毫欧 (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- 打开/关闭上升/下降时间 <50 典型的纳秒
所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合 RoHS 的 TO-247 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.
