杜勒斯, VA, 行进 5, 2013 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体公司今天宣布其第二代混合微型模块采用 1200 带坚固硅IGBT的V / 100安培SiC肖特基整流器– GB100XCP12-227. 该产品发布时的性能价格点使许多功率转换应用都可以从降低成本/尺寸/重量/体积的优势中受益，而降低的成本/尺寸/重量/体积是Silicon IGBT / Silicon Rectifier解决方案都不, 纯SiC模块也无法提供. 这些设备旨在用于包括工业电动机在内的各种应用, 太阳能逆变器, 专用设备和电网应用.
SiC肖特基/ Si IGBT微型模块 (联合包装) GeneSiC提供的Si IGBT具有导通压降的正温度系数, 坚固的穿通设计, 高温运行和快速开关特性，可通过商用驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器. 这些共装模块中使用的SiC整流器允许极低的电感封装, 低通态压降且无反向恢复. SOT-227封装提供隔离式底板, 12mm薄型设计，可以非常灵活地用作独立电路元件, 大电流并联配置, 相脚 (两个模块), 或作为斩波电路元件.
“自该产品首次提供以来，我们一直在倾听主要客户的声音 2 几年前. 第二代 1200 V / 100 A Co-pack产品具有低电感设计，适用于高频, 高温应用. 硅二极管的不良高温和反向恢复特性严重限制了IGBT在更高温度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低电容SiC肖特基二极管实现了这一突破性产品” 博士说. 类别, GeneSiC半导体总裁.
1200 V / 100 A Si IGBT / SiC整流器技术亮点
- 通态下降 1.9 伏在 100 一个
- VF 上的正温度系数
- Tjmax = 175°C
- 开启能量损失 23 微焦耳 (典型的).
所有设备都是 100% 测试到全电压/电流额定值，并安装在无卤素, 符合RoHS的行业标准SOT-227封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 大功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流器产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC 已从美国政府机构获得多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, DTRA, 和国土安全部, 以及主要的政府总承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
