Апр 22, 2015 – Презентации силовых устройств на основе GaN и SiC на APEC

май 14, 2015 – GeneSiC начинает предлагать транзисторные диоды с SiC переходом

ноябрь 25, 2014 – Поддержка проектирования электроники предлагается для переключателей с самыми низкими потерями в отрасли

ноябрь 14, 2014 – 1200-SiC-переходные транзисторы V и 1700 В должны бросить вызов SiC MOSFET и кремниевым IGBT

Мар 1, 2015 – Выполнение обещания высокотемпературной работы с устройствами из карбида кремния