Технология силовой электроники
февраль, 2012 – SiC: Прочный силовой полупроводниковый компаунд, с которым нужно считаться
Технология силовой электроники (Стр. 21)
Ноябрь, 2011 – Транзисторы SiC «Super» обеспечивают прорыв в высокотемпературных характеристиках
Энергетические системы Бодо (Стр. 36)
Октябрь, 2011 – Революционные высокотемпературные электрические характеристики SiC «супер» переходных транзисторов
Технология силовой электроники (Стр. 36)
июль, 2011 – 1200 Блок Si IGBT/SiC диодов V/100 A снижает коммутационные потери
Энергетические системы Бодо (Стр. 46)
май, 2011 – 1200 Комплект диодов V/100 A Si IGBT/SiC для силовой электроники