Примечания по применению:
Ан-1 1200 V Диоды Шоттки с температурно-инвариантной высотой барьера и факторами идеальности
Октябрь 2010 Ан-1 1200 V Диоды Шоттки с температурно-инвариантной высотой барьера и факторами идеальности
Ан-2 1200 V SiC JBS-диоды со сверхнизким емкостным зарядом обратного восстановления для приложений с быстрым переключением
Октябрь 2010 Ан-2 1200 V SiC JBS-диоды со сверхнизким емкостным зарядом обратного восстановления для приложений с быстрым переключением
Надежность силового диода SiC AN1001
сентябрь, 2018Надежность силового диода SiC AN1001
AN1002 Описание силового диода Шоттки SiC
сентябрь, 2018AN1002 Описание силового диода Шоттки SiC
Инструкция по использованию модели AN1003 SPICE
Декабрь, 2018Инструкция по использованию модели AN1003 SPICE
Технические статьи:
Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Декабрь, 2005 Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Июн, 2007 Выпрямители SiC PiN высокой мощности
Обнаружение быстрых нейтронов с помощью полуизолирующих детекторов из карбида кремния
Июн, 2008 Обнаружение быстрых нейтронов с помощью полуизолирующих детекторов из карбида кремния
Разработка детекторов излучения на основе полуизолирующего карбида кремния
Октябрь, 2008 Разработка детекторов излучения на основе полуизолирующего карбида кремния
Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
Сентябрь, 2010 Корреляция между временем жизни рекомбинации носителей и прямым падением напряжения в 4H-SiC PiN диодах
