Примечания по применению:
Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
май 2013 Ан-10А на SiC переходных транзисторах (СДТ) с готовыми кремниевыми драйверами затворов IGBT: Концепция одноуровневого привода
Приводные SiC-транзисторы AN-10B (СДТ): Концепция двухуровневого привода ворот
июнь 2013 Приводные SiC-транзисторы AN-10B (СДТ): Концепция двухуровневого привода ворот
Плата двойной импульсной коммутации
Сен 2014 Плата двойной импульсной коммутации
Плата драйвера затвора высокой мощности
Сен 2014 Плата драйвера затвора высокой мощности
Плата драйвера затвора с низким энергопотреблением
Сен 2014 Плата драйвера затвора с низким энергопотреблением
Технические статьи:
1200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения
Сентябрь, 20111200 V-класс 4H-SiC “Супер” Переходные транзисторы с коэффициентом усиления по току 88 и возможность сверхбыстрого переключения
1200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии
ноябрь, 2011 1200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии
Использование обещания SiC при высоких температурах
Фев, 2012 Использование обещания SiC при высоких температурах
Карбид кремния “Супер” Переходные транзисторы, работающие при 500 ° C
Апр, 2012 Карбид кремния “Супер” Переходные транзисторы, работающие при 500 ° C
Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.
май, 2012 Стабильность электрических характеристик SiC транзисторов с «супер» переходом при длительной работе на постоянном токе и в импульсном режиме при различных температурах.
