Nowa generacja diod SiC firmy GeneSiC charakteryzuje się połączeniem doskonałej charakterystyki przewodzenia i przełączania z najlepszą w swojej klasie odpornością na prąd udarowy i przewodnością cieplną.
funkcje:
- Doskonała lawina (UIS) Zdolność
- Zwiększona zdolność do prądu udarowego
- Znakomita zasługa QC/iF
- Niska odporność termiczna dla szybszego rozpraszania ciepła
- 175 ° C Maksymalna temperatura robocza
- Zachowanie przełączania niezależne od temperatury
- Dodatni współczynnik temperaturowy V.F
- Niezwykle szybkie prędkości przełączania
Zalety:
- Niskie straty mocy w trybie czuwania
- Poprawiona wydajność obwodu (Niższy koszt całkowity)
- Niskie straty przełączania
- Łatwość łączenia urządzeń równolegle bez ucieczki termicznej
- Mniejsze wymagania dotyczące radiatora
- Niski prąd odzyskiwania wstecznego
- Niska pojemność urządzenia
- Niski prąd upływu wstecznego
Aplikacje:
- Zwiększenie diody w korekcji współczynnika mocy (PFC)
- Zasilacze impulsowe (SMPS)
- Konwertery AC-DC & Przetwornice DC-DC
- Wolnobieg / Dioda przeciwrównoległa w falownikach
- Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
- Falowniki słoneczne & Przetwornice energii wiatrowej
- Pojazdy elektryczne (EV) & Szybkie ładowarki DC
- Napędy silnikowe
- Oświetlenie LED i HID
- Systemy obrazowania medycznego
- Wykrywanie wysokiego napięcia
- Ogrzewanie indukcyjne & Spawalniczy
- Moc impulsowa
650V SiC Schottky MPS ™
Prąd przewodzenia, iF | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() |
|
1 ZA | GB01SLT06-214 | ||||||
4 ZA | GE04MPS06E ![]() | GE04MPS06A ![]() | |||||
6 ZA | GE06MPS06E ![]() | GE06MPS06A ![]() | |||||
8 ZA | GE08MPS06E ![]() | GE08MPS06A ![]() | |||||
10 ZA | GE10MPS06E ![]() | GE10MPS06A ![]() | |||||
12 ZA | GE12MPS06A ![]() | ||||||
16 ZA | GE2X8MPS06D ![]() | ||||||
20 ZA | GE2X10MPS06D ![]() | ||||||
30 ZA | GD30MPS06J ![]() | GD30MPS06A ![]() | GD30MPS06H ![]() | ||||
60 ZA | GD60MPS06H ![]() | GD2X30MPS06N ![]() |
|||||
120 ZA | GD2X60MPS06N ![]() |
||||||
200 ZA | GD2X100MPS06N ![]() |
||||||
300 ZA | GD2X150MPS06N ![]() |
1200V SiC Schottky MPS ™
Prąd przewodzenia, iF | Bare Chip | DO-214 | TO-252-2 | TO-263-7 | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-247-3 | SOT-227 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() |
||
1 ZA | GB01SLT12-214 | GB01SLT12-252 | ||||||
2 ZA | GB02SLT12-214 | GD02MPS12E ![]() | GC02MPS12-220 | |||||
5 ZA | GC05MPS12-252 | |||||||
7.5 ZA | GC08MPS12-252 | GC08MPS12-220 | ||||||
10 ZA | GD10MPS12E ![]() | GD10MPS12A ![]() | GC2X5MPS12-247 | |||||
15 ZA | GC15MPS12-220 | GC15MPS12-247 | GC2X8MPS12-247 | |||||
20 ZA | GD20MPS12A ![]() | GD20MPS12H ![]() | GC2X10MPS12-247 | |||||
30 ZA | GD30MPS12-CAL ![]() | GD30MPS12J ![]() | GD30MPS12A ![]() | GD30MPS12H ![]() | GC2X15MPS12-247 | |||
40 ZA | GD2X20MPS12D ![]() | |||||||
50 ZA | GD50MPS12-CAL ![]() | GD50MPS12H ![]() | ||||||
60 ZA | GD2X30MPS12D ![]() | GD2X30MPS12N ![]() |
||||||
100 ZA | GD100MPS12-CAL ![]() | GD2X50MPS12N ![]() |
||||||
200 ZA | GD2X100MPS12N ![]() |
1700V SiC Schottky MPS ™
Prąd przewodzenia, iF | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-2 | SOT-227 |
---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | ![]() | ![]() |
|
5 ZA | GB05MPS17-263 | GD05MPS17H ![]() | ||
10 ZA | GD10MPS17H ![]() | |||
15 ZA | GD15MPS17H ![]() | |||
25 ZA | GD25MPS17H ![]() | |||
50 ZA | GD2X25MPS17N ![]() |
|||
60 ZA | GD60MPS17H ![]() | |||
75 ZA | GD75MPS17-CAL ![]() | |||
150 ZA | GD2X75MPS17N ![]() |
3300V SiC Schottky MPS ™
Prąd przewodzenia, iF | Bare Chip | DO-214 | TO-220-FP | TO-263-7 | TO-247-2 |
---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | ![]() | ![]() | ![]() |
|
0.3 ZA | GAP3SHT33-CAU | GAP3SLT33-214 | GAP3SLT33-220FP | ||
5ZA | GB05MPS33-263 | ||||
50 ZA | GC50MPS33-CAL ![]() | GC50MPS33H ![]() |