GeneSiC jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów.
GeneSiC Technologia odgrywa kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Nasza technologia umożliwia wydajne pozyskiwanie odnawialnych źródeł energii.
GeneSiC elementy elektroniczne działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie. Posiadamy wiodące patenty na technologie szerokopasmowych urządzeń zasilających; rynek, na który ma dotrzeć $1 miliardów 2022.
Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.
Jeśli jesteś zainteresowany kontaktem z GeneSiC w sprawie relacji inwestorskich, wyślij e-mail na adres inwestorów@genesicsemi.com
Prezydent
 | dr. Ranbir Singh założył firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. w 2004. Wcześniej prowadził badania nad urządzeniami zasilającymi SiC w Cree Inc., a potem w NIST, Gaithersburg, MD. Rozwinął krytyczne zrozumienie i publikował na temat szerokiej gamy urządzeń SiC, w tym PiN, Diody JBS i Schottky, MOSFETY, IGBT, Tyrystory i tyrystory kontrolowane przez pole. Otrzymał stopień doktora. i magisterium z inżynierii elektrycznej i komputerowej, z North Carolina State University, Raleigh, NC, oraz b. Tech z Indian Institute of Technology, Delhi. W 2012, EE Times nazwał Dr.. Singh jak wśród "Czterdziestu innowatorów budujących podstawy przemysłu elektronicznego nowej generacji." W 2011, wygrał R&Nagroda D100 za jego wysiłki w komercjalizacji tyrystorów SiC 6,5 kV. Opublikował ponad 200 artykuły z czasopism i konferencji, jest autorem na koniec 30 wydane patenty w USA, i jest autorem książki. |
Wiceprezes ds. Technologii
 | dr. Siddarth Sundaresan jest wiceprezesem ds. Technologii w GeneSiC. Otrzymał tytuł M.S. i Ph.D. studia magisterskie z elektrotechniki na George Mason University w 2004 i 2007, odpowiednio. dr. Sundaresan opublikował więcej niż 65 artykuły techniczne i materiały konferencyjne na urządzeniu, materiały i aspekty przetwarzania urządzeń energetycznych wytwarzanych na SiC i GaN. Był członkiem technicznego komitetu programowego Międzynarodowej Konferencji SiC i materiałów pokrewnych (ICSCRM) i jest obecnym członkiem komitetu technicznego Międzynarodowego Sympozjum Półprzewodników Mocy i układów scalonych (ISPSD). |
