Diody SiC Schottky'ego w SMB (DO-214) pakiety oferują najmniejsze ślady
Wysokie napięcie, Reverse Recovery-free SiC Schottky Diodes to critically enable Solar Inverters and High Voltage assemblies by offering smallest form factor surface mount capabilities Dulles, Wirginia., Listopad 19, 2013 —…
Prostowniki Schottky'ego z węglika krzemu rozszerzone do 3300 Oceny woltowe
High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages Thief River Falls/Dulles, Wirginia., Może 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a…
Silicon Carbide Bare Die do 8000 Oceny V od GeneSiC
High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching Dulles, Wirginia., Listopad 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and…
Hybrydowe moduły prostownika SiC Schottky'ego / Si IGBT firmy GeneSiC umożliwiają pracę w temperaturze 175 ° C
ĆWICZENIA, VA, Marsz 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność jej…
GeneSiC wprowadza tranzystory złączowe z węglika krzemu
ĆWICZENIA, VA, Luty 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność…