ĆWICZENIA, VA, Luty 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC. Zawierające wysokie napięcie, Tranzystory złączowe SiC przystosowane do wysokich częstotliwości i wysokich temperatur zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość energoelektroniki. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych aplikacjach, w tym w serwerze, zasilacze telekomunikacyjne i sieciowe, zasilacze bezprzerwowe, falowniki słoneczne, systemy sterowania silnikami przemysłowymi, i zastosowań wiertniczych.
Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Tranzystory złączowe można łatwo łączyć równolegle ze względu na ich pasującą charakterystykę przejściową.
“Ponieważ projektanci systemów elektroenergetycznych nadal przesuwają granice częstotliwości roboczej, jednocześnie wymagając wysokich sprawności obwodów, potrzeba przełączników SiC, które mogą zaoferować standard wydajności i jednolitość produkcji. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty tranzystorowe firmy GeneSiC pomagają projektantom osiągnąć to wszystko w bardziej niezawodnym rozwiązaniu,” powiedział Dr. Ranbir Singh , Prezes GeneSiC Semiconductor.
1700 Najważniejsze dane techniczne tranzystora V Junction
- Trzy ofiary - 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); i 500 mOhm (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175 ° C
- Włącz / wyłącz czasy wzrostu / spadku <50 typowe nanosekundy.
1200 Najważniejsze dane techniczne tranzystora V Junction
- Dwie ofiary - 220 mOhm (GA06JT12-247); i 460 mOhm (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175 ° C
- Włącz / wyłącz czasy wzrostu / spadku <50 typowe nanosekundy
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Pakiety TO-247 zgodne z RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.
