ĆWICZENIA, VA, Marsz 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność swoich hybrydowych mini-modułów drugiej generacji przy użyciu 1200 Prostowniki Schottky'ego V / 100 A SiC z wytrzymałymi krzemowymi tranzystorami IGBT - GB100XCP12-227. Punkt ceny wydajności, w którym ten produkt jest wprowadzany na rynek, pozwala wielu aplikacjom do konwersji energii skorzystać z obniżenia kosztów / rozmiaru / wagi / objętości, których nie ma w przypadku rozwiązania krzemowego IGBT / krzemowego prostownika, ani czysty moduł SiC nie może zaoferować. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w silnikach przemysłowych, falowniki słoneczne, specjalistyczny sprzęt i zastosowania w sieciach elektroenergetycznych.
Mini-moduły SiC Schottky / Si IGBT (Co-paczki) oferowane przez GeneSiC są wykonane z Si IGBT, które wykazują dodatni współczynnik temperaturowy spadku stanu włączenia, solidna, przebijająca konstrukcja, praca w wysokiej temperaturze i szybkie przełączanie, które mogą być napędzane przez komercyjne, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT. Prostowniki SiC zastosowane w tych modułach Co-pack pozwalają na uzyskanie pakietów o bardzo niskiej indukcyjności, niski spadek napięcia w stanie włączenia i brak powrotu do tyłu. Pakiet SOT-227 oferuje izolowaną płytę bazową, 12mm niskoprofilowa konstrukcja, która może być bardzo elastycznie używana jako samodzielny element obwodu, konfiguracja równoległa wysokoprądowa, Etap Etapu (dwa moduły), lub jako element obwodu przerywacza.
“Słuchaliśmy naszych kluczowych klientów prawie od pierwszej oferty tego produktu 2 lata wstecz. To drugie pokolenie 1200 V / 100 A Co-pack ma konstrukcję o niskiej indukcyjności, która jest odpowiednia dla wysokich częstotliwości, aplikacje wysokotemperaturowe. Słabe właściwości diod krzemowych w wysokiej temperaturze i odwrotnym odzyskiwaniu krytycznie ograniczają użycie IGBT w wyższych temperaturach. Niski VF w GeneSiC, Diody SiC Schottky o małej pojemności umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
1200 Najważniejsze informacje techniczne prostownika V / 100 A Si IGBT / SiC
- Spadek w stanie 1.9 Faktura VAT 100 ZA
- Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
- Tjmax = 175 ° C
- Straty energii po włączeniu 23 microJoules (typowy).
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Opakowania zgodne ze standardami branżowymi SOT-227 zgodne z RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
