GeneSiC wygrywa 2,53 mln USD od ARPA-E na rozwój urządzeń opartych na tyrystorach z węglika krzemu
ĆWICZENIA, VA, wrzesień 28, 2010 - Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych - Energia (ARPA-E) zawarła umowę o współpracy z zespołem kierowanym przez GeneSiC Semiconductor w celu opracowania powieści…
Siatki oporowe na energię odnawialną GeneSiC Semiconductor $ 1,5 mln z Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych
ĆWICZENIA, VA, listopad 12, 2008 – Departament Energii USA przyznał firmie GeneSiC Semiconductor dwa oddzielne granty o łącznej wartości 1,5 mln USD na opracowanie wysokonapięciowego węglika krzemu (SiC) urządzenia, które…
Komercyjny wpływ węglika krzemu
wrzesień, 2008Komercyjny wpływ węglika krzemu
GeneSiC Semiconductor nagrodzony wielokrotnymi grantami Departamentu Energii USA SBIR i STTR
ĆWICZENIA, VA, Październik 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., szybko rozwijający się innowator wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia, ogłosił, że został nagrodzony trzema odrębnymi…