GeneSiC Semiconductor nagrodzony wielokrotnymi grantami Departamentu Energii USA SBIR i STTR

ĆWICZENIA, VA, Październik 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., szybko rozwijający się innowator wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia, ogłosił, że otrzymał trzy oddzielne dotacje dla małych firm od Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych w roku finansowym 2007. Granty SBIR i STTR zostaną wykorzystane przez GeneSiC do zademonstrowania nowatorskich wysokonapięciowych urządzeń SiC do różnego rodzaju magazynowania energii, sieć energetyczna, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. W miarę jak świat koncentruje się na bardziej wydajnych i oszczędnych rozwiązaniach do zarządzania energią, coraz więcej uwagi poświęca się magazynowaniu energii i sieciom energetycznym..

“Cieszy nas poziom zaufania wyrażany przez różne biura Departamentu Energii USA w odniesieniu do naszych rozwiązań w zakresie urządzeń dużej mocy. Wniesienie tego finansowania do naszych programów zaawansowanych technologii SiC zaowocuje wiodącą w branży linią urządzeń SiC,” skomentował prezes GeneSiC, dr. Ranbir Singh. “Urządzenia opracowywane w ramach tych projektów stanowią obietnicę dostarczenia krytycznej technologii wspomagającej wspieranie wydajniejszej sieci elektroenergetycznej, i otworzy drzwi dla nowej komercyjnej i wojskowej technologii sprzętowej, która pozostaje niezrealizowana ze względu na ograniczenia współczesnych technologii opartych na krzemie.”

Trzy projekty obejmują::

  • Nowa nagroda SBIR Fazy I skoncentrowana na wysokim prądzie, Urządzenia oparte na tyrystorach multi-kV przeznaczone do zastosowań w zakresie magazynowania energii.
  • Kolejna nagroda Phase II SBIR za opracowanie wielokV SiC urządzeń zasilających do zasilaczy wysokiego napięcia dla aplikacji systemów RF dużej mocy przyznana przez DOE Office of Science.
  • Nagroda Phase I STTR skoncentrowana na optycznie bramkowanej wysokonapięciowej, wysokoczęstotliwościowe urządzenia zasilające SiC do środowisk bogatych w zakłócenia elektromagnetyczne, w tym systemy energetyczne RF o dużej mocy, i ukierunkowane systemy uzbrojenia energetycznego,.

Wraz z nagrodami, GeneSiC niedawno przeniósł działalność do rozbudowanego laboratorium i budynku biurowego w Dulles, Wirginia, znacząco unowocześnia swój sprzęt, infrastruktury i jest w trakcie dodawania kolejnych kluczowych pracowników.

“GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów, popierając to z dostępem do obszernego pakietu produkcyjnego, urządzenia do charakteryzacji i testowania,” zakończył Dr. Singh. “Uważamy, że te możliwości zostały skutecznie potwierdzone przez Departament Energii USA dzięki nowym i kolejnym nagrodom.”

Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.