Wysłany dnia

Siatki oporowe na energię odnawialną GeneSiC Semiconductor $ 1,5 mln z Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych

ĆWICZENIA, VA, listopad 12, 2008 – Departament Energii USA przyznał firmie GeneSiC Semiconductor dwa oddzielne granty o łącznej wartości 1,5 mln USD na opracowanie wysokonapięciowego węglika krzemu (SiC) urządzenia, które będą służyć jako kluczowe czynniki umożliwiające wiatr- oraz integracja energii słonecznej z krajową siecią elektroenergetyczną.

„Te nagrody pokazują, że DOE wierzy w możliwości GeneSiC, a także zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne,”Zauważa dr. Ranbir Singh, prezes GeneSiC. "Zintegrowany, wydajna sieć energetyczna ma kluczowe znaczenie dla przyszłości energetycznej kraju - a opracowywane przez nas urządzenia SiC mają kluczowe znaczenie dla przezwyciężenia nieefektywności konwencjonalnych technologii krzemowych ”.

Pierwsza nagroda to grant SBIR w wysokości 750 tys. Dolarów na rozwój technologii fast, ultra-wysokonapięciowe urządzenia bipolarne SiC. Drugi to grant w wysokości 750 000 USD dla STTR fazy II na opracowanie bramkowanych optycznie przełączników SiC dużej mocy.

Węglik krzemu to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, który jest w stanie wytrzymać 10-krotnie większe napięcie i 100-krotnie większy prąd niż krzem, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje i systemy sterowania sieciami elektrycznymi.

konkretnie, te dwie nagrody są dla:

  • Rozwój wysokich częstotliwości, wielokilowoltowe wyłączanie bramki SiC (GTO) urządzenia zasilające. Aplikacje rządowe i komercyjne obejmują systemy zarządzania energią i kondycjonowania statków, przemysł użyteczności publicznej, i obrazowanie medyczne.
  • Projektowanie i produkcja bramkowanych optycznie wysokich napięć, przełączniki SiC dużej mocy. Stosowanie światłowodów do przełączania zasilania jest idealnym rozwiązaniem w środowiskach, w których występują zakłócenia elektromagnetyczne (EMI), oraz aplikacje wymagające bardzo wysokich napięć.

Urządzenia SiC opracowywane przez GeneSiC służą do różnych sposobów magazynowania energii, sieć energetyczna, i zastosowań wojskowych, które są przedmiotem coraz większej uwagi, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

Siedziba poza Waszyngtonem, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, tranzystory polowe (FET) i urządzenia bipolarne, jak również cząstka & detektory fotoniczne. GeneSiC posiada umowy główne / podwykonawcze od głównych agencji rządowych USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC Semiconductor nagrodzony wielokrotnymi grantami Departamentu Energii USA SBIR i STTR

ĆWICZENIA, VA, Październik 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., szybko rozwijający się innowator wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia, ogłosił, że otrzymał trzy oddzielne dotacje dla małych firm od Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych w roku finansowym 2007. Granty SBIR i STTR zostaną wykorzystane przez GeneSiC do zademonstrowania nowatorskich wysokonapięciowych urządzeń SiC do różnego rodzaju magazynowania energii, sieć energetyczna, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. W miarę jak świat koncentruje się na bardziej wydajnych i oszczędnych rozwiązaniach do zarządzania energią, coraz więcej uwagi poświęca się magazynowaniu energii i sieciom energetycznym..

“Cieszy nas poziom zaufania wyrażany przez różne biura Departamentu Energii USA w odniesieniu do naszych rozwiązań w zakresie urządzeń dużej mocy. Wniesienie tego finansowania do naszych programów zaawansowanych technologii SiC zaowocuje wiodącą w branży linią urządzeń SiC,” skomentował prezes GeneSiC, dr. Ranbir Singh. “Urządzenia opracowywane w ramach tych projektów stanowią obietnicę dostarczenia krytycznej technologii wspomagającej wspieranie wydajniejszej sieci elektroenergetycznej, i otworzy drzwi dla nowej komercyjnej i wojskowej technologii sprzętowej, która pozostaje niezrealizowana ze względu na ograniczenia współczesnych technologii opartych na krzemie.”

Trzy projekty obejmują::

  • Nowa nagroda SBIR Fazy I skoncentrowana na wysokim prądzie, Urządzenia oparte na tyrystorach multi-kV przeznaczone do zastosowań w zakresie magazynowania energii.
  • Kolejna nagroda Phase II SBIR za opracowanie wielokV SiC urządzeń zasilających do zasilaczy wysokiego napięcia dla aplikacji systemów RF dużej mocy przyznana przez DOE Office of Science.
  • Nagroda Phase I STTR skoncentrowana na optycznie bramkowanej wysokonapięciowej, wysokoczęstotliwościowe urządzenia zasilające SiC do środowisk bogatych w zakłócenia elektromagnetyczne, w tym systemy energetyczne RF o dużej mocy, i ukierunkowane systemy uzbrojenia energetycznego,.

Wraz z nagrodami, GeneSiC niedawno przeniósł działalność do rozbudowanego laboratorium i budynku biurowego w Dulles, Wirginia, znacząco unowocześnia swój sprzęt, infrastruktury i jest w trakcie dodawania kolejnych kluczowych pracowników.

“GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów, popierając to z dostępem do obszernego pakietu produkcyjnego, urządzenia do charakteryzacji i testowania,” zakończył Dr. Singh. “Uważamy, że te możliwości zostały skutecznie potwierdzone przez Departament Energii USA dzięki nowym i kolejnym nagrodom.”

Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.