Wysłany dnia

GeneSiC wypuszcza na rynek najlepiej działający w branży MPS 1700V SiC Schottky™ diody

ĆWICZENIA, VA, styczeń 7, 2019 — GeneSiC wypuszcza kompleksowe portfolio swoich diod 1700V SiC Schottky MPS™ trzeciej generacji w obudowie TO-247-2

GeneSiC wprowadził GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 i GB50MPS17-247; najbardziej wydajne w branży diody SiC 1700 V dostępne w popularnym zestawie przewlekanym TO-247-2. Te diody SiC 1700 V zastępują ultraszybkie diody odzyskiwania na bazie krzemu i inne starej generacji 1700 V SiC JBS, umożliwiając inżynierom budowanie obwodów przełączających o większej wydajności i wyższej gęstości mocy. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować szybkie ładowarki do pojazdów elektrycznych, napędy silnikowe, zasilacze transportowe i energia odnawialna.

GB50MPS17-247 to dioda scalona PiN-Schottky'ego 1700V 50A SiC, dyskretna dioda mocy SiC o najwyższym prądzie znamionowym w branży. Te nowo uwolnione diody charakteryzują się niskim spadkiem napięcia przewodzenia, zerowe odzyskiwanie do przodu, zero odzysku wstecznego, niska pojemność złącza i są przystosowane do maksymalnej temperatury pracy 175°C. Technologia diody Schottky'ego SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC zapewnia wiodącą w branży odporność lawinową i prąd udarowy (Ifsm) krzepkość, w połączeniu z wysokiej jakości 6-calową odlewnią motoryzacyjną i zaawansowaną, wysoce niezawodną technologią montażu dyskretnego.

Te diody SiC są kompatybilnymi pinami bezpośrednimi zamiennikami innych diod dostępnych w pakiecie TO-247-2. Korzystając z ich niższych strat mocy (chłodniejsza praca) i możliwość przełączania wysokiej częstotliwości, projektanci mogą teraz osiągnąć większą wydajność konwersji i większą gęstość mocy w projektach.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

Multi-kHz, Tyrystory z ultrawysokiego napięcia z węglika krzemu pobrane dla naukowców z USA

ĆWICZENIA, VA, listopad 1, 2010 –To pierwsza w swoim rodzaju oferta, GeneSiC Semiconductor ogłasza dostępność rodziny tyrystorów z węglika krzemu 6,5 kV w trybie SCR do stosowania w energoelektronice w zastosowaniach Smart Grid. Oczekuje się, że rewolucyjne zalety wydajności tych urządzeń zasilających pobudzą kluczowe innowacje w sprzęcie energoelektronicznym na skalę użyteczną w celu zwiększenia dostępności i wykorzystania rozproszonych zasobów energii. (THE). "Do teraz, Węglik krzemu multi-kV (SiC) Urządzenia zasilające nie były otwarcie dostępne dla amerykańskich naukowców, aby w pełni wykorzystać dobrze znane zalety - a mianowicie częstotliwości robocze 2-10 kHz przy wartościach znamionowych 5-15 kV - urządzeń zasilających opartych na SiC ”. skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Firma GeneSiC niedawno zakończyła dostawę wielu 6,5 kV / 40 A, 6.5Tyrystory kV / 60A i 6,5kV / 80A dla wielu klientów prowadzących badania nad energią odnawialną, Zastosowania systemów zasilania armii i marynarki wojennej. Urządzenia SiC z tymi ocenami są obecnie oferowane szerzej. ”

Tyrystory na bazie węglika krzemu zapewniają 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. Docelowe zastosowania, możliwości badawcze dla tych urządzeń, obejmują uniwersalną konwersję mocy średniego napięcia (MVDC), Falowniki słoneczne podłączone do sieci, falowniki wiatrowe,, moc pulsacyjna, systemy uzbrojenia, kontrola zapłonu, i sterowanie spustem. Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej.

dr. Singh kontynuuje: „Oczekuje się, że rynki na dużą skalę półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych zostaną otwarte po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją mocy w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek osiągnięto w tyrystorach SiC. Zamierzamy wypuścić przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem możliwości wyłączania sterowanego bramką i >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5 kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatur złącza 150oC. ” GeneSiC jest szybko rozwijającym się innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest mocno zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

Znajduje się w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC wygrywa 2,53 mln USD od ARPA-E na rozwój urządzeń opartych na tyrystorach z węglika krzemu

ĆWICZENIA, VA, wrzesień 28, 2010 - Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych - Energia (ARPA-E) zawarła umowę o współpracy z zespołem kierowanym przez GeneSiC Semiconductor w celu opracowania nowatorskiego ultrawysokiego napięcia węglika krzemu (SiC) Urządzenia oparte na tyrystorach. Oczekuje się, że urządzenia te będą kluczowymi czynnikami umożliwiającymi integrację wielkoskalowych elektrowni wiatrowych i słonecznych z inteligentną siecią nowej generacji.

„Ta wysoce konkurencyjna nagroda dla GeneSiC pozwoli nam umocnić naszą pozycję lidera technicznego w technologii multi-kV Silicon Carbide, a także nasze zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne w skali sieci z rozwiązaniami półprzewodnikowymi,”Skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Tworzone przez nas tyrystory Multi-kV SiC są kluczową technologią umożliwiającą realizację elastycznych systemów transmisji AC (FAKTY) elementów i wysokiego napięcia DC (HVDC) architektury przewidziane w kierunku zintegrowanego, wydajny, Inteligentna sieć przyszłości. Tyrystory na bazie SiC firmy GeneSiC oferują 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w rozwiązaniach przetwarzania mocy FACTS i HVDC w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. ”

W kwietniu 2010, GeneSiC odpowiedziała na Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) pozyskanie ze strony ARPA-E, która starała się zainwestować w materiały do ​​fundamentalnych postępów w przełącznikach wysokiego napięcia, które mogą przeskoczyć istniejącą wydajność przekształtnika mocy, oferując jednocześnie obniżenie kosztów. Propozycja firmy zatytułowana „Tyrystor z przełączaną anodą z węglika krzemu do konwersji mocy średniego napięcia” została wybrana, aby zapewnić lekką, stan stały, konwersja energii średniego napięcia do zastosowań o dużej mocy, takich jak półprzewodnikowe podstacje elektryczne i generatory turbin wiatrowych. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej. Wybrane innowacje miały wspierać i promować USA. firmom dzięki przywództwu technologicznemu, poprzez wysoce konkurencyjny proces.

Węglik krzemu to półprzewodnikowy materiał nowej generacji o znacznie lepszych właściwościach niż konwencjonalny krzem, na przykład zdolność wytrzymywania napięcia dziesięciokrotnie wyższego - i stokrotnie wyższego od natężenia prądu - w temperaturach dochodzących do 300ºC. Te cechy sprawiają, że idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak pojazdy hybrydowe i elektryczne, energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje, i systemy sterowania siecią elektryczną.

Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Inne obiecujące zastosowania i zalety tych urządzeń obejmują:

  • Systemy zarządzania i kondycjonowania mocy do konwersji średniego napięcia DC poszukiwane w ramach Future Naval Capability (FNC) US Navy, Elektromagnetyczne systemy wyrzutni, systemy broni wysokoenergetycznej i obrazowanie medyczne. Możliwość zwiększenia częstotliwości roboczej 10-100x pozwala na bezprecedensową poprawę wielkości, waga, objętość i ostatecznie, koszt takich systemów.
  • Różnorodne magazynowanie energii, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. Zastosowania magazynowania energii i sieci energetycznej zyskują coraz większą uwagę, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

“Staliśmy się liderem w dziedzinie technologii SiC ultra wysokiego napięcia, wykorzystując nasze podstawowe kompetencje w projektowaniu urządzeń i procesów, oferując szeroki wachlarz produktów, charakteryzacja, i obiekty testowe,”Podsumowuje dr. Singh. „Stanowisko GeneSiC zostało teraz skutecznie potwierdzone przez Departament Środowiska Stanów Zjednoczonych dzięki tej znaczącej dalszej nagrody”.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

Strategicznie zlokalizowany w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedźwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

Siatki oporowe na energię odnawialną GeneSiC Semiconductor $ 1,5 mln z Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych

ĆWICZENIA, VA, listopad 12, 2008 – Departament Energii USA przyznał firmie GeneSiC Semiconductor dwa oddzielne granty o łącznej wartości 1,5 mln USD na opracowanie wysokonapięciowego węglika krzemu (SiC) urządzenia, które będą służyć jako kluczowe czynniki umożliwiające wiatr- oraz integracja energii słonecznej z krajową siecią elektroenergetyczną.

„Te nagrody pokazują, że DOE wierzy w możliwości GeneSiC, a także zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne,”Zauważa dr. Ranbir Singh, prezes GeneSiC. "Zintegrowany, wydajna sieć energetyczna ma kluczowe znaczenie dla przyszłości energetycznej kraju - a opracowywane przez nas urządzenia SiC mają kluczowe znaczenie dla przezwyciężenia nieefektywności konwencjonalnych technologii krzemowych ”.

Pierwsza nagroda to grant SBIR w wysokości 750 tys. Dolarów na rozwój technologii fast, ultra-wysokonapięciowe urządzenia bipolarne SiC. Drugi to grant w wysokości 750 000 USD dla STTR fazy II na opracowanie bramkowanych optycznie przełączników SiC dużej mocy.

Węglik krzemu to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, który jest w stanie wytrzymać 10-krotnie większe napięcie i 100-krotnie większy prąd niż krzem, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje i systemy sterowania sieciami elektrycznymi.

konkretnie, te dwie nagrody są dla:

  • Rozwój wysokich częstotliwości, wielokilowoltowe wyłączanie bramki SiC (GTO) urządzenia zasilające. Aplikacje rządowe i komercyjne obejmują systemy zarządzania energią i kondycjonowania statków, przemysł użyteczności publicznej, i obrazowanie medyczne.
  • Projektowanie i produkcja bramkowanych optycznie wysokich napięć, przełączniki SiC dużej mocy. Stosowanie światłowodów do przełączania zasilania jest idealnym rozwiązaniem w środowiskach, w których występują zakłócenia elektromagnetyczne (EMI), oraz aplikacje wymagające bardzo wysokich napięć.

Urządzenia SiC opracowywane przez GeneSiC służą do różnych sposobów magazynowania energii, sieć energetyczna, i zastosowań wojskowych, które są przedmiotem coraz większej uwagi, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

Siedziba poza Waszyngtonem, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, tranzystory polowe (FET) i urządzenia bipolarne, jak również cząstka & detektory fotoniczne. GeneSiC posiada umowy główne / podwykonawcze od głównych agencji rządowych USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC Semiconductor nagrodzony wielokrotnymi grantami Departamentu Energii USA SBIR i STTR

ĆWICZENIA, VA, Październik 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., szybko rozwijający się innowator wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia, ogłosił, że otrzymał trzy oddzielne dotacje dla małych firm od Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych w roku finansowym 2007. Granty SBIR i STTR zostaną wykorzystane przez GeneSiC do zademonstrowania nowatorskich wysokonapięciowych urządzeń SiC do różnego rodzaju magazynowania energii, sieć energetyczna, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. W miarę jak świat koncentruje się na bardziej wydajnych i oszczędnych rozwiązaniach do zarządzania energią, coraz więcej uwagi poświęca się magazynowaniu energii i sieciom energetycznym..

“Cieszy nas poziom zaufania wyrażany przez różne biura Departamentu Energii USA w odniesieniu do naszych rozwiązań w zakresie urządzeń dużej mocy. Wniesienie tego finansowania do naszych programów zaawansowanych technologii SiC zaowocuje wiodącą w branży linią urządzeń SiC,” skomentował prezes GeneSiC, dr. Ranbir Singh. “Urządzenia opracowywane w ramach tych projektów stanowią obietnicę dostarczenia krytycznej technologii wspomagającej wspieranie wydajniejszej sieci elektroenergetycznej, i otworzy drzwi dla nowej komercyjnej i wojskowej technologii sprzętowej, która pozostaje niezrealizowana ze względu na ograniczenia współczesnych technologii opartych na krzemie.”

Trzy projekty obejmują::

  • Nowa nagroda SBIR Fazy I skoncentrowana na wysokim prądzie, Urządzenia oparte na tyrystorach multi-kV przeznaczone do zastosowań w zakresie magazynowania energii.
  • Kolejna nagroda Phase II SBIR za opracowanie wielokV SiC urządzeń zasilających do zasilaczy wysokiego napięcia dla aplikacji systemów RF dużej mocy przyznana przez DOE Office of Science.
  • Nagroda Phase I STTR skoncentrowana na optycznie bramkowanej wysokonapięciowej, wysokoczęstotliwościowe urządzenia zasilające SiC do środowisk bogatych w zakłócenia elektromagnetyczne, w tym systemy energetyczne RF o dużej mocy, i ukierunkowane systemy uzbrojenia energetycznego,.

Wraz z nagrodami, GeneSiC niedawno przeniósł działalność do rozbudowanego laboratorium i budynku biurowego w Dulles, Wirginia, znacząco unowocześnia swój sprzęt, infrastruktury i jest w trakcie dodawania kolejnych kluczowych pracowników.

“GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów, popierając to z dostępem do obszernego pakietu produkcyjnego, urządzenia do charakteryzacji i testowania,” zakończył Dr. Singh. “Uważamy, że te możliwości zostały skutecznie potwierdzone przez Departament Energii USA dzięki nowym i kolejnym nagrodom.”

Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.