Wysokie napięcie, Diody SiC Schottky'ego bez rewersji odzysku energii, które krytycznie umożliwiają falownikom słonecznym i zespołom wysokonapięciowym, oferując możliwości montażu powierzchniowego w najmniejszej obudowie
Tępy, Wirginia., Listopad 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Półprzewodniki mocy ogłaszają dziś natychmiastową dostępność rodziny zgodnych ze standardami branżowymi małych i średnich firm (JEDEC DO-214AA) pakowane prostowniki SiC w formacie 650 - 3300 Zakres V.. Zawierające te wysokie napięcie, bez odzyskiwania wstecznego, Diody SiC o wysokiej częstotliwości i wysokiej temperaturze zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość zespołów multi-kV. Produkty te są skierowane do falowników mikro-słonecznych, a także obwodów powielaczy napięcia stosowanych w szerokiej gamie rentgenowskich, Zasilacze lasera i generatora cząstek.
Współczesne falowniki mikro-słoneczne i obwody powielaczy napięcia mogą cierpieć z powodu niskiej sprawności obwodu i dużych rozmiarów, ponieważ prądy zwrotne odzysku z prostowników krzemowych. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta się pogarsza, ponieważ wsteczny prąd powrotny w prostownikach krzemowych wzrasta wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Wysokonapięciowe prostowniki SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować mikroinwertery fotowoltaiczne i zespoły wysokiego napięcia. GeneSiC 650 V / 1 A.; 1200 V / 2 A i 3300 Prostowniki Schottky V/0,3 A charakteryzują się zerowym prądem zwrotnym, który nie zmienia się wraz z temperaturą. Plik 3300 Urządzenia o napięciu znamionowym oferują stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu, co pozwala na zmniejszenie stopni powielania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatora wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. SMB (DO-214AA) obudowa overmolded charakteryzuje się standardowym w branży współczynnikiem kształtu do montażu powierzchniowego.
„Te oferty produktów są wynikiem wieloletnich wysiłków rozwojowych w GeneSiC w kierunku oferowania atrakcyjnych urządzeń i pakietów. Uważamy, że współczynnik kształtu SMB jest kluczowym wyróżnikiem na rynku falowników Micro Solar i powielaczy napięcia, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Prostowniki SiC Schottky o niskiej pojemności i ulepszone pakiety SMB umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
1200 Dioda Schottky'ego V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Najważniejsze informacje techniczne
- Typowe VF = 1.5 V
- Tjmax = 175OC
- Reverse Recover Charge = 14 nC.
3300 Dioda Schottky'ego V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Najważniejsze informacje techniczne
- Typowe VF = 1.7 V
- Tjmax = 175OC
- Reverse Recover Charge = 52 nC.
650 Dioda Schottky'ego V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Najważniejsze informacje techniczne
- Typowe VF = 1.5 V
- Tjmax = 175OC
- Reverse Recover Charge = 7 nC.
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Zgodny z RoHS SMB (DO-214AA) pakiety. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
Po więcej informacji, odwiedź https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky
