Wysłany dnia

GeneSiC wprowadza tranzystory złączowe z węglika krzemu

ĆWICZENIA, VA, Luty 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC. Zawierające wysokie napięcie, Tranzystory złączowe SiC przystosowane do wysokich częstotliwości i wysokich temperatur zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość energoelektroniki. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych aplikacjach, w tym w serwerze, zasilacze telekomunikacyjne i sieciowe, zasilacze bezprzerwowe, falowniki słoneczne, systemy sterowania silnikami przemysłowymi, i zastosowań wiertniczych.

Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Tranzystory złączowe można łatwo łączyć równolegle ze względu na ich pasującą charakterystykę przejściową.

“Ponieważ projektanci systemów elektroenergetycznych nadal przesuwają granice częstotliwości roboczej, jednocześnie wymagając wysokich sprawności obwodów, potrzeba przełączników SiC, które mogą zaoferować standard wydajności i jednolitość produkcji. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty tranzystorowe firmy GeneSiC pomagają projektantom osiągnąć to wszystko w bardziej niezawodnym rozwiązaniu,” powiedział Dr. Ranbir Singh , Prezes GeneSiC Semiconductor.

1700 Najważniejsze dane techniczne tranzystora V Junction

  • Trzy ofiary - 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); i 500 mOhm (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Włącz / wyłącz czasy wzrostu / spadku <50 typowe nanosekundy.

1200 Najważniejsze dane techniczne tranzystora V Junction

  • Dwie ofiary - 220 mOhm (GA06JT12-247); i 460 mOhm (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Włącz / wyłącz czasy wzrostu / spadku <50 typowe nanosekundy

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Pakiety TO-247 zgodne z RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

Wysłany dnia

Tyrystor SiC

ĆWICZENIA, VA, Tyrystor SiC 30, 2011 - Nowa fizyka pozwala tyrystorom osiągnąć wyższy poziom

Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC (SiC) Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC (Tyrystor SiC), Tyrystor SiC, Tępy, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Badania nad armią/uzbrojeniem, Centrum Rozwoju i Inżynierii, Picatinny Arsenał, NJ.

Twórcy przyjęli inną fizykę działania tego urządzenia, który działa na zasadzie transportu nośników mniejszościowych i zintegrowanego prostownika terminala trzeciego, czyli o jedno więcej niż inne komercyjne urządzenia SiC. Deweloperzy przyjęli nową technikę wytwarzania, która obsługuje powyższe oceny 6,500 V, a także nowa konstrukcja bramowo-anodowa dla urządzeń wysokoprądowych. Zdolne do pracy w temperaturach do 300 C i prąd w 80 ZA, Tyrystor SiC oferuje do 10 razy wyższe napięcie, czterokrotnie wyższe napięcia blokujące, i 100 razy szybsza częstotliwość przełączania niż tyrystory na bazie krzemu.

Wysłany dnia

GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla urządzeń SiC w zastosowaniach związanych z energią słoneczną i wiatrową podłączonych do sieci

ĆWICZENIA, VA, lipiec 14, 2011 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2011 r&re 100 Nagroda za komercjalizację urządzeń z węglika krzemu o wysokich napięciach znamionowych.

GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających opartych na węgliku krzemu został uhonorowany w zeszłym tygodniu ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2011 r&re 100 Nagroda. Ta nagroda jest uznaniem dla GeneSiC za wprowadzenie jednego z najważniejszych, nowo wprowadzone postępy w dziedzinie badań i rozwoju w wielu dyscyplinach w trakcie 2010. r&Magazyn D docenił ultra-wysokonapięciowy tyrystor SiC firmy GeneSiC za jego zdolność do osiągania blokujących napięć i częstotliwości, których nigdy wcześniej nie wykorzystywano w demonstracjach energoelektroniki. Wartości napięcia >6.5kV, aktualna ocena w stanie włączenia 80 A i częstotliwości robocze >5 kHz są znacznie wyższe niż te wcześniej wprowadzone na rynku. Te możliwości osiągnięte przez tyrystory GeneSiC krytycznie umożliwiają badaczom energoelektroniki opracowywanie inwerterów podłączonych do sieci, Elastyczne

Systemy transmisji prądu przemiennego (FAKTY) i wysokonapięciowe systemy DC (HVDC). Pozwoli to na nowe wynalazki i rozwój produktów w ramach energii odnawialnej, falowniki słoneczne, falowniki wiatrowe,, i sektorach magazynowania energii. dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor skomentował: „Oczekuje się, że rynki na dużą skalę półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych otworzą się po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją mocy w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek osiągnięto w tyrystorach SiC. Zamierzamy wypuścić przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem możliwości wyłączania sterowanego bramką i możliwości zasilania impulsowego oraz >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5 kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatur złącza 150oC. ” Ponieważ ten produkt został wprowadzony na rynek w październiku 2010, GeneSiC zarezerwował zamówienia od wielu klientów na demonstrację zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego tyrystory z węglika krzemu. GeneSiC kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów tyrystorowych z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji do zastosowań związanych z konwersją mocy zostały opracowane dzięki wsparciu finansowemu SBIR z Departamentu USA. energii. Bardziej zaawansowany, Tyrystory SiC zoptymalizowane pod kątem mocy impulsowej są opracowywane w ramach innego kontraktu SBIR z ARDEC, Armia Stanów Zjednoczonych. Korzystanie z tych osiągnięć technicznych, inwestycje wewnętrzne od GeneSiC i zamówienia komercyjne od wielu klientów, Firma GeneSiC była w stanie zaoferować te tyrystory UHV jako produkty komercyjne.

49. coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R.&Magazyn D oceniał wpisy różnych firm i graczy branżowych, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. Sędziami byli redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.

Według R.&Magazyn D., zdobywając R&re 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym w branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód na to, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Ta nagroda jest uznaniem GeneSiC jako światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które zmieniają sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

Półprzewodnik GeneSiC wybrany do prezentacji technologii w 2011 ARPA-E Szczyt Innowacji Energetycznych

ĆWICZENIA, VA, Luty 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor z radością ogłasza swój wybór do prestiżowego pokazu technologicznego podczas ARPA-E Energy Innovation Summit, współgospodarzem Agencji Zaawansowanych Projektów Badawczych Departamentu Energii – Energia (ARPA-E) oraz Organizacji Czystej Technologii i Zrównoważonego Przemysłu (CTSI). Setki najlepszych technologów i najnowocześniejszych organizacji zajmujących się czystymi technologiami rywalizowało o udział w pokazie, korytarz z najbardziej obiecującymi perspektywami Ameryki na wygranie przyszłości w energetyce.

Jako jedna z wybranych organizacji ARPA-E, GeneSiC Semiconductor zaprezentuje swój węglik krzemu prawie 2,000 krajowi przywódcy zbierają się, aby napędzać długoterminową amerykańską konkurencyjność w sektorze energetycznym, w tym najlepszych naukowców, inwestorzy, przedsiębiorcy, kadra kierownicza korporacji i urzędnicy państwowi. Więcej niż 200 przełomowe technologie od laureatów ARPA-E, korporacje, Laboratoria Narodowe i Departament Energii R&Programy D będą prezentowane podczas wydarzenia.

„Ten szczyt skupia organizacje, które rozumieją potrzebę współpracy i partnerstwa w celu wprowadzenia na rynek nowej generacji technologii energetycznych,” powiedział GeneSiC Semiconductor, Prezydent, dr. Ranbir Singh. „To rzadka i ekscytująca okazja, aby tak wielu kluczowych graczy w społeczności energetycznej było razem pod jednym dachem i nie możemy się doczekać dzielenia się naszymi urządzeniami zasilającymi z węglika krzemu z innymi innowatorami i inwestorami podczas pokazu technologii”.

Zespoły badawczo-rozwojowe z 14 Obecni będą również partnerzy Corporate Acceleration, którzy są zaangażowani w komercjalizację technologii, w tym Dow, Bosch, Zastosowane materiały i Lockheed Martin.

Szczyt zawiera również wysokiej klasy prelegentów, w tym U.S. Sekretarz ds. Energii Steven Chu, Dyrektor ARPA-E Arun Majumdar, NAS. Sekretarz Marynarki Wojennej Raymond Mabus, były gubernator Kalifornii Arnold Schwarzenegger i prezes Bank of America Charles Holliday.

Drugi doroczny szczyt ARPA-E Energy Innovation Summit odbędzie się w lutym 28 – Marsz 2, 2011 w Gaylord Convention Center na obrzeżach Waszyngtonu, DC. Aby dowiedzieć się więcej lub zarejestrować, odwiedź: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

GeneSiC Semiconductor Inc. opracowuje urządzenia półprzewodnikowe szerokopasmowe do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, wyłączniki zasilania i urządzenia bipolarne,. GeneSiC wykorzystuje unikalny i obszerny pakiet projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów dla szerokiej gamy rynków o dużej objętości. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, Armia, NASA, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony.

O ARPA-E

Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych – Energia (ARPA-E) to nowa agencja w USA. Departament Energii – i jako pierwszy skupił się wyłącznie na przełomowych technologiach energetycznych, które mogą radykalnie zmienić sposób, w jaki korzystamy z energii. Zamiast prowadzić badania bezpośrednio, ARPA-E inwestuje w wysokie ryzyko, wysoko opłacalne technologie energetyczne opracowywane przez uczelnie, startupy, mały biznes, i korporacje. Nasza kadra łączy najlepszych w branży naukowców, inżynierowie, i menedżerowie ds. inwestycji w celu zidentyfikowania obiecujących rozwiązań najbardziej krytycznych problemów energetycznych w kraju i szybkiego wprowadzenia najlepszych technologii na rynek – co ma kluczowe znaczenie dla zapewnienia narodowego przywództwa globalnego w zakresie technologii i tworzenia nowych amerykańskich gałęzi przemysłu i miejsc pracy. Wizyta www.arpa-e.energy.govpo więcej informacji.

O CTSI

Czysta technologia & Organizacja Zrównoważonego Przemysłu (CTSI), stowarzyszenie branżowe non-profit 501c6, reprezentuje organizacje rozwijające się, komercjalizacja, i wdrażanie energii, woda, i technologie środowiskowe. Czyste technologie oferują bardzo potrzebne rozwiązania rosnących problemów związanych z bezpieczeństwem zasobów i zrównoważonym rozwojem oraz mają kluczowe znaczenie dla utrzymania konkurencyjności gospodarczej. CTSI zrzesza światowych liderów na rzecz rzecznictwa, rozwój społeczny, sieci, i udostępnianie informacji, aby szybciej wprowadzać te potrzebne technologie na rynek. Wizyta www.ct-si.org po więcej informacji.

Wysłany dnia

GeneSiC wygrywa projekt zarządzania energią od NASA w celu wsparcia przyszłych misji eksploracji Wenus

ĆWICZENIA, VA, grudzień 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., kluczowy innowator nowatorskiego węglika krzemu (SiC) urządzenia do wysokich temperatur, duża moc, i aplikacje o ultrawysokim napięciu, ogłasza wybór swojego projektu pt. „Zintegrowane urządzenia tranzystorowo-diodowe SiC Super Junction do modułów sterowania silnikami dużej mocy pracujących na 500 oC” przez Narodową Agencję Aeronautyki i Przestrzeni Kosmicznej USA (NASA) o nagrodę Fazy I SBIR. Ten projekt SBIR koncentruje się na opracowaniu monolitycznej zintegrowanej diody SiC JBS-tranzystora Super Junction (ŚRODEK) urządzenia do pracy w warunkach podobnych do Wenus (500 °C temperatury powierzchni). Opracowane w ramach tego programu urządzenia SiC MIDSJT zostaną wykorzystane do budowy modułów mocy sterowania silnikiem do bezpośredniej integracji z łazikami eksploracyjnymi Venus.

“Cieszymy się z zaufania wyrażonego przez NASA w naszych wysokotemperaturowych rozwiązaniach urządzeń SiC. Projekt ten umożliwi firmie GeneSiC opracowanie wiodących w branży technologii zarządzania energią opartych na SiC dzięki innowacyjnym rozwiązaniom w zakresie urządzeń i opakowań” powiedział Dr. Siddarth Sundaresan, Dyrektor ds. Technologii GeneSiC. “Urządzenia SiC MIDSJT objęte tym programem pozwolą na przetwarzanie mocy na poziomie kilowatów z cyfrową precyzją w temperaturach tak wysokich jak 500 ° C. Oprócz zastosowań w kosmosie, ta nowatorska technologia może zrewolucjonizować krytyczny sprzęt do wiercenia w przemyśle lotniczym i geotermalnym, który wymaga temperatur otoczenia przekraczających 200 ° C. Te obszary zastosowań są obecnie ograniczone przez słabą wydajność w wysokich temperaturach współczesnych technologii urządzeń opartych na krzemie, a nawet SiC, takich jak JFET i MOSFET” on dodał.

GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony.

Wysłany dnia

Multi-kHz, Tyrystory z ultrawysokiego napięcia z węglika krzemu pobrane dla naukowców z USA

ĆWICZENIA, VA, listopad 1, 2010 –To pierwsza w swoim rodzaju oferta, GeneSiC Semiconductor ogłasza dostępność rodziny tyrystorów z węglika krzemu 6,5 kV w trybie SCR do stosowania w energoelektronice w zastosowaniach Smart Grid. Oczekuje się, że rewolucyjne zalety wydajności tych urządzeń zasilających pobudzą kluczowe innowacje w sprzęcie energoelektronicznym na skalę użyteczną w celu zwiększenia dostępności i wykorzystania rozproszonych zasobów energii. (THE). "Do teraz, Węglik krzemu multi-kV (SiC) Urządzenia zasilające nie były otwarcie dostępne dla amerykańskich naukowców, aby w pełni wykorzystać dobrze znane zalety - a mianowicie częstotliwości robocze 2-10 kHz przy wartościach znamionowych 5-15 kV - urządzeń zasilających opartych na SiC ”. skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Firma GeneSiC niedawno zakończyła dostawę wielu 6,5 kV / 40 A, 6.5Tyrystory kV / 60A i 6,5kV / 80A dla wielu klientów prowadzących badania nad energią odnawialną, Zastosowania systemów zasilania armii i marynarki wojennej. Urządzenia SiC z tymi ocenami są obecnie oferowane szerzej. ”

Tyrystory na bazie węglika krzemu zapewniają 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. Docelowe zastosowania, możliwości badawcze dla tych urządzeń, obejmują uniwersalną konwersję mocy średniego napięcia (MVDC), Falowniki słoneczne podłączone do sieci, falowniki wiatrowe,, moc pulsacyjna, systemy uzbrojenia, kontrola zapłonu, i sterowanie spustem. Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej.

dr. Singh kontynuuje: „Oczekuje się, że rynki na dużą skalę półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych zostaną otwarte po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją mocy w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek osiągnięto w tyrystorach SiC. Zamierzamy wypuścić przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem możliwości wyłączania sterowanego bramką i >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5 kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatur złącza 150oC. ” GeneSiC jest szybko rozwijającym się innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest mocno zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

Znajduje się w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC wygrywa 2,53 mln USD od ARPA-E na rozwój urządzeń opartych na tyrystorach z węglika krzemu

ĆWICZENIA, VA, wrzesień 28, 2010 - Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych - Energia (ARPA-E) zawarła umowę o współpracy z zespołem kierowanym przez GeneSiC Semiconductor w celu opracowania nowatorskiego ultrawysokiego napięcia węglika krzemu (SiC) Urządzenia oparte na tyrystorach. Oczekuje się, że urządzenia te będą kluczowymi czynnikami umożliwiającymi integrację wielkoskalowych elektrowni wiatrowych i słonecznych z inteligentną siecią nowej generacji.

„Ta wysoce konkurencyjna nagroda dla GeneSiC pozwoli nam umocnić naszą pozycję lidera technicznego w technologii multi-kV Silicon Carbide, a także nasze zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne w skali sieci z rozwiązaniami półprzewodnikowymi,”Skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Tworzone przez nas tyrystory Multi-kV SiC są kluczową technologią umożliwiającą realizację elastycznych systemów transmisji AC (FAKTY) elementów i wysokiego napięcia DC (HVDC) architektury przewidziane w kierunku zintegrowanego, wydajny, Inteligentna sieć przyszłości. Tyrystory na bazie SiC firmy GeneSiC oferują 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w rozwiązaniach przetwarzania mocy FACTS i HVDC w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. ”

W kwietniu 2010, GeneSiC odpowiedziała na Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) pozyskanie ze strony ARPA-E, która starała się zainwestować w materiały do ​​fundamentalnych postępów w przełącznikach wysokiego napięcia, które mogą przeskoczyć istniejącą wydajność przekształtnika mocy, oferując jednocześnie obniżenie kosztów. Propozycja firmy zatytułowana „Tyrystor z przełączaną anodą z węglika krzemu do konwersji mocy średniego napięcia” została wybrana, aby zapewnić lekką, stan stały, konwersja energii średniego napięcia do zastosowań o dużej mocy, takich jak półprzewodnikowe podstacje elektryczne i generatory turbin wiatrowych. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej. Wybrane innowacje miały wspierać i promować USA. firmom dzięki przywództwu technologicznemu, poprzez wysoce konkurencyjny proces.

Węglik krzemu to półprzewodnikowy materiał nowej generacji o znacznie lepszych właściwościach niż konwencjonalny krzem, na przykład zdolność wytrzymywania napięcia dziesięciokrotnie wyższego - i stokrotnie wyższego od natężenia prądu - w temperaturach dochodzących do 300ºC. Te cechy sprawiają, że idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak pojazdy hybrydowe i elektryczne, energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje, i systemy sterowania siecią elektryczną.

Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Inne obiecujące zastosowania i zalety tych urządzeń obejmują:

  • Systemy zarządzania i kondycjonowania mocy do konwersji średniego napięcia DC poszukiwane w ramach Future Naval Capability (FNC) US Navy, Elektromagnetyczne systemy wyrzutni, systemy broni wysokoenergetycznej i obrazowanie medyczne. Możliwość zwiększenia częstotliwości roboczej 10-100x pozwala na bezprecedensową poprawę wielkości, waga, objętość i ostatecznie, koszt takich systemów.
  • Różnorodne magazynowanie energii, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. Zastosowania magazynowania energii i sieci energetycznej zyskują coraz większą uwagę, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

“Staliśmy się liderem w dziedzinie technologii SiC ultra wysokiego napięcia, wykorzystując nasze podstawowe kompetencje w projektowaniu urządzeń i procesów, oferując szeroki wachlarz produktów, charakteryzacja, i obiekty testowe,”Podsumowuje dr. Singh. „Stanowisko GeneSiC zostało teraz skutecznie potwierdzone przez Departament Środowiska Stanów Zjednoczonych dzięki tej znaczącej dalszej nagrody”.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

Strategicznie zlokalizowany w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedźwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

Siatki oporowe na energię odnawialną GeneSiC Semiconductor $ 1,5 mln z Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych

ĆWICZENIA, VA, listopad 12, 2008 – Departament Energii USA przyznał firmie GeneSiC Semiconductor dwa oddzielne granty o łącznej wartości 1,5 mln USD na opracowanie wysokonapięciowego węglika krzemu (SiC) urządzenia, które będą służyć jako kluczowe czynniki umożliwiające wiatr- oraz integracja energii słonecznej z krajową siecią elektroenergetyczną.

„Te nagrody pokazują, że DOE wierzy w możliwości GeneSiC, a także zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne,”Zauważa dr. Ranbir Singh, prezes GeneSiC. "Zintegrowany, wydajna sieć energetyczna ma kluczowe znaczenie dla przyszłości energetycznej kraju - a opracowywane przez nas urządzenia SiC mają kluczowe znaczenie dla przezwyciężenia nieefektywności konwencjonalnych technologii krzemowych ”.

Pierwsza nagroda to grant SBIR w wysokości 750 tys. Dolarów na rozwój technologii fast, ultra-wysokonapięciowe urządzenia bipolarne SiC. Drugi to grant w wysokości 750 000 USD dla STTR fazy II na opracowanie bramkowanych optycznie przełączników SiC dużej mocy.

Węglik krzemu to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, który jest w stanie wytrzymać 10-krotnie większe napięcie i 100-krotnie większy prąd niż krzem, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje i systemy sterowania sieciami elektrycznymi.

konkretnie, te dwie nagrody są dla:

  • Rozwój wysokich częstotliwości, wielokilowoltowe wyłączanie bramki SiC (GTO) urządzenia zasilające. Aplikacje rządowe i komercyjne obejmują systemy zarządzania energią i kondycjonowania statków, przemysł użyteczności publicznej, i obrazowanie medyczne.
  • Projektowanie i produkcja bramkowanych optycznie wysokich napięć, przełączniki SiC dużej mocy. Stosowanie światłowodów do przełączania zasilania jest idealnym rozwiązaniem w środowiskach, w których występują zakłócenia elektromagnetyczne (EMI), oraz aplikacje wymagające bardzo wysokich napięć.

Urządzenia SiC opracowywane przez GeneSiC służą do różnych sposobów magazynowania energii, sieć energetyczna, i zastosowań wojskowych, które są przedmiotem coraz większej uwagi, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

Siedziba poza Waszyngtonem, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, tranzystory polowe (FET) i urządzenia bipolarne, jak również cząstka & detektory fotoniczne. GeneSiC posiada umowy główne / podwykonawcze od głównych agencji rządowych USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC Semiconductor nagrodzony wielokrotnymi grantami Departamentu Energii USA SBIR i STTR

ĆWICZENIA, VA, Październik 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., szybko rozwijający się innowator wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia, ogłosił, że otrzymał trzy oddzielne dotacje dla małych firm od Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych w roku finansowym 2007. Granty SBIR i STTR zostaną wykorzystane przez GeneSiC do zademonstrowania nowatorskich wysokonapięciowych urządzeń SiC do różnego rodzaju magazynowania energii, sieć energetyczna, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. W miarę jak świat koncentruje się na bardziej wydajnych i oszczędnych rozwiązaniach do zarządzania energią, coraz więcej uwagi poświęca się magazynowaniu energii i sieciom energetycznym..

“Cieszy nas poziom zaufania wyrażany przez różne biura Departamentu Energii USA w odniesieniu do naszych rozwiązań w zakresie urządzeń dużej mocy. Wniesienie tego finansowania do naszych programów zaawansowanych technologii SiC zaowocuje wiodącą w branży linią urządzeń SiC,” skomentował prezes GeneSiC, dr. Ranbir Singh. “Urządzenia opracowywane w ramach tych projektów stanowią obietnicę dostarczenia krytycznej technologii wspomagającej wspieranie wydajniejszej sieci elektroenergetycznej, i otworzy drzwi dla nowej komercyjnej i wojskowej technologii sprzętowej, która pozostaje niezrealizowana ze względu na ograniczenia współczesnych technologii opartych na krzemie.”

Trzy projekty obejmują::

  • Nowa nagroda SBIR Fazy I skoncentrowana na wysokim prądzie, Urządzenia oparte na tyrystorach multi-kV przeznaczone do zastosowań w zakresie magazynowania energii.
  • Kolejna nagroda Phase II SBIR za opracowanie wielokV SiC urządzeń zasilających do zasilaczy wysokiego napięcia dla aplikacji systemów RF dużej mocy przyznana przez DOE Office of Science.
  • Nagroda Phase I STTR skoncentrowana na optycznie bramkowanej wysokonapięciowej, wysokoczęstotliwościowe urządzenia zasilające SiC do środowisk bogatych w zakłócenia elektromagnetyczne, w tym systemy energetyczne RF o dużej mocy, i ukierunkowane systemy uzbrojenia energetycznego,.

Wraz z nagrodami, GeneSiC niedawno przeniósł działalność do rozbudowanego laboratorium i budynku biurowego w Dulles, Wirginia, znacząco unowocześnia swój sprzęt, infrastruktury i jest w trakcie dodawania kolejnych kluczowych pracowników.

“GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów, popierając to z dostępem do obszernego pakietu produkcyjnego, urządzenia do charakteryzacji i testowania,” zakończył Dr. Singh. “Uważamy, że te możliwości zostały skutecznie potwierdzone przez Departament Energii USA dzięki nowym i kolejnym nagrodom.”

Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.