ĆWICZENIA, VA, grudzień 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., kluczowy innowator nowatorskiego węglika krzemu (SiC) urządzenia do wysokich temperatur, duża moc, i aplikacje o ultrawysokim napięciu, ogłasza wybór swojego projektu pt. „Zintegrowane urządzenia tranzystorowo-diodowe SiC Super Junction do modułów sterowania silnikami dużej mocy pracujących na 500 oC” przez Narodową Agencję Aeronautyki i Przestrzeni Kosmicznej USA (NASA) o nagrodę Fazy I SBIR. Ten projekt SBIR koncentruje się na opracowaniu monolitycznej zintegrowanej diody SiC JBS-tranzystora Super Junction (ŚRODEK) urządzenia do pracy w warunkach podobnych do Wenus (500 °C temperatury powierzchni). Opracowane w ramach tego programu urządzenia SiC MIDSJT zostaną wykorzystane do budowy modułów mocy sterowania silnikiem do bezpośredniej integracji z łazikami eksploracyjnymi Venus.
“Cieszymy się z zaufania wyrażonego przez NASA w naszych wysokotemperaturowych rozwiązaniach urządzeń SiC. Projekt ten umożliwi firmie GeneSiC opracowanie wiodących w branży technologii zarządzania energią opartych na SiC dzięki innowacyjnym rozwiązaniom w zakresie urządzeń i opakowań” powiedział Dr. Siddarth Sundaresan, Dyrektor ds. Technologii GeneSiC. “Urządzenia SiC MIDSJT objęte tym programem pozwolą na przetwarzanie mocy na poziomie kilowatów z cyfrową precyzją w temperaturach tak wysokich jak 500 ° C. Oprócz zastosowań w kosmosie, ta nowatorska technologia może zrewolucjonizować krytyczny sprzęt do wiercenia w przemyśle lotniczym i geotermalnym, który wymaga temperatur otoczenia przekraczających 200 ° C. Te obszary zastosowań są obecnie ograniczone przez słabą wydajność w wysokich temperaturach współczesnych technologii urządzeń opartych na krzemie, a nawet SiC, takich jak JFET i MOSFET” on dodał.
GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony.
