Kategoria: Aktualności

Spakowana kombinacja tranzystor-dioda SiC w solidnej, odosobniony, 4-Ołów, opakowanie minimodułu zmniejsza straty energii podczas włączania i umożliwia elastyczne projektowanie obwodów dla przekształtników mocy wysokiej częstotliwości

ĆWICZENIA, VA, Może 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają dziś natychmiastową dostępność 20 mOhm-1200 V SiC Junction Tranzystor-diody w izolowanym, 4-Opakowanie mini-modułu z ołowiem, które umożliwia wyjątkowo niskie straty energii podczas włączania, oferując jednocześnie elastyczność, konstrukcje modułowe w przekształtnikach mocy wysokiej częstotliwości. Zastosowanie wysokiej częstotliwości, Tranzystory i prostowniki SiC o wysokim napięciu i niskiej rezystancji zmniejszą rozmiar/masę/objętość aplikacji elektronicznych wymagających wyższej mocy przy wysokich częstotliwościach roboczych. Urządzenia te są przeznaczone do stosowania w wielu różnych zastosowaniach, w tym nagrzewnicach indukcyjnych, generatory plazmy, szybkie ładowarki, Przetwornice DC-DC, i zasilacze impulsowe.

Spakowane razem tranzystory SiC Junction (SJT)-Prostowniki SiC oferowane przez GeneSiC mają wyjątkowe zastosowanie w zastosowaniach przełączania indukcyjnego, ponieważ SJT są jedynymi przełącznikami szerokopasmowymi >10 mikrosekundowa zdolność powtarzalnego zwarcia;, nawet na 80% napięć znamionowych (na przykład. 960 V jak 1200 Urządzenie V). Oprócz czasów narastania/opadania poniżej 10 nsec i kwadratowego obszaru bezpiecznego działania z polaryzacją wsteczną (RBSOA), terminal Gate Return w nowej konfiguracji znacznie poprawia zdolność do redukcji energii przełączania. Ta nowa klasa produktów oferuje przejściowe straty energii i czasy przełączania, które są niezależne od temperatury złącza. Tranzystory złączowe SiC firmy GeneSiC są wolne od bramek tlenkowych, normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przy niskich napięciach bramki, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC.
Prostowniki SiC Schottky'ego zastosowane w tych minimodułach wykazują niewielkie spadki napięcia w stanie włączenia, dobre wartości prądu udarowego i najniższe w branży prądy upływowe w podwyższonych temperaturach. Niezależne od temperatury, prawie zerowa charakterystyka przełączania z odzyskiem zwrotnym, Prostowniki SiC Schottky'ego są idealnymi kandydatami do stosowania w obwodach o wysokiej sprawności.
“Produkty tranzystorowe i prostownicze firmy GeneSiC SiC są zaprojektowane i wyprodukowane w celu uzyskania niskich strat w stanie załączenia i przełączania. Połączenie tych technologii w innowacyjnym pakiecie zapewnia wzorową wydajność w obwodach mocy wymagających urządzeń opartych na szerokiej przerwie wzbronionej. Opakowanie minimodułu zapewnia dużą elastyczność projektowania do stosowania w różnych obwodach zasilających, takich jak H-Bridge, Falowniki Flyback i wielopoziomowe” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
Produkt wydany dzisiaj zawiera
20 mOhm/1200 V złącze SiC Tranzystor/prostownik w zestawie (GA50SICP12-227):
• Izolowany pakiet SOT-227/mini-blok/izotop
• Wzmocnienie prądu tranzystora (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ograniczone opakowaniem)
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <10 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% testowane na pełne napięcie/prąd znamionowy. Urządzenia są natychmiast dostępne w GeneSiC Autoryzowani Dystrybutorzy.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź: https://192.168.88.14/sic-komercyjny/sic-moduly-copack/

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także moduły diod krzemowych. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, odwierty wiertnicze, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Wysoka temperatura (>210^OC) Tranzystory połączeniowe i prostowniki w małych obudowach z puszek metalowych oferują rewolucyjne korzyści w zakresie wydajności w różnych zastosowaniach, w tym wzmacnianiu, niskoszumowe obwody i elementy sterujące siłownikiem w odwiercie

ĆWICZENIA, VA, Marsz 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność linii kompaktowych, wysokotemperaturowe tranzystory złączowe SiC oraz linia prostowników w obudowach metalowych TO-46. Te oddzielne komponenty są zaprojektowane i wyprodukowane do pracy w temperaturach otoczenia wyższych niż 215^OC. Zastosowanie wysokiej temperatury, tranzystory i prostowniki SiC zdolne do wysokiego napięcia i niskiej rezystancji zmniejszają rozmiar / wagę / objętość aplikacji elektronicznych wymagających obsługi większej mocy w podwyższonych temperaturach. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w wielu różnych obwodach wiertniczych, oprzyrządowanie geotermalne, uruchomienie elektromagnesu, wzmocnienie ogólnego przeznaczenia, i zasilacze impulsowe.

Wysokotemperaturowe tranzystory złączowe SiC (SJT) oferowane przez GeneSiC wykazują czasy narastania / opadania poniżej 10 nsek, co umożliwia >10 Przełączanie MHz, a także kwadratowy obszar bezpiecznego działania z polaryzacją wsteczną (RBSOA). Przejściowe straty energii i czasy przełączania są niezależne od temperatury złącza. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i którymi można się kierować 0/+5 Sterowniki bramek V TTL, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Unikalnymi zaletami SJT w porównaniu z innymi przełącznikami SiC jest jego wyższa długoterminowa niezawodność, >20 możliwość zwarcia usec, i doskonałe zdolności lawinowe. Urządzenia te mogą być używane jako wydajne wzmacniacze, ponieważ obiecują znacznie wyższą liniowość niż jakikolwiek inny przełącznik SiC.

Wysokotemperaturowe prostowniki Schottky'ego SiC oferowane przez GeneSiC wykazują niskie spadki napięcia w stanie włączenia, i najniższe w branży prądy upływowe w podwyższonych temperaturach. Niezależne od temperatury, prawie zerowa charakterystyka przełączania z odzyskiem zwrotnym, Prostowniki SiC Schottky są idealnymi kandydatami do zastosowań o wysokiej sprawności, obwody wysokotemperaturowe. Opakowania puszek metalowych TO-46, a także powiązane procesy pakowania stosowane do tworzenia tych produktów, umożliwiają długotrwałe użytkowanie tam, gdzie wysoka niezawodność ma kluczowe znaczenie.

“Produkty tranzystorowe i prostownikowe firmy GeneSiC są projektowane i produkowane od podstaw, aby umożliwić pracę w wysokich temperaturach. Te kompaktowe SJT w obudowie TO-46 zapewniają wysokie zyski prądowe (>110), 0/+5 Kontrola V TTL, i solidna wydajność. Urządzenia te zapewniają niskie straty przewodzenia i wysoką liniowość. Projektujemy naszą linię prostowników „SHT”, oferować niskie prądy upływowe w wysokich temperaturach. Te produkty w metalowych opakowaniach uzupełniają nasze produkty TO-257 i metalowe SMD wprowadzone na rynek w zeszłym roku, oferując niewielkie rozmiary, rozwiązania odporne na wibracje” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

Wśród wydanych dzisiaj produktów są:

240 Tranzystory złączowe mOhm SiC:

• 300 Napięcie blokujące V.. Numer części GA05JT03-46
• 100 Napięcie blokujące V.. Numer części GA05JT01-46
• Bieżący zysk (godz_FE) >110
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <10 typowe nanosekundy.

Aż do 4 Amperowe wysokotemperaturowe diody Schottky'ego:

• 600 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT06-46
• 300 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT03-46
• 100 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT01-46
• Całkowity ładunek pojemnościowy 9 nC
• T_jmax = 210^OC.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnych wartości napięcia / prądu i umieszczone w metalowych puszkach TO-46. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także moduły diod krzemowych. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, odwierty wiertnicze, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; i https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Płytka sterownika bramki zoptymalizowana pod kątem wysokich prędkości przełączania i modeli opartych na zachowaniu umożliwia inżynierom zajmującym się projektowaniem układów energoelektronicznych weryfikację i ilościowe określenie korzyści z SJT w ocenie na poziomie płytki i symulacji obwodów

ĆWICZENIA, V.A., Listopad 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność płytki ewaluacyjnej sterownika bramki i rozszerzyła wsparcie projektowe dla przełączników o najniższych stratach w branży - tranzystora złączowego SiC (SJT) - z w pełni kwalifikowanym modelem LTSPICE IV. Korzystanie z nowej płyty sterownika bramki, Projektanci obwodów konwersji mocy mogą zweryfikować korzyści płynące z poniżej 15 nanosekund, niezależna od temperatury charakterystyka przełączania tranzystorów złączowych SiC, z niskimi stratami mocy sterownika. Zawiera nowe modele SPICE, Projektanci obwodów mogą łatwo ocenić korzyści, jakie zapewniają układy SJT firmy GeneSiC w celu osiągnięcia wyższego poziomu sprawności niż jest to możliwe w przypadku konwencjonalnych krzemowych przełączników mocy dla urządzeń o porównywalnych wartościach znamionowych.

Tranzystory złączowe SiC mają znacząco inną charakterystykę niż inne technologie tranzystorów SiC, a także tranzystory krzemowe. Płytki sterownika bramki, które mogą zapewnić niskie straty mocy, jednocześnie oferując wysokie prędkości przełączania, były potrzebne do zapewnienia rozwiązań napędowych wykorzystujących zalety tranzystorów złączowych SiC. GeneSiC jest w pełni izolowany GA03IDDJT30-FR4 Płytka sterownika bramki pobiera sygnał 0 / 12V i TTL, aby optymalnie dopasować przebiegi napięcia / prądu wymagane do zapewnienia małych czasów narastania / opadania, przy jednoczesnym zminimalizowaniu ciągłego zapotrzebowania na prąd do utrzymania normalnie wyłączonego przewodu SJT podczas stanu włączenia. Konfiguracja pinów i współczynniki kształtu są podobne do innych tranzystorów SiC. GeneSiC udostępnił również pliki Gerber i BOM dla użytkowników końcowych, aby umożliwić im uwzględnienie korzyści wynikających z wprowadzonych innowacji projektowych sterowników.

SJT oferują dobrze zachowujące się właściwości stanu włączenia i przełączania, ułatwiając tworzenie modeli SPICE opartych na zachowaniu, które są również bardzo zgodne z podstawowymi modelami opartymi na fizyce. Korzystanie z ugruntowanych i zrozumiałych modeli opartych na fizyce, Parametry SPICE zostały wydane po szeroko zakrojonych testach z zachowaniem urządzenia. Modele SPICE firmy GeneSiC są porównywane z danymi mierzonymi eksperymentalnie we wszystkich arkuszach danych urządzeń i mają zastosowanie do wszystkich 1200 V i 1700 Udostępniono tranzystory złączowe V SiC.
SJT firmy GeneSiC są w stanie dostarczać częstotliwości przełączania, które są większe niż 15 razy wyższy niż rozwiązania oparte na IGBT. Ich wyższe częstotliwości przełączania mogą umożliwić stosowanie mniejszych elementów magnetycznych i pojemnościowych, zmniejszając w ten sposób całkowity rozmiar, waga i koszt układów energoelektronicznych.

Ten model SPICE tranzystora złączowego SiC stanowi uzupełnienie wszechstronnego zestawu narzędzi wspomagających projektowanie firmy GeneSiC, dokumentacja techniczna, i informacje o niezawodności, aby zapewnić inżynierom energoelektroniki zasoby projektowe niezbędne do wdrożenia kompleksowej rodziny tranzystorów i prostowników złączowych SiC firmy GeneSiC w następnej generacji systemów zasilania.

Arkusze danych karty sterownika bramki GeneSiC oraz modele SJT SPICE można pobrać z witryny https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Przełączniki SiC oferujące najniższe straty przewodzenia i doskonałą zdolność zwarciową uwalnianą dla obwodów mocy wysokiej częstotliwości

Tępy, Wirginia., Październik 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny niskopornościowych 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC w obudowie TO-247. Zastosowanie wysokiego napięcia, Wysoka częstotliwość, Tranzystory złączowe SiC zdolne do wysokich temperatur i niskiej rezystancji zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość aplikacji energoelektronicznych wymagających wyższych napięć magistrali. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w mikrosieciach prądu stałego, Szybkie ładowarki samochodowe, serwer, zasilacze telekomunikacyjne i sieciowe, zasilacze bezprzerwowe, falowniki słoneczne, Systemy elektrowni wiatrowych, i przemysłowe systemy sterowania silnikami.

Tranzystory złączowe SiC (SJT) oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania (podobny do MOSFETów SiC), kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne sterowniki bramek, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Unikalnymi zaletami SJT w porównaniu z innymi przełącznikami SiC jest jego wyższa długoterminowa niezawodność, >10 możliwość zwarcia usec, i doskonałe zdolności lawinowe

“Te ulepszone SJT oferują znacznie wyższe zyski prądu (>100), bardzo stabilna i solidna wydajność w porównaniu z innymi przełącznikami SiC. SJT firmy GeneSiC oferują wyjątkowo niskie straty przewodzenia przy prądach znamionowych jako doskonałe straty podczas wyłączania w obwodach mocy. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty tranzystorowe firmy GeneSiC pomagają projektantom uzyskać bardziej niezawodne rozwiązanie,” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

1700 Wypuszczenie tranzystora złącza V SiC

• 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
• Bieżący zysk (godz_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <30 typowe nanosekundy.

1200 Wypuszczenie tranzystora złącza V SiC

• 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
• Bieżący zysk (godz_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <30 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Pakiety TO-247 zgodne z RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

Po więcej informacji, odwiedź https://192.168.88.14/komercyjne-sic / sic-junction-tranzystory /

Tranzystor i prostowniki SiC firmy GeneSiC oferują znaczące korzyści w osiąganiu celów Little Box Challenge

Najnowocześniejszy. Tranzystory mocy z węglika krzemu & Prostowniki. Dostępny. Teraz!

GeneSiC posiada szeroką gamę produktów dostępnych obecnie na całym świecie u najlepszych dystrybutorów

Bare Die Chip forma urządzeń SiC dostępna bezpośrednio z fabryki (proszę wypełnić poniższy formularz)

Oddzielny SJTs i Prostowniki w temperaturach znamionowych handlowych (175° C)

Oddzielny HiT SJTs i Prostowniki HiT w wysokiej temperaturze (do 250 ° C)

GeneSiC oferuje najszerszą gamę produktów SiC - w opakowaniach, a także w formacie gołej matrycy, aby zapewnić większą elastyczność projektowania i innowacje. GeneSiC nieustannie dąży do pozostania w czołówce, wprowadzając nowe, innowacyjne produkty. Jeśli nie widzisz dokładnie tego produktu, którego szukasz dzisiaj, możesz to zobaczyć w najbliższej przyszłości.

Obietnica wysokiej temperatury w tranzystorach SiC realizowana za pomocą zgodnych standardowych pakietów branżowych krytycznie poprawi działanie siłowników i zasilaczy wiertniczych i lotniczych

Tępy, Wirginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Power Semiconductors ogłasza dziś natychmiastową dostępność poprzez swoich dystrybutorów i bezpośrednio rodzinę w opakowaniach wysokotemperaturowych 600 Tranzystory złączowe V SiC (SJT) w 3-50 Prąd znamionowy w amperach w standardach branżowych JEDEC w obudowach do montażu powierzchniowego i przelotowego. Zawierające te wysokie temperatury, niski opór, Tranzystory SiC wysokiej częstotliwości w hermetycznych obudowach, lutowie wysokotemperaturowe i hermetyzacja zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość aplikacji do konwersji mocy w wysokiej temperaturze.

Współczesny zasilacz wysokotemperaturowy, obwody sterowania silnikiem i siłowników stosowane w zastosowaniach związanych z ropą / gazem / w odwiertach oraz w przemyśle lotniczym cierpią z powodu braku dostępności realnego wysokotemperaturowego roztworu węglika krzemu. Tranzystory krzemowe mają niską sprawność obwodu i duże rozmiary, ponieważ mają wysokie prądy upływowe i niską, słabą charakterystykę przełączania. Oba te parametry pogarszają się przy wyższych temperaturach złącza. W środowiskach ograniczonych termicznie, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Hermetycznie opakowane tranzystory SiC oferują unikalne właściwości, które mogą zrewolucjonizować możliwości zastosowań wiertniczych i lotniczych. GeneSiC 650 Tranzystory złączowe SiC V / 3-50 A mają prawie zerowe czasy przełączania, które nie zmieniają się wraz z temperaturą. Plik 210^OUrządzenia przystosowane do temperatury złącza C oferują stosunkowo duże marginesy temperaturowe do zastosowań, które działają w ekstremalnych warunkach.

Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Tranzystory złączowe SiC można łatwo łączyć równolegle ze względu na ich pasującą charakterystykę przejściową.

“Ponieważ projektanci aplikacji wiertniczych i kosmicznych nadal przesuwają granice częstotliwości roboczej, jednocześnie wymagając wysokich sprawności obwodów, potrzebują przełączników SiC, które oferują standard wydajności, niezawodność i jednorodność produkcji. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty SJT firmy GeneSiC pomagają projektantom osiągnąć to wszystko w bardziej solidnym rozwiązaniu. Produkty te uzupełniają hermetycznie opakowany prostownik SiC wydany w zeszłym roku przez GeneSiC, oraz gołe matryce wypuszczone na początku tego roku, jednocześnie torując nam drogę do oferowania wysokiej temperatury, niska indukcyjność, moduły mocy w najbliższej przyszłości ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

Izolowany TO-257 z 600 W SJTs:

• 65 mOhm / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm / 8 Amp (2N7637-GA); i 425 mOhm / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.
• Odpowiednia gołe matryce GA20JT06-CAL (w 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (w 2N7637-GA); i GA05JT06-CAL (w 2N7635-GA)

Nieizolowany pakiet prototypowy TO-258 z 600 SJTs

• 25 mOhm / 50 Amp (Pakiet prototypów GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.
• Odpowiednia gołe matryce GA50JT06-CAL (w GA50JT06-258)

Montaż powierzchniowy TO-276 (SMD0,5) z 600 SJTs

• 65 mOhm / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm / 8 Amp (2N7638-GA); i 425 mOhm / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnych wartości znamionowych napięcia / prądu i umieszczone w hermetycznych opakowaniach. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne bezpośrednio w GeneSiC i / lub u autoryzowanych dystrybutorów.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Wysokie napięcie, Diody SiC Schottky'ego bez rewersji odzysku energii, które krytycznie umożliwiają falownikom słonecznym i zespołom wysokonapięciowym, oferując możliwości montażu powierzchniowego w najmniejszej obudowie

Tępy, Wirginia., Listopad 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Półprzewodniki mocy ogłaszają dziś natychmiastową dostępność rodziny zgodnych ze standardami branżowymi małych i średnich firm (JEDEC DO-214AA) pakowane prostowniki SiC w formacie 650 - 3300 Zakres V.. Zawierające te wysokie napięcie, bez odzyskiwania wstecznego, Diody SiC o wysokiej częstotliwości i wysokiej temperaturze zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość zespołów multi-kV. Produkty te są skierowane do falowników mikro-słonecznych, a także obwodów powielaczy napięcia stosowanych w szerokiej gamie rentgenowskich, Zasilacze lasera i generatora cząstek.

Współczesne falowniki mikro-słoneczne i obwody powielaczy napięcia mogą cierpieć z powodu niskiej sprawności obwodu i dużych rozmiarów, ponieważ prądy zwrotne odzysku z prostowników krzemowych. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta się pogarsza, ponieważ wsteczny prąd powrotny w prostownikach krzemowych wzrasta wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Wysokonapięciowe prostowniki SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować mikroinwertery fotowoltaiczne i zespoły wysokiego napięcia. GeneSiC 650 V / 1 A.; 1200 V / 2 A i 3300 Prostowniki Schottky V/0,3 A charakteryzują się zerowym prądem zwrotnym, który nie zmienia się wraz z temperaturą. Plik 3300 Urządzenia o napięciu znamionowym oferują stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu, co pozwala na zmniejszenie stopni powielania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatora wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. SMB (DO-214AA) obudowa overmolded charakteryzuje się standardowym w branży współczynnikiem kształtu do montażu powierzchniowego.

„Te oferty produktów są wynikiem wieloletnich wysiłków rozwojowych w GeneSiC w kierunku oferowania atrakcyjnych urządzeń i pakietów. Uważamy, że współczynnik kształtu SMB jest kluczowym wyróżnikiem na rynku falowników Micro Solar i powielaczy napięcia, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Prostowniki SiC Schottky o niskiej pojemności i ulepszone pakiety SMB umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

1200 Dioda Schottky'ego V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowe VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Reverse Recover Charge = 14 nC.

3300 Dioda Schottky'ego V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowe VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^OC
• Reverse Recover Charge = 52 nC.

650 Dioda Schottky'ego V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowe VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Reverse Recover Charge = 7 nC.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Zgodny z RoHS SMB (DO-214AA) pakiety. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, odwiedź https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

Zespoły wysokonapięciowe, w których można wykorzystać te prostowniki o niskiej pojemności, oferujące niezależne od temperatury zerowe prądy wsteczne powrotne w izolowanych obudowach

Thief River Falls/Dulles, Wirginia., Może 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 3300 V/0.3 Amperowe prostowniki Schottky'ego SiC – GAP3SLT33-220FP. Ten wyjątkowy produkt reprezentuje prostownik SiC o najwyższym napięciu na rynku, i jest specjalnie ukierunkowany na obwody powielacza napięcia i zespoły wysokonapięciowe stosowane w szerokim zakresie promieniowania rentgenowskiego, Zasilacze lasera i generatora cząstek.

Współczesne obwody powielacza napięcia cierpią z powodu niskiej wydajności obwodów i dużych rozmiarów, ponieważ wsteczne prądy powrotne z prostowników krzemowych rozładowują kondensatory połączone równolegle. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta się pogarsza, ponieważ wsteczny prąd powrotny w prostownikach krzemowych wzrasta wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Prostowniki wysokonapięciowe SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować zespoły wysokonapięciowe. GeneSiC 3300 Prostowniki Schottky V/0,3 A charakteryzują się zerowym prądem zwrotnym, który nie zmienia się wraz z temperaturą. To stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu pozwala na zmniejszenie stopni zwielokrotniania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatorów wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. Izolowana izolowana obudowa TO-220 Full Pack charakteryzuje się standardowym w branży kształtem ze zwiększonym odstępem między pinami w zespołach otworów przelotowych.

„Ta oferta produktów pochodzi z lat nieustannych wysiłków w GeneSiC. Wierzymy, że 3300 Ocena V jest kluczowym wyróżnikiem na rynku generatorów wysokiego napięcia, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Niskopojemnościowe prostowniki Schottky'ego SiC umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

3300 Cechy techniczne prostownika V/0.3 A SiC

• Spadek w stanie 1.7 Faktura VAT 0.3 ZA
• Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
• T_jmax = 175^OC
• Ładowanie pojemnościowe 52 nC (typowy).

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Standard przemysłowy zgodny z RoHS TO-220FP (Pełny pakiet) pakiety. Urządzenia są natychmiast dostępne u Autoryzowanego Dystrybutora GeneSiC, Digikey.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, odwiedź www.genesicsemi.com

Obwody i zespoły wysokonapięciowe korzystające z układów SiC, które oferują bezprecedensowe wartości znamionowe napięcia i bardzo szybkie przełączanie

Tępy, Wirginia., Listopad 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 8000 Prostowniki V SiC PiN; 8000 Prostowniki V SiC Schottky'ego, 3300 Prostowniki V SiC Schottky'ego i 6500 Tyrystory V SiC w formie gołej matrycy. Te unikalne produkty reprezentują urządzenia SiC o najwyższym napięciu na rynku, i jest szczególnie ukierunkowany na oprzyrządowanie do ropy i gazu, obwody powielaczy napięcia i zespoły wysokiego napięcia.

Współczesne obwody ultra wysokiego napięcia mają niską sprawność obwodu i duże rozmiary, ponieważ zwrotne prądy odzysku z prostowników krzemowych rozładowują połączone równolegle kondensatory. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta jeszcze bardziej się pogarsza, ponieważ zwrotny prąd powrotny w prostownikach krzemowych rośnie wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Prostowniki wysokonapięciowe SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować zespoły wysokonapięciowe. GeneSiC 8000 V i 3300 Prostowniki V Schottky'ego mają zerowy prąd powrotny, który nie zmienia się wraz z temperaturą. To stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu pozwala na zmniejszenie stopni zwielokrotniania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatorów wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. 8000 Prostowniki V PiN oferują wyższe poziomy prądu i wyższe temperatury pracy. 6500 Dostępne są również chipy tyrystorowe V SiC przyspieszające R.&D nowych systemów.

„Te produkty pokazują silną pozycję GeneSiC w rozwoju chipów SiC w zakresie wielu kV. Wierzymy, że 8000 Klasa V wykracza poza to, co mogą zaoferować urządzenia Silicon w temperaturach znamionowych, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Prostowniki i tyrystory SiC o małej pojemności zapewnią korzyści na poziomie systemu, które wcześniej nie były możliwe” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

8000 Cechy techniczne prostownika V / 2 A SiC Bare Die PiN

• T_jmax = 210^OC
• Odwrotne prądy upływowe < 50 uA w 175^OC
• Reverse Recovery Charge 558 nC (typowy).

8000 V / 50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Najważniejsze dane techniczne

• Całkowita pojemność 25 pF (typowy, w -1 V, 25^OC).
• Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
• T_jmax = 175^OC

6500 Cechy techniczne tyrystora V SiC Bare Die

• Trzy ofiary - 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); i 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^OC

3300 Najważniejsze dane techniczne prostownika typu Bare Die V / 0,3 A SiC

• Spadek w stanie 1.7 Faktura VAT 0.3 ZA
• Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
• T_jmax = 175^OC
• Ładowanie pojemnościowe 52 nC (typowy).

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie