덜스, VA, 팔월 30, 2011 – 새로운 물리학으로 사이리스터가 더 높은 수준에 도달
전력망은 원활한 전력 공급을 보장하는 전자 장치의 도움으로 안정적인 전력을 공급합니다., 안정적인 전력 흐름. 지금까지, 실리콘 기반 어셈블리는, 그러나 그들은 스마트 그리드의 요구 사항을 처리할 수 없었습니다.. 탄화규소와 같은 광대역 갭 재료 (SiC) 더 높은 스위칭 속도가 가능하므로 더 나은 대안 제공, 더 높은 항복 전압, 낮은 스위칭 손실, 기존 실리콘 기반 스위치보다 높은 접합 온도. 시장에 출시된 최초의 SiC 기반 장치는 초고전압 탄화규소 사이리스터입니다. (SiC 사이리스터), GeneSiC Semiconductor Inc.에서 개발한, 덜레스, Va., Sandia 국립 연구소의 지원으로, 앨버커키, N.M., 미국. 에너지/전기배달학과, 그리고 미국. 육군/군비 연구, 개발 및 엔지니어링 센터, 피카티니 아스날, 뉴저지.
개발자는 이 장치에 대해 다른 작동 물리학을 채택했습니다., 소수 캐리어 운송 및 통합 세 번째 터미널 정류기에서 작동하는, 이는 다른 상용 SiC 장치보다 하나 더 많습니다.. 개발자는 위의 등급을 지원하는 새로운 제작 기술을 채택했습니다. 6,500 V, 고전류 장치를 위한 새로운 게이트-양극 설계. 최대 온도에서 수행 가능 300 C 및 현재 80 ㅏ, SiC 사이리스터는 최대 10 배 더 높은 전압, 4배 더 높은 차단 전압, 과 100 실리콘 기반 사이리스터보다 몇 배 더 빠른 스위칭 주파수.
