덜스, VA, 이월 25, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 1700V 및 1700V 제품군의 즉각적인 가용성을 발표했습니다. 1200 V SiC 접합 트랜지스터. 고전압 통합, 고주파 및 고온 가능 SiC 접합 트랜지스터는 변환 효율을 높이고 전력 전자 장치의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이러한 장치는 서버를 포함한 다양한 응용 프로그램에서 사용하기위한 것입니다., 통신 및 네트워킹 전원 공급 장치, 무정전 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 산업용 모터 제어 시스템, 및 다운 홀 애플리케이션.
GeneSiC에서 제공하는 접합 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능을 보여줍니다., 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관 한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 주도 할 수 있습니다., 일반적으로 사용 가능 15 V IGBT 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. SiC JFET 드라이버와의 호환성을 제공하면서, 정션 트랜지스터는 일치하는 과도 특성으로 인해 쉽게 병렬화 될 수 있습니다..
“전력 시스템 설계자가 계속해서 작동 주파수의 한계를 밀어 붙임에 따라, 여전히 높은 회로 효율을 요구하면서, 표준 성능 및 생산 균일 성을 제공 할 수있는 SiC 스위치 필요. 고유 한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 트랜지스터 제품은 설계자가보다 강력한 솔루션으로 모든 것을 달성 할 수 있도록 지원합니다.,” 박사가 말했다. 란 비르 싱 , GeneSiC Semiconductor 회장.
1700 V 접합 트랜지스터 기술 하이라이트
- 세 가지 제품 – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); 과 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175 ° C
- 상승 / 하강 시간 켜기 / 끄기 <50 일반적인 나노초.
1200 V 접합 트랜지스터 기술 하이라이트
- 두 가지 제품 – 220 mOhms (GA06JT12-247); 과 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175 ° C
- 상승 / 하강 시간 켜기 / 끄기 <50 일반적인 나노초
모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 TO-247 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..
