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반도체 에너지, 갈륨 질화물 전력 IC의 업계 리더, GeneSiC 반도체 인수 발표, 실리콘 카바이드의 선구자

 

두번째, 캘리포니아., 8월 15일, 2022 - 에너지반도체 (나스닥: NVTS), 질화갈륨의 업계 리더 (GaN) 전력 IC, 오늘 GeneSiC 반도체 인수 발표, 탄화규소 (SiC) SiC 전력 장치 설계 및 프로세스에 대한 깊은 전문 지식을 갖춘 선구자. GeneSiC의 수익성이 높기 때문에 거래는 즉시 Navitas에 반영됩니다., 이상으로 25% EBITDA 마진. 달력 2022 수익은 대략 $25 연간 성장률이 백만 이상 60%. 결합된 회사는 포괄적인, GaN 및 SiC 모두의 차세대 전력 반도체 분야에서 업계 최고의 기술 포트폴리오를 보유하고 있으며, 총 시장 기회는 $20 연간 10억 2026.

“GeneSiC는 업계 최고의 SiC 기술 개발에 집중하고 성공을 거둔 Navitas의 이상적인 파트너입니다.,"라고 진 셰리던은 말했습니다., 나비타스 CEO 겸 공동 설립자. “Navitas는 글로벌 판매에 상당한 투자를 하고 있습니다., 운영 및 기술 지원 팀, EV 및 데이터 센터의 시스템 설계 센터와 함께. 이러한 기능은 GeneSiC를 완벽하게 보완하며 시너지 효과와 신규 고객 및 시장 모두에서 성장을 더욱 가속화할 것입니다.. 오늘, 우리는 'Electricify Our World™'라는 회사의 사명에서 중요한 발걸음을 내디뎠습니다., 실력 있는, 전기 에너지."

“GeneSiC의 특허 보호, 첨단 기술과 혁신적인, 경험이 풍부한 팀은 우리 회사의 성장에 중요한 요소입니다. 업계 최고의 성능을 제공하는 SiC MOSFET, 신뢰할 수 있음, 및 견고성 - 전기 자동차 및 관련 인프라의 광범위한 채택에 중요한 매개변수,"라고 GeneSiC 사장 Dr.. 란 비르 싱. "거의 20 수년간의 최첨단 R&디, 검증된 플랫폼, ~ 위에 500 다양한 고객, 매출 및 수익성 증가, 우리는 Navitas의 대량 생산 전문성과 시장 출시 전략을 활용하여 SiC 수익을 가속화할 수 있습니다.. 우리는 이 새로운 파트너십에 대해 매우 기쁘게 생각합니다.”

박사. Singh는 GeneSiC 사업부의 부사장으로 Navitas에 합류했으며 Navitas는 GeneSiC 팀의 모든 구성원을 유지할 것으로 예상합니다..

전력 반도체에서, GaN과 SiC는 모두 레거시 실리콘보다 우수한 재료입니다., 더 높은 속도를 가능하게 하는, 더 큰 에너지 절약, 더 빠른 충전, 그리고 현저히 줄어든 사이즈, 무게, 그리고 비용. 함께, 이러한 보완적인, 차세대 소재는 20W 스마트폰 충전기에서 광범위한 애플리케이션을 처리합니다., 20kW EV 충전기까지, 20MW 그리드-인프라 시스템 및 그 사이의 모든 것. 이상으로 500 고객, GeneSiC 인수는 다양하고 시너지 효과가 있는 시장과 고객을 제공합니다., 전략적으로 Navitas의 수익을 가속화합니다., 고전력 애플리케이션:

  • 전기차: 400V EV 시스템에 최적화된 Navitas GaN IC, GeneSiC 기술은 800V EV 시스템에 이상적입니다., 세계 최고의 BYD를 포함한 기존 수익 및 개발 고객과 #1 전기차 공급업체, 랜드로버, 메르세데스 AMG, 지리, 신리, LG 마그나, 사브, 및 혁신, 수십명의 다른 사람들과 함께.
  • 태양열 & 에너지 저장: Navitas GaN IC는 주거용 태양열을 제공합니다., GeneSiC는 더 높은 전력에서 즉각적인 수익을 얻습니다., 상업용 태양열 및 에너지 저장 고객, APS 포함, 고급 에너지, 친트, 선그로우, 그로와트, CATL, Exide 외 다수.
  • 더 넓은 산업 시장: GeneSiC 고전압 제품은 철도를 포함한 광범위한 추가 산업 시장에서 즉각적인 수익 창출, UPS, 바람, 그리드 전력, 산업용 모터, 및 의료 영상.

상세 거래 내역

GeneSiC 인수는 즉시 Navitas의 주당 순이익을 증가시킬 것으로 예상됩니다.. 총 고려 사항은 대략 $100 현금으로 백만, 24.9 Navitas 주식의 100만 주 및 최대 수익금 $25 9월로 끝나는 4분기 동안 GeneSiC 사업에 대한 실질적인 수익 목표 달성에 백만 30, 2023. GeneSiC에 대한 자세한 내용은 ir.navitassemi.com에서 확인할 수 있습니다..

고문

Jefferies LLC는 Navitas의 재정 고문으로 활동했으며 Bank of America는 GeneSiC의 재정 고문으로 활동했습니다.. TCF 법률 그룹, PLLC는 Navitas 및 Gibson의 법률 고문으로 활동했습니다., 던 & Crutcher LLP는 GeneSiC의 법률 고문으로 활동했습니다..

전화 회의 및 웹캐스트 정보

GeneSiC 인수는 Navitas Q2의 일부로 논의될 것입니다. 2022 어닝 콜:

언제: 월요일, 팔월 15일, 2022

시간: 2:00 오후. 태평양 / 5:00 오후. 동부

수신자 부담 전화 접속: (800) 715-9871 또는 (646) 307-1963

회의 ID: 6867001

라이브 웹캐스트: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

다시 하다: 통화 재생은 회사 웹사이트의 투자자 정보 섹션에서 액세스할 수 있습니다. https://ir.navitassemi.com/.

미래예측진술에 관한 주의사항

이 보도 자료에는 미국 증권 거래법(Securities Exchange Act) 섹션 21E의 의미 내에서 "미래 예측 진술"이 포함되어 있습니다. 1934, 수정된 대로. 미래예측진술은 "우리가 기대하는" 또는 "," "추정," "계획," "프로젝트," "예측," "의도하다," "예상하다," "믿다," "찾다. 목표물 탐색,” 또는 미래의 사건이나 경향을 예측하거나 나타내거나 역사적 문제에 대한 진술이 아닌 기타 유사한 표현. 이러한 미래 예측 진술에는 다음이 포함됩니다., 그러나 이에 국한되지 않는다, 기타 재무 및 성과 지표의 추정 및 예측과 시장 기회 및 시장 점유율 예측에 관한 진술. 이러한 진술은 다양한 가정을 기반으로 합니다., 이 보도 자료에서 확인되었는지 여부. 이 진술은 또한 나비타스 경영진의 현재 기대치를 기반으로 하며 실제 성과에 대한 예측이 아닙니다.. 이러한 미래 예측 진술은 설명 목적으로만 제공되며 다음과 같은 역할을 하지 않습니다., 어떤 투자자도 다음과 같이 의존해서는 안 됩니다., 보증, 보증, 사실이나 확률에 대한 예측 또는 결정적인 진술. 실제 사건과 상황은 예측하기 어렵거나 불가능하며 가정 및 기대와 다를 것입니다.. 성능에 영향을 미치는 많은 실제 사건과 상황은 Navitas가 통제할 수 없습니다.. 미래예측진술은 많은 위험과 불확실성의 영향을 받습니다., 나비타스와 GeneSiC 사업의 예상 성장이 실현되지 않을 가능성을 포함, 또는 예상 기간 내에 실현되지 않을 것입니다., ~ 때문에, 다른 것들 사이, GeneSiC를 Navitas의 비즈니스 및 운영 시스템에 성공적으로 통합하지 못함; 인수가 고객 및 공급업체 관계에 미치는 영향 또는 이러한 관계를 유지 및 확장하지 못하는 경우; 다른 사업 개발 노력의 성공 또는 실패; 나비타스의 재무상태 및 영업실적; Navitas의 비용을 적절하게 예산 책정하고 조정하기 위해 미래 수익을 정확하게 예측하는 Navitas의 능력; 고객 기반을 다양화하고 새로운 시장에서 관계를 발전시키는 Navitas의 능력; 기술을 새로운 시장 및 애플리케이션으로 확장할 수 있는 Navitas의 능력; 경쟁이 나비타스 사업에 미치는 영향, 우리가 침투하고자 하는 시장에서 확고한 입지와 자원을 가진 경쟁자의 행동을 포함합니다., 탄화규소 시장을 포함한; Navitas 및 GeneSiC 고객의 최종 시장 수요 수준, 일반적으로 그리고 제품이나 기술의 연속적인 세대와 관련하여; 나비타스의 매력, 핵심 자격을 갖춘 인력을 교육 및 유지; 정부 무역 정책의 변화, 관세 부과를 포함하여; COVID-19 전염병이 나비타스의 비즈니스에 미치는 영향, 영업실적 및 재무상태; 코로나19 팬데믹이 세계 경제에 미치는 영향, Navitas의 공급망과 고객 및 공급업체의 공급망을 포함하되 이에 국한되지 않습니다.; 미국 및 외국의 규제 개발; 지적 재산권을 보호하는 Navitas의 능력. 이러한 위험 요소 및 기타 위험 요소는 다음에서 논의됩니다. 위험 요소 섹션 p에서 시작. 11 우리의 Form 10-K에 대한 연례 보고서 12월 종료 연도에 대해 31, 2021, 우리가 증권 거래 위원회에 제출한 ("SEC") 3월에 31, 2022 그리고 이후 수정, SEC에 제출하는 다른 문서에서, Form 10-Q에 대한 분기별 보고서 포함. 이러한 위험이 현실화되거나 당사의 가정이 잘못된 것으로 판명되는 경우, 실제 결과는 이러한 미래 예측 진술이 암시하는 결과와 크게 다를 수 있습니다.. Navitas가 인지하지 못하거나 현재 Navitas가 중요하지 않다고 믿는 추가 위험이 있을 수 있으며, 이는 실제 결과가 미래 예측 진술에 포함된 것과 실질적으로 다를 수 있습니다.. 게다가, 미래 예측 진술은 나비타스의 기대를 반영합니다., 이 보도 자료 날짜를 기준으로 향후 이벤트 및 전망에 대한 계획 또는 예측. Navitas는 후속 이벤트 및 개발로 인해 Navitas의 평가가 변경될 것으로 예상합니다.. 하지만, Navitas는 미래의 어느 시점에서 이러한 미래 예측 진술을 업데이트하도록 선택할 수 있습니다., Navitas는 특별히 그렇게 할 의무를 부인합니다.. 이러한 미래 예측 진술은 이 보도 자료 날짜 이후의 날짜를 기준으로 Navitas의 평가를 나타내는 것으로 의존해서는 안 됩니다..

나비타스 소개

반도체 에너지 (나스닥: NVTS) 갈륨 질화물의 업계 선두 주자입니다. (GaN) 전력 IC, 에 설립 2014. GaNFast™ 전력 IC는 GaN 전력을 드라이브와 통합합니다., 제어, 더 빠른 충전을 위한 감지 및 보호, 모바일을 위한 더 높은 전력 밀도 및 더 큰 에너지 절약, 소비자, 데이터 센터, EV 및 태양광 시장. 위에 165 Navitas 특허가 발행되었거나 출원 중입니다.. 위에 50 보고된 GaN 필드 오류가 없는 상태로 백만 유닛이 배송되었습니다., Navitas는 업계 최초이자 유일한 20년 보증을 도입했습니다.. 나비타스는 세계 최초의 반도체 기업입니다. 카본뉴트럴®-인증.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC 반도체 탄화규소의 선구자이자 세계적인 리더입니다. (SiC) 기술. 선도적인 글로벌 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 보다 경제적이고 다양한 고전력 시스템에서 에너지를 절약하는 데 핵심적인 역할을 합니다.. GeneSiC는 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적인 특허를 보유하고 있습니다., 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $5 억 2025. 디자인의 핵심 강점, 프로세스와 기술은 고객의 최종 제품에 더 많은 가치를 더합니다., 실리콘 카바이드 산업에서 새로운 표준을 설정하는 성능 및 비용 메트릭으로.

연락 정보

미디어

그레이엄 로버트슨, CMO 그랜드 브릿지

그레이엄@GrandBridges.com

투자자

스티븐 올리버, 기업 마케팅 부사장 & 투자자 관계

ir@navitassemi.com

반도체 에너지, GANFast, GaNSense 및 Navitas 로고는 Navitas Semiconductor Limited의 상표 또는 등록 상표입니다.. 기타 모든 브랜드, 제품 이름 및 마크는 해당 소유자의 제품 또는 서비스를 식별하는 데 사용되는 상표 또는 등록 상표이거나 그럴 수 있습니다..

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탁월한 성능과 신뢰성을 제공하는 G3R ™ 750V SiC MOSFET

750V G3R SiC MOSFET

덜스, VA, 유월 04, 2021 — GeneSiC의 차세대 750V G3R ™ SiC MOSFET은 전례없는 수준의 성능을 제공합니다., 상대를 능가하는 견고 함과 품질. 시스템 이점에는 작동 온도에서 낮은 온 상태 강하가 포함됩니다., 더 빠른 스위칭 속도, 증가 된 전력 밀도, 최소 벨소리 (낮은 EMI) 컴팩트 한 시스템 크기. GeneSiC의 G3R ™, 최적화 된 저 인덕턴스 개별 패키지로 제공 (SMD 및 스루 홀), 모든 작동 조건 및 초고속 스위칭 속도에서 최저 전력 손실로 작동하도록 최적화되었습니다.. 이 장치는 최신 SiC MOSFET에 비해 훨씬 더 나은 성능 수준을 제공합니다..

750V G3R SiC MOSFET

“고효율 에너지 사용은 차세대 전력 변환기에서 중요한 결과물이되었으며 SiC 전력 장치는이 혁명을 주도하는 핵심 부품입니다.. 최저 온 상태 저항과 강력한 단락 및 눈사태 성능을 달성하기위한 수년간의 개발 작업 후, 업계 최고 성능의 750V SiC MOSFET을 출시하게되어 기쁩니다.. G3R ™을 통해 전력 전자 설계자는 까다로운 효율성을 충족 할 수 있습니다., 태양 광 인버터와 같은 애플리케이션의 전력 밀도 및 품질 목표, EV 온보드 충전기 및 서버 / 통신 전원 공급 장치. 확실한 품질, 빠른 턴어라운드 및 자동차 인증 대량 생산으로 지원을 통해 가치 제안을 더욱 강화합니다.. ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 사장.

풍모 –

  • 업계 최저 게이트 요금 (큐지) 및 내부 게이트 저항 (RG(INT))
  • 최저 RDS(의 위에) 온도에 따라 변하다
  • 낮은 출력 커패시턴스 (씨우리) 마 일러 커패시턴스 (씨GD)
  • 100% 눈사태 (UIL) 생산 중 테스트
  • 업계 최고의 단락 내성 기능
  • 낮은 V의 빠르고 안정적인 바디 다이오드에프 낮은 QRR
  • 높고 안정적인 게이트 임계 전압 (VTH) 모든 온도 및 드레인 바이어스 조건에서
  • 낮은 열 저항과 낮은 링잉을위한 고급 패키징 기술
  • R의 제조 균일 성DS(의 위에), VTH 및 항복 전압 (BV)
  • 자동차 인증을받은 대량 생산을 통한 포괄적 인 제품 포트폴리오 및보다 안전한 공급망

응용 –

  • 태양열 (PV) 인버터
  • EV / HEV 온보드 충전기
  • 섬기는 사람 & 통신 전원 공급 장치
  • 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
  • DC-DC 컨버터
  • 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
  • 에너지 저장 및 배터리 충전
  • 유도 가열

GeneSiC Semiconductor의 모든 SiC MOSFET은 자동차 애플리케이션을 대상으로합니다. (AEC-q101) 및 PPAP 가능.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&거래 SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&거래 SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&거래 SiC MOSFET

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 또는 연락 sales@genesicsemi.com

모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key 전자

뉴 어크 파넬 element14

마우저 일렉트로닉스

Arrow Electronics

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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5동급 최고의 효율을위한 차세대 650V SiC 쇼트 키 MPS ™ 다이오드

Gen5 650V SiC 쇼트 키 MPS ™

덜스, VA, 할 수있다 28, 2021 — GeneSiC 반도체, 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체 장치, 5 세대 출시 발표 (GE *** 시리즈) 우수한 가격 대비 성능 지수로 새로운 벤치 마크를 설정하는 SiC Schottky MPS ™ 정류기, 업계 최고의 서지 전류 및 눈사태 견고성, 고품질 제조.

“GeneSiC는 SiC 쇼트 키 정류기를 상용화 한 최초의 SiC 제조업체 중 하나였습니다. 2011. 업계에서 10 년 이상 고성능 및 고품질 SiC 정류기를 공급 한 후, 5 세대 SiC Schottky MPS ™를 출시하게되어 기쁩니다. (병합 된 핀 쇼트 키) 서버 / 통신 전원 공급 장치 및 배터리 충전기와 같은 애플리케이션에서 고효율 및 전력 밀도 목표를 충족하기 위해 모든 측면에서 업계 최고의 성능을 제공하는 다이오드. 5 세대를 만드는 혁신적인 기능 (GE *** 시리즈) SiC Schottky MPS ™ 다이오드는 낮은 내장 전압으로 경쟁 제품 중에서 두드러집니다. (무릎 전압이라고도 함);모든 부하 조건에서 다이오드 전도 손실을 최소화하여 고효율 에너지 사용을 요구하는 애플리케이션에 중요. 낮은 니 특성을 제공하도록 설계된 다른 경쟁사 SiC 다이오드와는 달리, Gen5 다이오드 설계의 추가 기능은 여전히 ​​높은 수준의 눈사태를 유지한다는 것입니다. (UIL) GeneSiC의 Gen3에서 고객이 기대하는 견고 함 (GC *** 시리즈) 및 Gen4 (GD *** 시리즈) SiC 쇼트 키 MPS ™” 박사가 말했다. 시드 다스 순 다레 산, GeneSiC Semiconductor의 기술 부사장.

풍모 –

  • 낮은 내장 전압 – 모든 부하 조건에서 가장 낮은 전도 손실
  • 우수한 공로상 – QC x VF
  • 최적의 가격 성능
  • 향상된 서지 전류 기능
  • 100% 눈사태 (UIL) 테스트
  • 쿨러 작동을위한 낮은 열 저항
  • 제로 포워드 및 리버스 복구
  • 온도 독립적 빠른 스위칭
  • VF의 정온도 계수

응용 –

  • 역률 보정에서 다이오드 부스트 (일병)
  • 서버 및 통신 전원 공급 장치
  • 태양 광 인버터
  • 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
  • 배터리 충전기
  • 자유 분방 / 인버터의 역 병렬 다이오드

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ 또는 연락 sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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업계 최고의 성능을 자랑하는 GeneSiC의 새로운 3 세대 SiC MOSFET

덜스, VA, 이월 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor의 RDS를 지원하는 차세대 1200V G3R ™ SiC MOSFET(의 위에) 수준에 이르기까지 20 mΩ ~ 350 mΩ은 전례없는 수준의 성능을 제공합니다., 상대를 능가하는 견고 함과 품질. 시스템 이점에는 더 높은 효율성이 포함됩니다., 더 빠른 스위칭 주파수, 증가 된 전력 밀도, 벨소리 감소 (EMI) 컴팩트 한 시스템 크기.

GeneSiC, 업계 최고의 성능을 제공하는 업계 최고의 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET 출시 발표, 자동차 및 산업 응용 분야에서 이전에는 볼 수 없었던 수준의 효율성과 시스템 안정성을 활용할 수있는 견고 함과 품질.

이 G3R ™ SiC MOSFET, 최적화 된 저 인덕턴스 개별 패키지로 제공 (SMD 및 스루 홀), 높은 효율 수준과 초고속 스위칭 속도가 필요한 전력 시스템 설계에 최적화되어 있습니다.. 이러한 장치는 경쟁 제품에 비해 훨씬 우수한 성능 수준을 가지고 있습니다.. 확실한 품질, 빠른 턴어라운드 대량 생산의 지원으로 가치 제안을 더욱 강화.

“최저 온 상태 저항과 향상된 단락 성능을 달성하기위한 수년간의 개발 작업 끝에, 업계 최고 성능의 1200V SiC MOSFET을 출시하게되어 기쁩니다. 15+ 개별 및 베어 칩 제품. 차세대 전력 전자 시스템이 까다로운 효율성을 충족하려면, 자동차와 같은 애플리케이션의 전력 밀도 및 품질 목표, 산업, 재생 에너지, 교통, IT 및 통신, 그런 다음 현재 사용 가능한 SiC MOSFET에 비해 크게 개선 된 장치 성능 및 신뢰성이 필요합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 사장.

풍모 –

  • 우수한 Q지 x RDS(의 위에) 공로상 – G3R ™ SiC MOSFET은 매우 낮은 게이트 전하로 업계에서 가장 낮은 온 상태 저항을 제공합니다., 결과로 20% 다른 유사한 경쟁 장치보다 더 나은 성능 지수
  • 모든 온도에서 낮은 전도 손실 – GeneSiC의 MOSFET은 온 상태 저항의 가장 부드러운 온도 의존성을 제공하여 모든 온도에서 매우 낮은 전도 손실을 제공합니다.; 시중의 다른 트렌치 및 평면형 SiC MOSFET보다 훨씬 우수
  • 100 % 눈사태 테스트 – 강력한 UIL 기능은 대부분의 현장 응용 분야에서 중요한 요구 사항입니다.. GeneSiC의 1200V SiC MOSFET 디스크리트는 100 % 눈사태 (UIL) 생산 중 테스트
  • 낮은 게이트 전하 및 낮은 내부 게이트 저항 – 이러한 매개 변수는 초고속 스위칭을 실현하고 최고의 효율성을 달성하는 데 중요합니다. (낮은 Eon -Eoff) 광범위한 애플리케이션 스위칭 주파수에 걸쳐
  • 최대 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동 – GeneSiC의 모든 SiC MOSFET은 오작동 위험없이 모든 작동 조건에서 안정적이고 신뢰할 수있는 제품을 제공하기 위해 최첨단 공정으로 설계 및 제작되었습니다.. 이러한 장치의 우수한 게이트 산화물 품질은 임계 값을 방지합니다. (VTH) 경향
  • 낮은 장치 정전 용량 – G3R ™은 낮은 장치 정전 용량으로 더 빠르고 효율적으로 구동하도록 설계되었습니다. – Ciss, Coss 및 Crss
  • 고유 전하가 낮은 빠르고 안정적인 바디 다이오드 – GeneSiC의 MOSFET은 벤치 마크 낮은 역 회복 전하를 특징으로합니다. (큐RR) 모든 온도에서; 30% 비슷한 등급의 경쟁 기기보다 우수. 이를 통해 전력 손실을 더욱 줄이고 작동 주파수를 높일 수 있습니다.
  • 사용의 용이성 – G3R ™ SiC MOSFET은 + 15V에서 구동되도록 설계되었습니다. / -5V 게이트 드라이브. 이는 기존 상용 IGBT 및 SiC MOSFET 게이트 드라이버와 가장 광범위한 호환성을 제공합니다.

응용 –

  • 전기차 – 동력 전달 장치 및 충전
  • 태양 광 인버터 및 에너지 저장
  • 산업용 모터 드라이브
  • 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
  • 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
  • 양방향 DC-DC 컨버터
  • 스마트 그리드 및 HVDC
  • 유도 가열 및 용접
  • 펄스 전력 애플리케이션

모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key 전자

뉴 어크 파넬 element14

마우저 일렉트로닉스

Arrow Electronics

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 또는 연락 sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor의 모든 SiC MOSFET은 자동차 애플리케이션을 대상으로합니다. (AEC-q101) 및 PPAP 가능. 모든 장치는 산업 표준 D2PAK로 제공됩니다., TO-247 및 SOT-227 패키지.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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보조 전원 공급 장치의 소형화를 혁신하는 GeneSiC의 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET

덜스, VA, 12 월 4, 2020 — GeneSiC, 비교할 수없는 소형화를 달성하도록 최적화 된 업계 최고의 3300V 및 1700V 개별 SiC MOSFET의 가용성 발표, 산업용 하우스 키핑 전력의 신뢰성 및 에너지 절약.

GeneSiC 반도체, 실리콘 카바이드의 포괄적 인 포트폴리오의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체, 오늘 차세대 3300V 및 1700V 1000mΩ SiC MOSFET – G2R1000MT17J의 즉각적인 가용성을 발표합니다., G2R1000MT17D, 및 G2R1000MT33J. 이러한 SiC MOSFET은 우수한 성능 수준을 가능하게합니다., 플래그십 공로상을 기반으로 (FoM) 에너지 저장 장치 전반에 걸쳐 전력 시스템을 개선하고 단순화하는, 재생 에너지, 산업용 모터, 범용 인버터 및 산업용 조명. 출시 된 제품은:

G2R1000MT33J – 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC의 새로운 3300V 및 1700V SiC MOSFET, 1000mΩ 및 450mΩ 옵션으로 SMD 및 스루 홀 개별 패키지로 제공, 높은 효율 수준과 초고속 스위칭 속도가 필요한 전력 시스템 설계에 최적화되어 있습니다.. 이러한 장치는 경쟁 제품에 비해 훨씬 우수한 성능 수준을 가지고 있습니다.. 확실한 품질, 빠른 턴어라운드 대량 생산의 지원으로 가치 제안을 더욱 강화.

“1500V 태양 광 인버터와 같은 애플리케이션에서, 보조 전원 공급 장치의 MOSFET은 2500V 범위의 전압을 견뎌야 할 수 있습니다., 입력 전압에 따라, 변압기와 출력 전압의 권선비. 높은 항복 전압 MOSFET은 플라이 백에서 직렬 연결 스위치의 필요성을 없애줍니다., 부스트 및 포워드 컨버터를 통해 부품 수를 줄이고 회로 복잡성을 줄입니다.. GeneSiC의 3300V 및 1700V 개별 SiC MOSFET을 사용하면 설계자가 더 간단한 단일 스위치 기반 토폴로지를 사용할 수 있으며 동시에 고객에게 안정적인, 작고 비용 효율적인 시스템” Sumit Jadav가 말했다, GeneSiC Semiconductor의 선임 애플리케이션 관리자.

풍모 –

  • 우수한 가격 대비 성능 지수
  • 플래그십 Q지 x RDS(의 위에) 공로의 인물
  • 낮은 고유 커패시턴스 및 낮은 게이트 전하
  • 모든 온도에서 낮은 손실
  • 높은 눈사태 및 단락 회로 견고성
  • 최대 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동을위한 벤치 마크 임계 전압

응용 –

  • 재생 에너지 (태양광 인버터) 및 에너지 저장
  • 산업용 모터 (그리고 유대)
  • 범용 인버터
  • 산업용 조명
  • 피에조 드라이버
  • 이온빔 발생기

모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 또는 연락 sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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GeneSiC의 업계 최고의 6.5kV SiC MOSFET – 새로운 응용 프로그램의 선봉대

6.5kV SiC MOSFET

덜스, VA, 십월 20, 2020 — GeneSiC, 6.5kV 실리콘 카바이드 MOSFET을 출시하여 전례없는 수준의 성능을 제공하는 데 앞장서고 있습니다., 견인과 같은 고압 전력 변환 애플리케이션의 효율성 및 신뢰성, 펄스 전력 및 스마트 그리드 인프라.

GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체, 오늘 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩 – G2R300MT65-CAL 및 G2R325MS65-CAL의 즉각적인 가용성 발표. 이 기술을 활용 한 전체 SiC 모듈이 곧 출시 될 예정입니다.. 응용 프로그램에는 견인력이 포함될 것으로 예상됩니다., 펄스 전력, 스마트 그리드 인프라 및 기타 고압 전력 변환기.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET 베어 칩

G2R325MS65-CAL – 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (통합 쇼트 키) 베어 칩

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET 베어 칩

GeneSiC의 혁신은 SiC 이중 주입 금속 산화물 반도체를 특징으로합니다. (DMOSFET) 접합 장벽 쇼트 키가있는 장치 구조 (JBS) SiC DMOSFET 단위 셀에 통합 된 정류기. 이 첨단 전력 장치는 차세대 전력 변환 시스템의 다양한 전력 변환 회로에 사용될 수 있습니다.. 다른 중요한 이점으로는보다 효율적인 양방향 성능이 있습니다., 온도 독립 스위칭, 낮은 스위칭 및 전도 손실, 냉각 요구 사항 감소, 우수한 장기 신뢰성, 병렬 장치의 용이성과 비용 이점. GeneSiC의 기술은 우수한 성능을 제공하며 전력 변환기에서 순 SiC 재료 풋 프린트를 줄일 수있는 잠재력도 가지고 있습니다..

“GeneSiC의 6.5kV SiC MOSFET은 낮은 온 스테이트 저항을 실현하기 위해 6 인치 웨이퍼에 설계 및 제작되었습니다., 최상의 품질, 우수한 가격 대비 성능 지수. 이 차세대 MOSFET 기술은 탁월한 성능을 약속합니다., 중전 압 전력 변환 애플리케이션에서 우수한 견고성과 장기적 신뢰성.” 말했다 박사. 시드 다스 순 다레 산, GeneSiC Semiconductor의 기술 부사장.

GeneSiC의 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET 기술 특징 –

  • 높은 눈사태 (UIS) 및 단락 견고성
  • 우수한 Q지 x RDS(의 위에) 공로의 인물
  • 온도 독립적 스위칭 손실
  • 낮은 정전 용량 및 낮은 게이트 전하
  • 모든 온도에서 낮은 손실
  • 최대 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동
  • +20 V / -5 V 게이트 드라이브

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 또는 연락 sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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GeneSiC가 권위있는 R을 획득했습니다.&SiC 기반 모 놀리 식 트랜지스터 정류기 스위치에 대한 D100 상

덜스, VA, 12 월 5, 2019 — NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2019 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다..

GeneSiC 반도체 Inc, D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2019 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2018. NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다..

GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학.

전 세계의 연구 기관 및 대학&전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학&디 100 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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고전류 가능 650V, 1200미니 모듈 SOT-227 패키지의 V 및 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드

덜스, VA, 할 수있다 11, 2019 — GeneSiC는 고전류 기능의 시장 리더가되었습니다. (100 A와 200 ㅏ) SOT-227 미니 모듈의 SiC 쇼트 키 다이오드

GeneSiC는 GB2X50MPS17-227을 도입했습니다, GC2X50MPS06-227 및 GC2X100MPS06-227; 업계 최고 전류 정격 650V 및 1700V SiC 쇼트 키 다이오드, 기존 1200V SiC 쇼트 키 다이오드 미니 모듈 포트폴리오에 추가 – GB2X50MPS12-227 및 GB2X100MPS12-227. 이 SiC 다이오드는 실리콘 기반 초고속 복구 다이오드를 대체합니다., 엔지니어가 더 높은 효율과 더 높은 전력 밀도로 스위칭 회로를 구축 할 수 있습니다.. 애플리케이션에는 전기 자동차 고속 충전기가 포함될 것으로 예상됩니다., 모터 드라이브, 운송 전원 공급 장치, 고전력 정류 및 산업용 전원 공급 장치.

SOT-227 미니 모듈 패키지의 분리 된베이스 플레이트에 추가, 새로 출시 된이 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮습니다., 제로 포워드 복구, 제로 역 복구, 낮은 접합 커패시턴스 및 175 ° C의 최대 작동 온도 정격. GeneSiC의 3 세대 SiC 쇼트 키 다이오드 기술은 업계 최고의 눈사태 견고성과 서지 전류를 제공합니다. (Ifsm) 견고 함, 고품질 자동차 인증 6 인치 제작 및 고급 고 신뢰성 개별 조립 기술과 결합.

이 SiC 다이오드는 SOT-227에서 사용 가능한 다른 다이오드에 대한 핀 호환 가능 직접 대체품입니다. (미니 모듈) 꾸러미. 낮은 전력 손실의 이점 (더 차가운 작동) 및 고주파 스위칭 기능, 설계자는 이제 설계에서 더 큰 변환 효율과 더 큰 전력 밀도를 달성 할 수 있습니다..

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GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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GeneSiC, 업계 최고 성능의 1700V SiC Schottky MPS 출시™ 다이오드

덜스, VA, 일월 7, 2019 — GeneSiC, TO-247-2 패키지로 제공되는 3 세대 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드의 포괄적 인 포트폴리오 출시

GeneSiC는 GB05MPS17-247을 도입했습니다, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 및 GB50MPS17-247; 인기있는 TO-247-2 스루 홀 패키지로 제공되는 업계 최고 성능의 1700V SiC 다이오드. 이 1700V SiC 다이오드는 실리콘 기반 초고속 복구 다이오드 및 기타 구형 1700V SiC JBS를 대체합니다., 엔지니어가 더 높은 효율과 더 높은 전력 밀도로 스위칭 회로를 구축 할 수 있습니다.. 애플리케이션에는 전기 자동차 고속 충전기가 포함될 것으로 예상됩니다., 모터 드라이브, 운송 전원 공급 장치 및 재생 가능 에너지.

GB50MPS17-247은 1700V 50A SiC 병합 PiN- 쇼트 키 다이오드입니다., 업계 최고 전류 정격 이산 형 SiC 전력 다이오드. 새로 출시 된이 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮습니다., 제로 포워드 복구, 제로 역 복구, 낮은 접합 커패시턴스 및 175 ° C의 최대 작동 온도 정격. GeneSiC의 3 세대 SiC 쇼트 키 다이오드 기술은 업계 최고의 눈사태 견고성과 서지 전류를 제공합니다. (Ifsm) 견고 함, 고품질 자동차 인증 6 인치 파운드리 및 고급 고 신뢰성 개별 조립 기술과 결합.

이 SiC 다이오드는 TO-247-2 패키지에서 사용 가능한 다른 다이오드에 대한 핀 호환 직접 교체품입니다.. 낮은 전력 손실의 이점 (더 차가운 작동) 및 고주파 스위칭 기능, 설계자는 이제 설계에서 더 큰 변환 효율과 더 큰 전력 밀도를 달성 할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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PCIM에서 인터뷰한 GeneSiC 2016 뉘른베르크에서, 독일

전력 시스템 설계 인터뷰 GeneSiC

뉘른베르크, 독일 5월 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor의 사장은 Power Systems Design의 Alix Paultre와 인터뷰했습니다. (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-ir-latest-silicon-carbide-tech/67) 뉘른베르크에서 열린 PCIM 쇼에서, 독일.