덜스, VA, 행진 5, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 2세대 하이브리드 미니 모듈의 즉각적인 가용성을 발표합니다. 1200 견고한 실리콘 IGBT가 포함된 V/100 Amperes SiC 쇼트키 정류기 – GB100XCP12-227. 이 제품이 출시되는 가격 대비 성능은 Silicon IGBT/Silicon Rectifier 솔루션이 제공하지 않는 비용/크기/무게/체적 감소의 이점을 많은 전력 변환 애플리케이션에 제공합니다., 순수한 SiC 모듈도 제공할 수 없습니다.. 이 장치는 산업용 모터를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 설계되었습니다., 태양광 인버터, 특수 장비 및 전력망 애플리케이션.
SiC Schottky/Si IGBT 미니 모듈 (공동 팩) GeneSiC에서 제공하는 온 상태 강하의 양의 온도 계수를 나타내는 Si IGBT로 만들어집니다., 견고한 펀치스루 디자인, 상용 구동이 가능한 고온 동작 및 빠른 스위칭 특성, 일반적으로 사용 가능 15 V IGBT 게이트 드라이버. 이 Co-pack 모듈에 사용되는 SiC 정류기는 매우 낮은 인덕턴스 패키지를 허용합니다., 낮은 온 상태 전압 강하 및 역 회복 없음. SOT-227 패키지는 절연 베이스 플레이트를 제공합니다., 12독립형 회로 요소로 매우 유연하게 사용할 수 있는 mm 로우 프로파일 디자인, 고전류 병렬 구성, 위상 다리 (두 개의 모듈), 또는 초퍼 회로 요소로.
“우리는 이 제품의 초기 제공 이후 거의 주요 고객의 소리에 귀를 기울였습니다. 2 몇 년 전. 이번 2세대 1200 V/100 A Co-pack 제품은 고주파에 적합한 저인덕턴스 설계, 고온 응용. 실리콘 다이오드의 열악한 고온 및 역 회복 특성은 고온에서 IGBT의 사용을 결정적으로 제한합니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 저 정전용량 SiC 쇼트키 다이오드가 이 획기적인 제품을 가능하게 합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC 정류기 기술 하이라이트
- 온 스테이트 드롭 1.9 V에서 100 ㅏ
- VF의 양의 온도 계수
- Tjmax = 175 ° C
- 켜기 에너지 손실 23 마이크로줄 (전형적인).
모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 산업 표준 SOT-227 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..
GeneSiC Semiconductor Inc 정보.
GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.
