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사이리스터가 더 높은 수준에 도달하도록 하는 새로운 물리학

덜스, VA, 팔월 30, 2011 – 새로운 물리학으로 사이리스터가 더 높은 수준에 도달

전력망은 원활한 전력 공급을 보장하는 전자 장치의 도움으로 안정적인 전력을 공급합니다., 안정적인 전력 흐름. 지금까지, 실리콘 기반 어셈블리는, 그러나 그들은 스마트 그리드의 요구 사항을 처리할 수 없었습니다.. 탄화규소와 같은 광대역 갭 재료 (SiC) 더 높은 스위칭 속도가 가능하므로 더 나은 대안 제공, 더 높은 항복 전압, 낮은 스위칭 손실, 기존 실리콘 기반 스위치보다 높은 접합 온도. 시장에 출시된 최초의 SiC 기반 장치는 초고전압 탄화규소 사이리스터입니다. (SiC 사이리스터), GeneSiC Semiconductor Inc.에서 개발한, 덜레스, Va., Sandia 국립 연구소의 지원으로, 앨버커키, N.M., 미국. 에너지/전기배달학과, 그리고 미국. 육군/군비 연구, 개발 및 엔지니어링 센터, 피카티니 아스날, 뉴저지.

개발자는 이 장치에 대해 다른 작동 물리학을 채택했습니다., 소수 캐리어 운송 및 통합 세 번째 터미널 정류기에서 작동하는, 이는 다른 상용 SiC 장치보다 하나 더 많습니다.. 개발자는 위의 등급을 지원하는 새로운 제작 기술을 채택했습니다. 6,500 V, 고전류 장치를 위한 새로운 게이트-양극 설계. 최대 온도에서 수행 가능 300 C 및 현재 80 ㅏ, SiC 사이리스터는 최대 10 배 더 높은 전압, 4배 더 높은 차단 전압, 과 100 실리콘 기반 사이리스터보다 몇 배 더 빠른 스위칭 주파수.

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GeneSiC가 권위있는 R을 획득했습니다.&그리드 연결 태양열 및 풍력 에너지 애플리케이션의 SiC 장치에 대한 D100 상

덜스, VA, 칠월 14, 2011 — NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2011 NS&디 100 고전압 정격 실리콘 카바이드 장치 상용화 수상.

GeneSiC 반도체 Inc, 실리콘 카바이드 기반 전력 장치의 핵심 혁신가는 지난주 권위있는 2011 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2010. NS&D Magazine은 전력 전자 시연을 위해 이전에 사용되지 않은 차단 전압 및 주파수를 달성 할 수있는 능력으로 GeneSiC의 초고압 SiC 사이리스터를 인정했습니다.. 전압 등급 >6.5케이 V, 온 상태 전류 등급 80 A 및 작동 주파수 >5 kHz는 이전에 시장에 소개 된 것보다 훨씬 높습니다.. GeneSiC의 사이리스터가 달성 한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구자들은 그리드 연결 인버터를 개발할 수 있습니다., 융통성 있는

AC 전송 시스템 (사리) 및 고전압 DC 시스템 (HVDC). 이것은 재생 가능 에너지 내에서 새로운 발명과 제품 개발을 가능하게 할 것입니다, 태양광 인버터, 풍력 인버터, 및 에너지 저장 산업. 박사. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor의 사장은“전력 변환 분야의 연구자들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능 및 펄스 전력 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " 이 제품은 10 월에 출시 된 이후 2010, GeneSiC는 이러한 실리콘 카바이드 사이리스터를 사용하여 고급 전력 전자 하드웨어를 시연하기 위해 여러 고객의 주문을 예약했습니다.. GeneSiC는 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군을 계속 개발하고 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&전력 변환 애플리케이션을위한 초기 버전의 D는 미국 Dept의 SBIR 자금 지원을 통해 개발되었습니다.. 에너지. 더 고급, 펄스 전력에 최적화 된 SiC 사이리스터는 ARDEC과의 또 다른 SBIR 계약에 따라 개발 중입니다., 미 육군. 이러한 기술 개발 사용, GeneSiC의 내부 투자 및 여러 고객의 상업 주문, GeneSiC는 이러한 UHV 사이리스터를 상용 제품으로 제공 할 수있었습니다..

R이 운영하는 제 49 회 연례 기술 대회&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학.

전 세계의 연구 기관 및 대학&전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학&디 100 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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다중 kHz, 미국 연구원들에게 샘플링 된 초고압 실리콘 카바이드 사이리스터

덜스, VA, 십일월 1, 2010 –최초의 제품, GeneSiC Semiconductor, 스마트 그리드 애플리케이션 용 전력 전자 장치에 사용하기위한 6.5kV SCR 모드 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군 출시 발표. 이러한 전력 장치의 혁신적인 성능 이점은 분산 에너지 자원의 접근성과 활용을 높이기 위해 유틸리티 규모 전력 전자 하드웨어의 주요 혁신을 촉진 할 것으로 예상됩니다. (의). "지금까지, 다중 kV 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 장치는 SiC 기반 전력 장치의 잘 알려진 장점 (5-15kV 정격에서 2-10kHz 작동 주파수)을 충분히 활용하기 위해 미국 연구자들에게 공개적으로 제공되지 않았습니다.” 박사 코멘트. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “GeneSiC는 최근 많은 6.5kV / 40A 공급을 완료했습니다., 6.5재생 가능 에너지 연구를 수행하는 여러 고객에게 kV / 60A 및 6.5kV / 80A 사이리스터 제공, 육군 및 해군 전력 시스템 애플리케이션. 이러한 등급의 SiC 장치는 이제 더 광범위하게 제공되고 있습니다.”

실리콘 카바이드 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100X 기존 실리콘 기반 사이리스터에 비해 더 빠른 스위칭 주파수 및 더 높은 온도 작동. 이러한 장치에 대한 대상 애플리케이션 연구 기회에는 범용 고압 전력 변환이 포함됩니다. (MVDC), 계통 연계 형 태양 광 인버터, 풍력 인버터, 펄스 전력, 무기 시스템, 점화 제어, 및 트리거 제어. 이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소.

박사. Singh은 계속해서“전력 변환 분야의 연구원들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

워싱턴 근처에 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.