GeneSiCが炭化ケイ素接合トランジスタを発表
ダレス, VA, 2月 25, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、…
新しい物理学により、サイリスタはより高いレベルに到達できます
ダレス, VA, 8月 30, 2011 –新しい物理学によりサイリスタがより高いレベルに到達可能電力グリッドは、スムーズを保証する電子デバイスの助けを借りて信頼性の高い電力を供給します, 信頼性のある…
GeneSiCが一流のRを獲得&グリッド接続された太陽光および風力エネルギーアプリケーションにおけるSiCデバイスのD100賞
ダレス, VA, 7月 14, 2011 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2011 R&D 100 の商品化に対する賞…
GeneSiCSemiconductorがでテクノロジーを紹介するために選ばれました 2011 ARPA-Eエネルギーイノベーションサミット
ダレス, VA, 2月 28, 2011 – GeneSiC Semiconductorは、ARPA-Eエネルギーイノベーションサミットで一流のテクノロジーショーケースに選ばれたことを発表できることに興奮しています。, の部門によって共催…
GeneSiCは、将来の金星探査ミッションを支援するためにNASAから電力管理プロジェクトを獲得しました
ダレス, VA, 12月 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., 新規炭化ケイ素の主要な革新者 (SiC) 高温用デバイス, ハイパワー, および超高電圧アプリケーション, の選択を発表…