ダレス, VA, 2月 25, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、1700Vのファミリがすぐに利用可能になることを発表しました。 1200 VSiCジャンクショントランジスタ. 高電圧を組み込む, 高周波および高温対応のSiCジャンクショントランジスタは、変換効率を高め、パワーエレクトロニクスのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、サーバーを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, テレコムおよびネットワーク電源, 無停電電源装置, ソーラーインバーター, 産業用モーター制御システム, およびダウンホールアプリケーション.
GeneSiCが提供するジャンクショントランジスタは、超高速スイッチング機能を発揮します, 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, コマーシャルによって駆動することができます, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. SiCJFETドライバーとの互換性を提供しながら, 接合トランジスタは、過渡特性が一致しているため、簡単に並列化できます。.
“電力システムの設計者は、動作周波数の限界を押し上げ続けています, 高い回路効率を要求しながら, 標準のパフォーマンスと生産の均一性を提供できるSiCスイッチの必要性. 独自のデバイスと製造革新の活用, GeneSiCのトランジスタ製品は、設計者がより堅牢なソリューションでこれらすべてを実現するのに役立ちます,” 博士は言った. ランヴィール・シン , GeneSiCセミコンダクターの社長.
1700 Vジャンクショントランジスタの技術的ハイライト
- 3つのオファリング– 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); そして 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- 立ち上がり/立ち下がり時間をオン/オフにします <50 典型的なナノ秒.
1200 Vジャンクショントランジスタの技術的ハイライト
- 2つのオファリング– 220 mOhms (GA06JT12-247); そして 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- 立ち上がり/立ち下がり時間をオン/オフにします <50 典型的なナノ秒
すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠のTO-247パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.
