GeneSiC 炭化ケイ素技術のパイオニアであり世界のリーダーです, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています.
GeneSiC テクノロジーは、さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. 私たちの技術は、再生可能エネルギー源の効率的な収穫を可能にします.
GeneSiC 電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 到達すると予測される市場 $1 十億 2022.
私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.
投資家向け広報に関する GeneSiC への連絡に関心がある場合, に電子メールを送信してください 投資家@genesicsemi.com
大統領
 | 博士. Ranbir Singh が GeneSiC Semiconductor Inc を設立. に 2004. それ以前は、Cree Inc で最初に SiC パワーデバイスの研究を行っていました。, そしてNISTで, ゲイザースバーグ, MD. 彼は批判的な理解を深め、PiN を含む幅広い SiC パワーデバイスについて論文を発表しています。, JBS およびショットキー ダイオード, MOSFET, IGBT, サイリスタとフィールド制御サイリスタ. 彼は博士号を取得しました. 電気およびコンピュータ工学の修士号, ノースカロライナ州立大学出身, ローリー, NC, とB. インド工科大学の技術, デリー. の 2012, EE Times が Dr.. 中のようにシン "次世代のエレクトロニクス産業の基盤を築く40のイノベーター。" の 2011, 彼はRに勝った&6.5kV SiCサイリスタの商品化における彼の努力に対してD100賞を受賞. 彼は以上を公開しました 200 ジャーナルおよび会議論文, 以上の著者です 30 発行された米国特許, そして本を書いた. |
技術担当副社長
 | 博士. Siddarth Sundaresan は、GeneSiC の技術担当副社長です。. 彼は M.S を取得しました。. および博士号. ジョージ・メイソン大学で電気工学の学位を取得 2004 そして 2007, それぞれ. 博士. Sundaresan は、 65 デバイス上の技術記事と会議の議事録, SiC および GaN 上に作製されたパワー デバイスの材料とプロセスの側面. SiC および関連材料に関する国際会議の技術プログラム委員会のメンバーを務めました。 (ICSCRM) 現在、パワー半導体デバイスと IC に関する国際シンポジウムの技術委員会のメンバーです。 (ISPSD). |
