ダレス, VA, 行進 5, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、を使用した第2世代ハイブリッドミニモジュールの即時提供を発表しました 1200 頑丈なシリコンIGBTを備えたV / 100アンペアSiCショットキー整流器– GB100XCP12-227. この製品がリリースされるパフォーマンス価格ポイントにより、多くの電力変換アプリケーションは、シリコンIGBT /シリコン整流子ソリューションのどちらよりもコスト/サイズ/重量/体積の削減から利益を得ることができます。, 純粋なSiCモジュールも提供できません. これらのデバイスは、産業用モーターを含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, ソーラーインバーター, 特殊機器および電力網アプリケーション.
SiCショットキー/ SiIGBTミニモジュール (コパック) GeneSiCが提供するのは、オン状態降下の正の温度係数を示すSiIGBTで作られています, 堅牢なパンチスルー設計, コマーシャルで駆動可能な高温動作と高速スイッチング特性, 一般的に利用可能 15 VIGBTゲートドライバー. これらのCo-packモジュールで使用されるSiC整流器は、非常に低いインダクタンスのパッケージを可能にします, 低いオン状態の電圧降下と逆回復なし. SOT-227パッケージは、分離されたベースプレートを提供します, 12スタンドアロン回路要素として非常に柔軟に使用できるmmロープロファイル設計, 大電流並列構成, フェーズレッグ (2つのモジュール), またはチョッパー回路要素として.
“この製品の最初の提供以来、私たちは主要な顧客にほとんど耳を傾けました 2 数年前. この第二世代 1200 V / 100 Co-pack製品は、高周波に適した低インダクタンス設計です。, 高温アプリケーション. シリコンダイオードの貧弱な高温および逆回復特性は、高温でのIGBTの使用を決定的に制限します. GeneSiCの低VF, 低静電容量のSiCショットキーダイオードがこの画期的な製品を可能にします” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
1200 V / 100 A Si IGBT / SiC整流器の技術的ハイライト
- オンステートドロップ 1.9 V at 100 A
- VFの正の温度係数
- Tjmax = 175°C
- ターンオンエネルギー損失 23 microJoules (典型的な).
すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収容されています, RoHS準拠の業界標準SOT-227パッケージ. デバイスは、GeneSiCの認定ディストリビューターからすぐに入手できます.
GeneSiCSemiconductorIncについて.
GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.
