ダレス, VA, 8月 30, 2011 –新しい物理学により、サイリスタはより高いレベルに到達できます
電力網は、スムーズを保証する電子機器の助けを借りて信頼性の高い電力を供給します, 信頼できるパワーフロー. 今まで, シリコンベースのアセンブリは信頼されてきました, しかし、彼らはスマートグリッドの要件を処理することができませんでした. 炭化ケイ素などのワイドバンドギャップ材料 (SiC) 彼らはより高いスイッチング速度が可能であるため、より良い代替手段を提供します, より高い絶縁破壊電圧, より低いスイッチング損失, 従来のシリコンベースのスイッチよりも高い接合部温度. 市場に出回った最初のそのようなSiCベースのデバイスは超高電圧炭化ケイ素サイリスタです (SiCサイリスタ), GeneSiC SemiconductorInc。によって開発されました。, ダレス, Va。, サンディア国立研究所の支援を受けて, アルバカーキ, N.M., アメリカ. エネルギー省/配電部門, と米国. 陸軍/兵器研究, 開発エンジニアリングセンター, ピカティニーアーセナル, N.J.
開発者は、このデバイスに異なる運用物理学を採用しました, マイノリティキャリア輸送と統合された第3ターミナル整流器で動作します, これは他の商用SiCデバイスより1つ多い. 開発者は、上記の評価をサポートする新しい製造技術を採用しました 6,500 V, また、大電流デバイス用の新しいゲートアノード設計. 最高の温度で実行することができます 300 Cと現在の 80 A, SiCサイリスタは最大 10 倍高い電圧, 4倍高いブロッキング電圧, そして 100 シリコンベースのサイリスタよりも5倍速いスイッチング周波数.
