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新しい物理学により、サイリスタはより高いレベルに到達できます

ダレス, VA, 8月 30, 2011 –新しい物理学により、サイリスタはより高いレベルに到達できます

電力網は、スムーズを保証する電子機器の助けを借りて信頼性の高い電力を供給します, 信頼できるパワーフロー. 今まで, シリコンベースのアセンブリは信頼されてきました, しかし、彼らはスマートグリッドの要件を処理することができませんでした. 炭化ケイ素などのワイドバンドギャップ材料 (SiC) 彼らはより高いスイッチング速度が可能であるため、より良い代替手段を提供します, より高い絶縁破壊電圧, より低いスイッチング損失, 従来のシリコンベースのスイッチよりも高い接合部温度. 市場に出回った最初のそのようなSiCベースのデバイスは超高電圧炭化ケイ素サイリスタです (SiCサイリスタ), GeneSiC SemiconductorInc。によって開発されました。, ダレス, Va。, サンディア国立研究所の支援を受けて, アルバカーキ, N.M., アメリカ. エネルギー省/配電部門, と米国. 陸軍/兵器研究, 開発エンジニアリングセンター, ピカティニーアーセナル, N.J.

開発者は、このデバイスに異なる運用物理学を採用しました, マイノリティキャリア輸送と統合された第3ターミナル整流器で動作します, これは他の商用SiCデバイスより1つ多い. 開発者は、上記の評価をサポートする新しい製造技術を採用しました 6,500 V, また、大電流デバイス用の新しいゲートアノード設計. 最高の温度で実行することができます 300 Cと現在の 80 A, SiCサイリスタは最大 10 倍高い電圧, 4倍高いブロッキング電圧, そして 100 シリコンベースのサイリスタよりも5倍速いスイッチング周波数.

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GeneSiCが一流のRを獲得&グリッド接続された太陽光および風力エネルギーアプリケーションにおけるSiCデバイスのD100賞

ダレス, VA, 7月 14, 2011 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2011 R&D 100 高電圧定格のシリコンカーバイドデバイスの製品化に対する賞.

GeneSiC Semiconductor Inc, 先週、シリコン カーバイド ベースのパワー デバイスの重要なイノベーターが栄誉ある賞を受賞したことを発表しました。 2011 R&D 100 アワード. この賞は、最も重要なものの1つを紹介したGeneSiCを表彰するものです。, 中に複数の分野で新たに導入された研究開発の進歩 2010. R&D Magazine は、GeneSiC の超高電圧 SiC サイリスタが、これまでパワー エレクトロニクスのデモンストレーションに向けて利用されたことのないブロッキング電圧と周波数を実現できることを認めました。. の電圧定格 >6.5kV, オン状態電流定格 80 A と動作周波数 >5 kHz は、以前に市場に導入されたものよりもはるかに高い. GeneSiC のサイリスタによって実現されるこれらの機能により、パワー エレクトロニクスの研究者はグリッド接続型インバーターを開発できます。, フレキシブル

交流送電システム (事実) および高電圧DCシステム (HVDC). これにより、再生可能エネルギーにおける新しい発明と製品開発が可能になります。, ソーラーインバーター, 風力発電インバーター, およびエネルギー貯蔵産業. 博士. ランヴィール・シン, GeneSiC Semiconductor の社長は次のように述べています。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能とパルス電力機能に最適化された次世代の SiC サイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oC の接合部温度に制限されます。」 10月発売の商品なので 2010, GeneSiC は、これらのシリコン カーバイド サイリスタを使用した高度なパワー エレクトロニクス ハードウェアのデモに向けて、複数の顧客からの注文を予約しました。. GeneSiC は、シリコン カーバイド サイリスタ製品ファミリーの開発を続けています. R&電力変換アプリケーションの初期バージョンの D は、米国部門からの SBIR 資金援助を通じて開発されました。. エネルギーの. より高度な, パルスパワーに最適化された SiC サイリスタは、ARDEC との別の SBIR 契約の下で開発されています。, 米軍. これらの技術開発を利用して, GeneSiC からの内部投資と複数の顧客からの商用注文, GeneSiC は、これらの UHV サイリスタを製品化することができました。.

Rが主催する第49回年次技術コンテスト&D Magazineは、さまざまな企業や業界のプレーヤーからのエントリーを評価しました, 世界中の研究機関や大学. 雑誌の編集者と外部の専門家のパネルが審査員を務めました, 科学と研究の世界にとっての重要性の観点から各エントリを評価する.

Rによると&Dマガジン, Rを獲得する&D 100 賞は、業界に知られている卓越性のマークを提供します, 政府, 製品が今年の最も革新的なアイデアの1つであることの証拠としての学界. この賞は、GeneSiCが、私たちの働き方や生活に違いをもたらすテクノロジーベースの製品の作成におけるグローバルリーダーとして認められています。.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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マルチkHz, 米国の研究者にサンプリングされた超高電圧炭化ケイ素サイリスタ

ダレス, VA, 11月 1, 2010 –その種の最初の提供で, GeneSiC Semiconductorは、スマートグリッドアプリケーションのパワーエレクトロニクスで使用するための6.5kVSCRモード炭化ケイ素サイリスタのファミリの利用可能性を発表しました. これらのパワーデバイスの革新的なパフォーマンス上の利点は、分散型エネルギーリソースのアクセス可能性と活用を向上させるために、ユーティリティ規模のパワーエレクトロニクスハードウェアの主要な革新に拍車をかけることが期待されています。 (THE). "今まで, マルチkV炭化ケイ素 (SiC) 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「GeneSiCは最近、多くの6.5kV / 40Aの配信を完了しました。, 6.5再生可能エネルギーの研究を行っている複数の顧客へのkV / 60Aおよび6.5kV / 80Aサイリスタ, 陸軍および海軍の電力システムアプリケーション. これらの定格のSiCデバイスは、現在、より広く提供されています。」

炭化ケイ素ベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、Xより速いスイッチング周波数とより高い温度動作. これらのデバイスのターゲットアプリケーション研究の機会には、汎用の中電圧電力変換が含まれます (MVDC), グリッドタイドソーラーインバーター, 風力発電インバーター, パルスパワー, 兵器システム, 点火制御, とトリガー制御. その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償器と直列補償器. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減.

博士. シン氏は続けます。「電力変換分野の研究者がSiCサイリスタの利点を完全に理解した後、ソリッドステート変電所と風力タービン発電機の大規模市場が開かれることが予想されます。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能に最適化された次世代のSiCサイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oCの接合部温度に制限されています。」 GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急成長しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています。 (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

ワシントンの近くにあります, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.