GeneSiCの業界をリードする6.5kVSiC MOSFET – アプリケーションの新しい波の先駆者
ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, 中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性…
GeneSiCが一流のRを獲得&SiCベースのモノリシックトランジスタ-整流器スイッチに対するD100賞
ダレス, VA, 12月 5, 2019 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2019 R&D 100 SiCベースの開発に対する賞…
大電流対応650V, 1200ミニモジュールSOT-227パッケージのVおよび1700VSiCSchottkyMPS™ダイオード
ダレス, VA, 五月 11, 2019 — GeneSiCは大電流対応のマーケットリーダーになります (100 Aと 200 A) SOT-227ミニモジュールGeneSiCのSiCショットキーダイオードはGB2X50MPS17-227を導入しました, GC2X50MPS06-227…
GeneSiCは、業界で最高のパフォーマンスを発揮する1700VSiCショットキーMPSをリリースします™ ダイオード
ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージで第3世代1700VSiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースしますGeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247および…
GeneSiCのハイブリッドSiCショットキー整流器/ SiIGBTモジュールは175°Cの動作を可能にします
ダレス, VA, 行進 5, 2013 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、その即時の利用可能性を発表します…