ダレス, VA, 12月 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., 新規炭化ケイ素の主要な革新者 (SiC) 高温用デバイス, ハイパワー, および超高電圧アプリケーション, 「統合SiCスーパージャンクショントランジスタ-高出力モーター制御モジュール用のダイオードデバイス」というタイトルのプロジェクトの選択を発表しました。 500 米国航空宇宙局による「oC」 (NASA) フェーズISBIR賞. このSBIRプロジェクトは、モノリシック集積SiCJBSダイオード-スーパージャンクショントランジスタの開発に焦点を当てています。 (MIDSJT) 金星のような環境下で動作するためのデバイス (500 °Cの表面温度). このプログラムで開発されたSiCMIDSJTデバイスは、金星探査ローバーと直接統合するためのモーター制御パワーモジュールを構築するために使用されます。.
“NASAが高温SiCデバイスソリューションに自信を持っていることを嬉しく思います。. このプロジェクトにより、GeneSiCは、革新的なデバイスおよびパッケージングソリューションを通じて、業界をリードするSiCベースの電源管理テクノロジーを開発できるようになります。” 博士は言った. シドダース・スンダレサン, GeneSiCのテクノロジーディレクター. “このプログラムの対象となるSiCMIDSJTデバイスを使用すると、キロワットレベルの電力を最高温度でデジタル精度で処理できます。 500 °C. 宇宙アプリケーションに加えて, この新しい技術は、周囲温度を超える温度を必要とする重要な航空宇宙および地熱石油掘削ハードウェアに革命を起こす可能性を秘めています。 200 °C. これらのアプリケーション分野は現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。” 彼が追加した.
GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することにより www.genesicsemi.com.
GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.
GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の.
